Способ изготовления медно-хромовых фотошаблонов

,1634225 Союз Советских Социалистических Республик(45) Дата опубликования описания 30.1178 Государственный комитетСовета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий 21. 38 088.8(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕДНО-ХРОМОВЫХ ФОТОШАБЛОНОВ ние относится к фотомеха-зготовлению печатных. сяход Изобретеническому иформ.Известны способы изготовления хро" мированных фотошаблонов, заключающиеся в том, что позитивный Фоторезист наносят на стеклянную заготовку, экспонируют и проявляют, затем напыляют слой хрома, травят хром в неэкспоиированных участках, а фотореэист уда ляют Я.Нед 9 статком данных способов является увеличение числа проколов хро" мового покрытия и уменьшение износо стойкости фотошаблона вследствие загрязнения экспоннрованных участков остатками фоторезиста.Известны способы изготовления медно-хромовых фотошаблонов, заключаю щиеся в том, что негативное изображение получают из фоторезиста с хромовым слоем толщиной 400-2000 А на стеклянной заготовке, свободные от фоторезиста участки хромового слоя пас сивируют медью, затем фоторезист удаляют и травят хромовый слой 23Недостатком таких способов являетнеровность и размытость края, доящая до 0,5 мкм, и плотность про- Ю колов маскирующего слоя, превыаающая 10 см.Цель изобретения - повышение износостойкости и разрешающей способности Фотошаблонов.Это достигается тем, что свободные от фоторезиста участки хромового слоя пассивируют имплантацией ионов меди с дозой 1006-10000 мкКл/см и энерги.ей 30-60 кэВ.Способ состоит в том, что имплантацией . ионов меди дозой около 1000 мкКл/см иа несколько порядков понижают скорость травления маскирующего хромового слоя Фотошаблона. Скорость травления снижается при увеличении дозы имплантации. Однако при дозах, больших 10000 мкКл/см 2" недо" пустимо падает производительность процесса изготовления Фотошаблонов.Нйжний предел энергии имплантации лимитируется наличием на поверхности хромового слоя тонкой пленки заг-. рязнений. Поэтому для того, чтобы пассивирующий слой был образованнеобходимо, чтобы средний проецированный пробег ионов меди бып больше толщины слоя загрязнений. Это достигается при энергии ионов меди большей 30 кэВ.. Верхний предел энергии имплантации выбирается таким, чтобы средний прое-. цированный пробег ионов меди был мень,ше толщины. хромового слоя. Пци толщи,нах хромового слоя 400-2000 А верхний предел энергии ионов составляет 60 кэВ. 5. При ионном внедрении имплантированный слой меди располагается на глубине в несколько сотен ангстрем от поверхности хромового слоя, поэтому практически нет проблемы адгезии 10 имплаитированного слоя к хромовому слою. Кроме того, в процессе импланта. ции происходит вбивание атомов хрома из хромового слоя в стеклянную подложку, При этом существенно улучшается адгезия хромового слоя к стеклянной подложке, что приводит к повышению износостойкости фотошаблона и снижению плотности проколов в маскиРующем покрытии, ЮИмплантированный слой меди располагается лишь в областях, соответствующих топологии . Фотошаблона, поэтому окончательный топологический рисунок будет в точности повторять размеры и форму исходного рисунка из фоторезиста. Неровность и размытость краев рисунка также будет обусловлена только погрешностями ФотолитограФии, так как при травлении хромового слоя исключено подтравливание упомя- ЗО нутого слоя, лежащего под слоем фоторезиста, из-за наличия в немаскированакте истики ботошабл о износостойкость (количество совмещений, при котором количество проколов увеличивается в 2 раза) размытость краев, мкм О:,5- 1,00,2 звестный е агае 0 0,5-1,0 0 0 1 чают из Фоторезиста с хромовым слоемтолщиной 400-2000 А на стекляннойзаготовке, свободные от фоторезистаучастки. хромового слоя пассивируютмедью, затем фоторезист. удаляют и травят хромовыйслой, о т л и ч а ю - 50 щ и й с я тем, что, с целью повышения износостойкости и разрешающейспособности Фотошаблонов, в нем свободные от Фоторезиста участки хромового слоя пассируют имплантацией 55 ионов меди с дозой 1000-10000 мкКл/сми энергией 30-60 кэВ.Источники информации, пр нятыЬ вовнимание при экспертизе:1. Патент США Р 3567447, кл. 93-36 и 1971.2. Патент Японии 99 (5 )СЗ, 1970.ираж 522 Подписное омо вы том олу кл. 5-342 И Заказ 6758/4 илиал ППП Патент г Как видно из таблицы, фотошаблон, изготовленный по предлагаемому способу,имеет лучшие характеристики, чем фотошаблон,.изготовленный поизвестному способу.Предлагаемый способ изготовления медно-хромовых фотошаблонов позволяет повысить износостойкость Фото- шаблона и точность воспроизведения размеров топологического рисунка Фотошаблона, уменьшить неровности и размытости края топологического рисунка фотошаблона, что значительно повыаает качество и процент выхода годных фотошабланов.Формула изобретенияСпособ изготовления медно-хр х фотошаблонов, заключающийся вР что негативное изображение п ных областях имплантированного слоямеди, стойкого к травителям исходного хромового слоя,На стеклянную подложкУ наносятхромовый слой толщиной 800 Х, которыйзатем защищают слоем фоторезиста марки ФП. Затем при помощи эталонногошаблона проводят фотолитографию, впроцессе которой в слое фоторезистав слое фоторезиста вскрывают окна.Полученную таким образом заготовкус фотолитографическим рисунком облучают ионами меди. Энергия ионовкэВЛдоза - 1000 мкКл/смВ результате имплантации меди в свободных отфоторезиста участках хромового слояобразуется пассивный слой, стойкий ктравителям исходного хромового слоя,Фоторезист удаляют травлением в 50 ном растворе КОН при комнатной температуре. Хромовый слой, имеющий пассивные участки, травят в 10-ном раствореСВ. При этом происходит удаление только участков хромового слоя, которыене подвергались воздействию ионногопучка, и остаются участки, содержащие ионно-имплантированный слой меди,Полученный таким образом Фотошаблонявляется негативным по отношению кэталонному шаблону. Сравнительные характеристики Фотошаблонов, изготовленных по известномуи предлагаемому способам, приведеныв таблице. город, ул. Проектная,4