Пневматическое вычислительное устройство

Номер патента: 937730

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Айзенштадт, Конных, Романов, Титков

МПК: E21D 13/04

Метки: верхних, возведения, крепи, постоянной, элементов

...6 и 7. Стержни соединены между собой шарниром 8. Концы рычага выполнены шарнирными, один конец укреплен в концевой части продольного упора, а ось соединения другого конца рычага с держателем 1 расположена. ниже шарнира 3 соединения продольного упора 2 с держателем 1.К каждому продольному упору 2 прикреплено по два ломающихся рычага, с каждой стороны - по рычагу, и для синхронной работы этой пары рычагов стержни б связаны планкой 9, а стержни 7 - планкой 10. К планке ,10 прикреплена ручка 11 управления рычагами, а к шарниру 5 - трос уп-. равления 12. На откидном упоре установлен ограничитель 13 излома рычага.Устройство работает следующим об разом.В исходном положении откидные продольные упоры 2 сведены (фиг. 3) .Для приведения...

Номер патента: 239436

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Зобретенн, Погорелое

МПК: G01R 1/22

Метки: измерительный, постоянного, элемент

...разомкнутая магнитная систеча 2, Между полюсами с;1 стемы 2 на оси 5 укреплен тороидаль, иый ферромагнитный сердечник 4 с обмоткой. Плоскость симметрии сердечника наклонена по отношению к оси 3 на угол к. Вращаться он может в пределах углов 0 с 490.Сердечник обхвачен ферромагнитной скобой 5, расположенной под прямым углом по отношеншо к системе. Обмотка сердечника В КЛ 0 СИ Я ПОС 1 С;10 ВЯТС 1 Ы 10 С И 11 РЧЗ КОИ И Я источник переменного напряжения.Измсритсльный элемент работает следующим образом.Ток в шииссоздает хЯгиитиы 1 поток, проходящий через магнитную систему 2, воздушный зязОр и сердсчнис 4. Эот поток Вызывает дополнительное постоянное подмагни. чНвянис сердечника и, следовательно, увеличен 1 е пядсии 51 няпрякения па...

Номер патента: 252462

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Могилевский, Погорелов, Харьковский

МПК: G01R 5/14

Метки: tojka, измерительный, отека, постоянного, элемент

...ср. На чертеже представлен ройство. На токоведущей шине 1 кнутая магнитная система резьбой, укрепленным на ш ми системы 2, расположен ма, состоящая из тороидалписываемое уст. установлена разом. На стержне 8 с ине между полюса- а подвижная систеьного ферромагнитИзвестны измерительные элементы постоянного тока, содержащие разомкнутую магнитную систему, обхватывающую токоведущуюшину, и расположенный между полюсами магнитнои системы тороидальный ферромагнитный сердечник с обмоткой, включенной последовательно с нагрузкой в цепь переменного тока. С целью регулирования диапазона измерения, на полюсах магнитной системы расположены пластины различной длины, служащиедля измерения рабочего зазора магнитной цепи. Эти устройства обладают...

Номер патента: 333602

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Киевский, Клочко, Лавриненко, Якименко

МПК: G11C 11/22

Метки: запоминающий, пол, постоянный, пьезотрансформаторный, элемент

...и 3, генератор считывания 4 с электродами 3 и 5 и генератор записи (сек 1 ции упра 1 вления) 6 с электродами 3 и 7 и подключенными на выходе выпрямителями- диодами 8 и 9. Возбудитель 1 и генератор записи 6 жесткополяризовацы, генератор, считывания можетпереполяризоваться в процессе работы. 1.1 аправление поляризации показано стрелками.При подаче ца вход элемента сигнала считывания с частотой, равной частоте ( продольного резонанса по,ширине в возможны дваслучая: 1) секция считывания поляризована,на выходе элемента появляется сигнал часто 10 ты 1, что соответсгвует 1 записанной информации в данном разряде; 2) секция считывания деполярцзоваца, тогда сигнал ца ее выходе будет отсутствовать, что соответствует Озаписа 1 шой инрормации.15...

Номер патента: 665327

Опубликовано: 30.05.1979

Автор: Овчаренко

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающий, постоянный, программируемый, элемент

...слое диффузионную эмиттерную область, подключенную к подложке и образующую с диффузионной с истоковой областью МД 11- транзистора биполярный транзистор.На фиг. 1 изображен предлагаемый запоминающий элемент; на фиг, 2 - запоминающий элемент с диффузионной эмиттерной областью в полупроводниковом слое,Запоминающий элемент содержит подложку 1, полупроводниковый слой 2, диэлектрический слой 3, разрядную шину 4, диффузионные стоковую 5 и истоковую б области МДП-транзистора, затвор 7 которого соединен со словарной шиной.В полупроводниковом слое 2 может быть расположена диффузионная эмиттерная область 8 биполярного транзистора, базой которого является полупроводниковый слой 2, а коллектором - диффузионная истоковая область...