Термоэлектрический микрохолодильник
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 659848
Авторы: Козлюк, Котырло, Лобунец, Сапожников
Текст
(51) М, КлзГ 25 В 21/О присоединением заявк Государственный комите(45) Дата опубликования описашя 30.04 2) Лвторы пзобретени Н, Козлюк, Г. К, Котырло, Ю. Н, Лобун. Н. Сапожниковмии наук нститут технической теплофизики АкаУкраинской ССР 1 Заявитель 54) ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МИКРОХОЛОДИЛЪН Тп -и) Т На чертеже схематично представлен описываемый мпкрохолодильннк.Он содержит основные полупроводниковые элементы 1, с горячими спаями 2, дополнительные полупроводниковые элементы 3, с холоднымп спаями 4 и горячими спаями 5, тспловую изоляцию б. Работа микрохолоднльнпка г;роисходпт следующим образом. При включении основных полупровод/ е - Т е; 1(у) - длина дополн проводникового Т - температура г полнительного вого элемента, л тельного п элемента, м рячего спая полупроводн К; о;30 Изобретение относится к области холодильной техники, а точнее к термоэлектрическим микрохолодильникам.Известны термические микрохолодильники, содержащие основные полупроводниковые элементы, на боковых поверхностях которых размещены холодные спаи дополнительных полупроводниковых элементов 1,Недостатком известных микрохолодильников является их малая экономичность изза большого количества дорогостоящего полупроводникового материала, требуемогодля изготовлсц дополнительных полупроводниковых элементов.Данное изобретение направлено на устранение этого недостатка,Указанная цель достигается тем, чтодлина дополнительных полупроводниковыхэлементов выполнена переменной и увеличивается в направлении от горячего сная 20к холодному по формуле:т,. - т, (у) температура боковой поверхности основного полупроводникового элемента, К;- текущая координата от горячего спая основного полупроводникового элемента, м.плотность тока питания, А/м, - коэффициент термоЭДС дополнительного полупроводникового элемента, В/К;- средний коэффициент теплопроводности материала полупроводникового элемента, Вт/м К;- коэффициент теплоотдачи отгорячего спая дополнительного полупроводникового элемента к окружающей среде, Вт/м К; - температура окружающей среды, К.3 Составитель орректоры Е Осино и Т. Добровольск дак Гольдин мышников хред каз 559/16 ад.266 Тираж 6 Подписи ипаграфия, пр. Саиуно пиковых элементов 1 в цепь постоянного тока температура холодных спаев понижается, а горячих спаев 2 повышается, при этом часть тепла стремится перетечь от спаев 2 к холодным спаям чем снижается холода. проводность микрохолодильника. Для локации теплоперетечек включаются в сеть установленные на боковых сторонах основных полупроводниковых элементов 1 дополнительные полупроводниковые элемен ты 3, холодные спаи 4 которых охлаждают боковые поверхности элементов 1, Отводимое тепло удаляется с горячих спаев 5 дополнительных элементов в окружающую среду, Экономическая эффективность мик рохолодильника выражается в том, что длина дополнительных элементов выполнена переменной и на их изготовление тратится меньше очень дорогого полупроводникового материала, чем в известных микрохоло дильниках. Формула изобретения Термоэлектрический микрохолодильник, содержащий основные полупроводниковые элементы, на боковых поверхностях которых размещены холодные спаи дополнительных полупроводниковых элементов, от личающийся тем, что, с целью повышения экономичности, длина дополнительных полупроводниковых элементов выполнена переменной и увеличивается в направленин от горячего спая к холодному поформуле:Уг Уб (У)т г11 Е - Тг(г - о) где 1(у) - длина дополнительного полупроводникового элемента, м;Т - температура горячего спая дополнительного полупроводникового элемента, К;Та - температура боковой поверхности основного полупроводникового элемента,К;(д) - текущая координата от горячего спая полупроводниковогоэлемента, м;/ - плотность тока питания, Аме - - коэффициент термоЭДС дополнительного пол упроводниковогсэлемента В/К.), - средний коэффициент теплопроводности материала полупроводникового элемента, Вт(мК;сс - коэффициент теплопередачи отгорячего спая дополнительногополупроводникового элемента кокружающей среде, Вт/м"К;Т, - температура окружающей среды КИсточники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР М 13228, кл. Г 25 В 21/02, 1930.
СмотретьЗаявка
2476723, 15.04.1977
ИНСТИТУТ ТЕХНИЧЕСКОЙ ТЕПЛОФИЗИКИ АН УКРАИНСКОЙ ССР
КОЗЛЮК ВИТАЛИЙ НИКОЛАЕВИЧ, КОТЫРЛО ГЕОРГИЙ КОНДРАТЬЕВИЧ, ЛОБУНЕЦ ЮРИЙ НИКОЛАЕВИЧ, САПОЖНИКОВ АЛЕКСАНДР НИКОЛАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: F25B 21/02
Метки: микрохолодильник, термоэлектрический
Опубликовано: 30.04.1979
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-659848-termoehlektricheskijj-mikrokholodilnik.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Термоэлектрический микрохолодильник</a>
Предыдущий патент: Абсорбционная холодильная установка
Следующий патент: Двухступенчатая холодильная установка
Случайный патент: Устройство для демпфирования колебаний подвешенного груза