Датчик температуры

пц 884)98 Союз Советских Социалистических Респуолик(43) Опубликовано 15.1 Совета Министров СССРпо делам изооретенийн открытий) Да публиковани писания 2) Авторы изобретени Будянов, А В. Прибульский ривонос 1) Заявите 54) ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ Изобретение относится к области термоме рии.Известен датчик температуры, содержащий терморезистор, генератор колебаний на полупроводниковом переключателе резисторы, конденсатор и транзисторы 1.Однако известное устройство обладает тем, недостатком, что имеет небольшой диапазон преобразования, который ограничен равенством времен заряда конденсатора и его разряда.Наиболее близким по технической сущности к предложенному устройству являетсядатчик, температуры, содержащий терморезистор, генератор пилообразных колебаний на полупроводниковом переключателе, конденсатор, анодную нагрузку на основе транзистора типа р - гг - р, коллектор которого подсоединен к аноду полупроводникового переключателя и одной обкладке конденсатора, а эмиттер подключен к плюсовой клемме источника питания, минусовая клемма которого подключена ко второй обкладке конденсатора и к катоду тиристора, дополнительный источник питания и два переменных резистора,21.Однако известное устройство имеет ограниченный диапазон преобразования температуры среды в параметр импульсного сигнала.Для расширения диапазона преобразования температуры в параметр импульсного сигнала в предлагаемыи датчик дополнительно введены два фотодиодных оптрона и транзистор типа п - р - гг, причем полупроводниковый переключатель выполнен в виде управляемого 5 тиристора и двух фотодиодных оптронов, светодиоды которых включены последовательно и через терморезистор подсоединены к основному источнику питания, а фотодиоды оптронов, зашунтированные переменными резисто рами, включены в базовые цепи транзистораанодной нагрузки типа р - и - р и дополнительного транзистора типа и - р - и, коллектор которого соединен с управляющим электродом тиристора, его база подключена к аноду фото диода первого оптрона, а эмиттер,подсоединенк минусовой клемме дополнительного источника питания, плюсовая клемма которого подключена к катоду фотодиода первого оптрона., а также к аноду фотодиода второго оптрона и 20 к катоду тиристора, а база транзистора анодной нагрузки подведена к катоду фотодиода второго оптрона.Предложенный датчик температуры показанна чертеже, где 1 - основной источник пита ния, 2 - светодиод, 3 - фотодиод первого оптрона, 4 - переменный резистор, 5 в дополнительный источник питания, б в дополнительный транзистор типа гг - р - гг, 7 - полностью управляемый тиристор, 8 - конденсатор, 9 - 30 светодиод, 10 - терморезистор, 11 - транзис.тор типа р - гг - р, 12 - фотодиод второго оптрона, 13 - переменный резистор.Датчик работает следующим образом.Выполнение полупроводникового переключателя генератора колебаний на основе полностью управляемого тиристора 7 и двух оптронов 9, 12 и 2 3 позволяет значительно расширить диапазон преобразования температуры, Введение оптронов позволяет изменять одновременно ток управления аподной нагрузки (11) и ток управления дополнительного транзистора типа гг - р - и, который обеспечивает базовый ток тиристора 7. В результате происходит одновременное изменение как тока заряда конденсатора 8, так и тока включения тиристора 7, что и позволяет располагать рабочую точку на участке вольт-амперной характеристики с отрицательным дифференциальным сопротивлением тиристора 7. Переменные резисторы 4 и 13, шунтирующпе фотодиоды 3 и 12 позволяют, производить перестройку рабочих частот датчика температуры. Тиристор 7 работает в данном случае с отрицательными базовыми токами. Расширение диапазона преобразования температуры в параметр импульсного сигнала позволяет производить контроль температуры в широком интервале при помощи одног о датчика. Формула изобретенияДатчик температуры, содержащий терморезистор, генератор пилообразных колебаний, выполненный на полупроводниковом переключателе, анодную нагрузку на основе транзистора типа р - и - р, коллектор которого подсоединен к аноду полупроводникового переключателя и одной обкладке конденсатора, а эмиттер подключен к плюсовой клемме основного источника питания, минусовая клемма которого подключена ко второй обкладке конденсатора и к катоду тиристора, дополни.5 тельный источник питания и два переменныхрезистора, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона преобразования температуры в параметр импульсното сигнала, в датчик до)полнительно введены два фо тодиодных оптрона и транзистор типа и -р - гг, причем полупроводниковый переключатель выполнен в виде тиристора и двух фотодиодных оптронов, светодиоды которых включены последовательно и через терморезистор 15 подсоединены к основному источнику питания,а фотодиоды оптронов, зашунтированные переменными резисторами, включены в базовые цепи транзистора анодной нагрузки типа р - гг - р и дополнительного транзистора типа 20 и - р - п, коллектор которого соединен с управляющим электродом тиристора, а ето база подключена к аноду фотодиода первого оптрона, эмиттер ,подсоединен к минусовой клемме дополнительного источника питания, 25 плюсовая,клемма которого подключена к катоду фотодиода яервото оптрона, а также к аноду фотодиода второго оптрона и к катоду тиристора, а база транзистора анодной нагрузки подведена к катоду фотодиода второго З 0 оптрона,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 35 1, Лвторское свидетельство СССР470713,кл. Сг 01 К 7/1 б, 1975,2, Билик Р. В. и др, Импульсные схемы надинисторах и тиристорах, Наука, 1968.