Шихта для изготовления пьезокерамического материала

Номер патента: 1029018

Опубликовано: 15.07.1983

Авторы: Гринец, Демин, Зайчик, Иванов, Тищенко

МПК: G01K 7/16

Метки: разности, температур, температуры

...потенциальные выводы термопреобразователя 2 сопротивления, переключающиеся контакты 13 и 14 переключателя,2 О участки реохорда 5: верхний вывод реохорда - движок, движок - нижний вывод.реохорда 5, Выходы блоков 11 и 12 . преобразования через усилитель 15, делитель напряжения, состоящий из двух 25 последовательно соединенных резисторов 16 и 17, через переключающий контакт 18 переключателя, фазочувствительный усилитель 19, подключены к двигателю 20, вал которого механически связан с движком реохорда 5. Потенциальные выводы компенсационного резистора 7 и термопреобразователя 3 подклочены соответственно к нормально открытым и нормально закрытым контактам 13 и 14 переключателя.К входам блоков 21 и 22 преобразования, выходы...

Номер патента: 1786374

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Егин, Морозов

МПК: G01K 3/02

Метки: разности, температур, температуры

...величины температуры тела можно выполнить по истечении времени действия стробирующего импульса, дополнительным нажатием на кнопку 26 при сохранении зонда 3 на теле, Тогда, аналогично режиму измерения температуры окружающей среды, устройство производит измерение температуры тела и отображение знаковой и цифровой информации на блоке индикации 23, которая автоматически прекращается по истечении времени действия следующего стробирующего импульса.В режиме измерения разности температур выносной зонд 3 снова помещают в окружающую среду, где его температура быстро выравнивается с температурой среды. С выходов АЦП 9 цифровой сигнал температуры окружающей среды поступает на регистр 16 температуры, а с его выходов на неинвертирующие входы блока...

Номер патента: 1089432

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Матвеев, Новиков

МПК: G01K 3/08

Метки: разности, температур, температуры

...к предлагаемому являетсяустройство для измерения температуры 25и разности температур, содержащееисточник питания, подключенный к дзумпоследовательно соединенным резисторам, первый термопреобраэователь сопротивления, первый вывод которого З 0соединен с первым выходом источникапитания, второй термопреобразовательсопротивления с эталонным резистором,первые выводы которых соединены свторым выводом источника питания, авторые выводы - с входами первогопереключателя, измерительный прибор,а также корректирующий терморезистор,Корректирующий терморезистор используется для компенсации погрешности,обусловленной зависимостью чувствительности устройства от температурысреды при измерении разности температур 21.Однако полностью...

Номер патента: 1571420

Опубликовано: 15.06.1990

Автор: Егин

МПК: G01K 17/08, G01K 3/08

Метки: разности, температур, температуры

...поступаетинформация о разности температур, вычисляет количество теплотыпо формулеН=Х С БЬТ,где Н - количество теплоты, ккал;К - коэффицйент теплоизоляцииодеждыС - коэффициент формы тела;Б - площадь поверхности тела, мй,ДТ - разность температур,Выраженное значение количества теплоты через блок 9 управления поступает на бл ок 14 и ндик ации,Устройство имеет незначительныеразмеры и может быть размещено, например, в корпусе электронных наручныхчасов, используя их отдельные блокидля своей работы.Формула из обр ет енияУстройство для измерения температуры и разности температур, содержа-щее первый и второй термопреобраэователи сопротивления, первый аналогоцифровой преобразователь, блок управления, блок вычисления, блок индикации,...

Номер патента: 240852

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Берников, Никонов, Носиков, Пресс, Ржанов

МПК: H01L 21/322

Метки: диффузионных, коэффициента, кремниевых, повышения, р—р-л-транзисторов, току, усиления

...а время и температура геттерирования малы, образующийся наразитный слой и-типа обычно уничтожается при вжигании контактов. Перед нанесением контактов слой Р.О; удаляют травлением в составе, содержащем 15 ч. НЕ (490/О), 10 ч. Н 1 ЧОз (700/) и 300 ч. Н О, в течение 2 мия.На чертеже приведен, пример реализации заявляемого способа в технологическом процессе изготовления,кремниевого планарного р - и - р эпитаксиально-диффузионного транзистора. Исходным материалом для производства подобных транзисторов служит очень низкоомная эпитаксиальная структура: на подложку 1 р-типа наращивают более высокоомную эпитаксиальную пленку 2 и-типа толщиной, порядка 10 мк. Далее проводят изолирующую диффузию бора 3, в результате которой эпитаксиальная пленка...