Стекло
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(23) Приоритет(43) Опубликовано 0504 э 8. Бюллетень И 13 Союз Советских Социалистических Республик(51) М. тт,л, С 03 С 3/04 ГещйРфтвтваыИ коаютвтСмета Министров ВСОРЙО Афма изюбРэтэи(ит ттткт(В(71) Заявитель Константиновский ордена Трудового Красного Знамени завод Автостекло,35 54,23 18 8,3,16 10 5,1 2,2 Изобретение относится к электротех, ническим стеклам, обладающим электронной проводимостью.Для производства сопротивлений большой интерес представляк т стекла с соп 3 5 ротивлением порядка 10 -10 омсм н обладающие высокой температурой размягчения.Известны силикатные стекла с электронной проводимостью, включающие,вес.Ф 10 51 Оз 47-52; ВаО+РЬО 13-20;РЕ О, 25-30 г Ч,О,0,1-51 тт,о 2-10 13.Это стекло обладает высоким электро- сопротивлением порядка 109 ом см.Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к изобретению является стекло следующего хи- . мического состава, вес.а: 510 з 15-25; Сао 15-25;.Ат ОЗ 5-8; тЕаОЗ 15-30 та 2и кроме того, 5 П 06-12; Т 108-14;Мп до 1, ИааО до 1, М(тО до 2 2) . Электрическое сопротивление указанных сттекол достаточно высоко, порядка 10-10 ом см,Недостатком укаэанных стекол является высокое удельное сопротивление.Целью изобретения является снижение удельного сопротивления стекла.Поставленная цель достигается тем, что стекло, включающее 510 СаО,А 6 аО, дополнительно содержит окислы ванадия в видеУОа+ЧхОзЧО).ПРи следующем содержании компонентов, (вес,В)т 540 з 52-55; СстО 15-21 т Ас ОЗ 8-14 иСЧОз+чоро)17-20. Состав синтезируется при 1550-1600 аС в восстановительной атмосФере.В таблице приводятся примеры химических составов описываемого стекла и их электросопротивление при 20 С.о,Двуокись кремнияОкись кальцияОкись алюминияОкислы ванадия Сеставитель Г,БуровцеваТехред О.Андрейко Корректор Н.Ковалева Редактор- М.Квачадзе Заказ 1632/2 Тираж 596 ПодписноецНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений н открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП Патент, г.ужгород, ул.Проектная, 4 Как видно из таблицы, величина элек-.тросопротивлений у данного. стекла значительно ниже, чем у известных стекол.Полученные стекла обладают электроннойпроводимостью и сохраняют электрофизические свойства в широком интервалетемператур,В процессе термической обработки до950 фС в течение 1 ч форма образцов ос-.тавалась прежней. После термообработки структура и электросопротивлениестекла в объеме не изменялись. Низкиезначения электросопротивления описываемого стекла позволяют рекомендоватьего для производства электросопротивлений и нагревательных элементов.15формула изобретенияСтекло, включающее двуокись крем-.ния, оксиь кальция, окись алюминия,окислы ванадия,о т л и ч а ю щ е ес я тем, что, с целью понижения удельного сопротивления, оно содержит указанные компоненты в следующих количествах, я ".%: Источники информации, принятые вовнимание при экспертизе: 1. Авторское свидетельство СССР9.349651, кл. С 03 с 3/10, 1971. 2.,Авторское свидетельство СССРР 286161, кл. С 03 С 3/04, 1968.
СмотретьЗаявка
2423989, 29.11.1976
КОНСТАНТИНОВСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ЗАВОД "АВТОСТЕКЛО"
МИНЬКО НИНА ИВАНОВНА, ТЮТЮНИКОВ НИКОЛАЙ ПЕТРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: C03C 3/04
Метки: стекло
Опубликовано: 05.04.1978
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-601235-steklo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Стекло</a>
Способ измерения удельного сопротивления полупроводниковых слоев
Номер патента: 1749847
Опубликовано: 23.07.1992
Авторы: Аверьянов, Горбунов, Павлов
МПК: G01R 27/02
Метки: полупроводниковых, слоев, сопротивления, удельного
...а таке прй менение в качестве эталонного образц проводящего слоя с йэоЛирующей границеи дает возможность с достаточной точностью измерять величину удельного сгопротивле ния полупроводниковых слоев пройзволь ной формы с проводящей границей.Дополнительные измерения на эталонном образце позволяют учесть шунтирующее влияние проводящей гРаницы на величину напряжений, измеряемых на исследуемом образце, и таким образом исключить погрешность в определении величины р, связанную с влиянием проводящей границьслоя.В известных способах учет влйяния про- водящей границы слоя проводился с помощью измерений на эталонныхобразцгах, имеющих также проводящую границу. В предлагаемом способе дляэтой цели впервые используется эталонный образец с...
Датчик для измерения удельного сопротивления полупроводниковых стержней
Номер патента: 1112265
Опубликовано: 07.09.1984
Авторы: Белошицкий, Каблов, Казимиров, Медведев, Мочалин, Наливайко, Нехорошков, Петров, Хрычев, Юшкин
МПК: G01N 22/00
Метки: датчик, полупроводниковых, сопротивления, стержней, удельного
...датчике для измерения удельного сопротивления полупроводниковых стержней, содержащем прямоугольный волновод с соосны 35 ми отверстиями в широких стенках, над которыми размещены четвертьволновые короткоэамкнутые отрезки коаксиальной линии с полыми центральными про 40 водниками длявведения исследуемого полупроводникового стержня, между одним иэ четвертьволновых коротко- замкнутых отрезков коаксиальной линии и широкой стенкой прямоугольного45 волновода установлен отрезок полого цилиндра длиной ( , определяемой неравенством Ъ/4 ( Ь с " /2, где Я длина рабочей волны в свободном пространстве.50На чертеже приведена конструкция датчика для измерения удельного сопротивления полупроводниковых стержней.55Датчик для измерения удельного сопротивления...
Способ измерения удельного сопротивления
Номер патента: 1420548
Опубликовано: 30.08.1988
Автор: Груздев
МПК: G01R 27/02
Метки: сопротивления, удельного
...снижения контактного сопротивления игольчатый зонд - образец.Способ измерения удельного сопротивления образцов полиалюминатов натрия основан на использовании известного четырехзондового способа измере" ния удельного сопротивления полупроводниковых материалов на переменном токе. При применении известного способа не обеспечивается необходимой точности измерения удельного сопротивления для образцов из полиалюминатов натрия, поскольку используемые обычно температурные режимы измерения и материалы для зондов дают очень высокие значения контактного сопротивления зонд - образец (более 10 ;Ом при =20-300 С). Это обусловливает весьма высокий уровень теплового шума приизмерении напряжения на потенциальных зондах, что и приводит к значительным...
Устройство для измерения температурной зависимости удельного сопротивления полупроводниковых пластин
Номер патента: 712785
Опубликовано: 30.01.1980
Авторы: Коротченков, Ляху, Молодян
МПК: G01R 31/26
Метки: зависимости, пластин, полупроводниковых, сопротивления, температурной, удельного
...Предлагаемое устройство позволяет автоматизировать проводпмыс в динамическом режимс измерения температурной зависимости удельного сопротивления образцов полупроводниковых материалов произвольной формы, что дает возможность исключить ряд технологических и измерительных операций по приданию образцам правильной формы н измерению геометрических размеров; все это, в конечном счете, приводит к повышению точности измерений, сокращению времени на подготовку образца, сокращению расходов материальных средств. Устройство для измерения температурной зависимости удельного сопротивления полупроводниковых пластин, содержащее источник переменного тока постоянной частотысоединенный с первым и вторым зондами, усилитель, вход которого соединен с...
Способ определения удельных сопротивлений и мощностей геоэлектрических слоев земли
Номер патента: 911418
Опубликовано: 07.03.1982
Авторы: Вешев, Леончиков, Любцева
МПК: G01V 3/12
Метки: геоэлектрических, земли, мощностей, слоев, сопротивлений, удельных
...измерения модулей вертикальной и горизонтальной составляющих магнитного поля, по их отношению определяют эффективное сопротивление, получают кривую зондирования, которую количественна интерпретируют. Минимальное значение Нд всегда отличается от нуля и практически допустимо, если Н,./Н)8 - 10, Если при измерениях указанное отношение меньше 8, то точки на кривой зондирования, соответствующие этим измерениям, не учитываются при интерпретации. В случае, когда большинство измерений одного зондирования выполнено при Н /Н (8 то это означает, что условия не соответствуют горизонтальным границам раздела и для их интерпретации необходимо испольэовать расчеты для более сложных моделей.Пример реализации способа. Зондирование проводилось на...
Предыдущий патент: Способ получения многослойного изделия
Следующий патент: Стекло для звукопроводов акустических устройств
Случайный патент: Запоминающее устройство