Регенеративная линия задержки
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(1) 886507 О П И С А Н-И-Е- ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистических Республик(45) Дата опубликования описа Государственный комитет Соввта Министров СССР по делам изобретений и открытий(54) РЕГЕНЕРАТИВНАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ Изобретение относится к импульсной го включен управляющий алектрод, соедмтехнике, в частности к устройствам за- ненный через разделительный конденсатордержки импульсов, и может использоваться с источником входных сигналов, и двузов быстродействующих и функциональных электродный элемент Ганна с цепями ихустройствах пикосекундного диапазона. смещения, прианодиая область трехэлекИзвестна регенеративная линия задержки, тродного элемента Ганна соединена пересодержащая трехэлектронный алемент Ганна, мычкой с прикатодной областью двухэлевв прикатодной области которого включен ,тродного элемента Ганна,управляющий, алектрод, соединенный через На чертеже приведена йства.разделительный конденсатор с источником 1 пвходных сигналов, и двухалектродный эле- Регенеративная линии задержки,содеряситмент Ганна с цепями их смещения 113. трехалектродный элемент 1 Ганна, юукэлекОднако это устройство не осуществляет тродный алемент 2 Ганна, прикатодная олафзадержку импульсов субнаносекундного див- ласть которого соединена перемычкой Э сназона на величину, превышающую длитель- еб нрианодной областью алемснта 1, резистоность входного сигнала и имеет недоста- ры 4 и 5,разделительный конденсатор 6,точную точность и стабильность, источник 7 входящих сигналов, источникиБель изобретения - осуществление за и 9 смещения. Источник 7 через кондендержки импульсов субнаносекундного диана сатор 6 подключен к управляющему электрозона на величину, нревышаюшую длительностьЮ ду в прикатодной области элемента 1, кавходного сигнала, повышение точности и тод которого через резистор 4 соединен сстабильности атой задержки. обшей шиной, а анод - с источником 8.Дгя этого в регенеративной линии заКатод элемента 2, являющийся выходомдержки, содержащей трехэлектродный эле- , устройства, связан через резистор 5 с обмент Ганна, в нрикатодной области которощей шиной, а анод соединен с источником 9 схема устроз 2511/37 Тираж 1065 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министр по делам изобретенкй и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская набд, 4/5филиал ППП "Патентф, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 Устройство работает следующим образом,В исходном состоянии элементы 1 и 2смещены источниками 8 и 8 в предпороговыобласти а их рабочие точки находятся наомических ветвях вольтамперных характерис-тик. Пря поступлении на управляющий элек 1 род элемента 1 запускающего импульса с длительностью, меньшей пролетного времени 1 О домена, в прикатодной области элемента 1формируется домен сильного поля, которыми распространяется к аноду, Достигнув области перемычки 3, он распространяется по ней в прикатодную область элемента 2 15 где в свою очередь формируется домен сильного поля. Длительность импульса на резисторе 5 определяется длиной элемента 2, а его 2 О задержка относительно импульса запуска определяется расстоянием между катодом элемента 1 и перемычкой 3. формула изобретенияРегенеративная линия задержки, содержащая трехэлектродный элемент Ганна, вприкатодной области которого включен утравляюший.электрод, соединенный черезразделительный конденсатор с источникомвходных сигналов, и двухэлектродный элемент Ганна с цепями их смешения, о тл и ч а ю ш а я с я тем, что, с цепьюосуществления задержки импульсов субнаносекундного диапазона на величину, превышающую длительность входного сигнала,повышения точности и стабильности этойзадержки, прианодная область трехэлектродного элемента Ганна соединена перемычкойс прикатодной областью двухэлектродногоэлемента Ганна.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:
СмотретьЗаявка
1956447, 13.08.1973
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Р-6609
СОБОЛЕВ ЮРИЙ АЛЕКСЕЕВИЧ, АНАНЯН МИХАИЛ АРСЕНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H03H 7/30
Метки: задержки, линия, регенеративная
Опубликовано: 25.07.1977
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-566307-regenerativnaya-liniya-zaderzhki.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Регенеративная линия задержки</a>
Элемент задержки
Номер патента: 1762396
Опубликовано: 15.09.1992
Авторы: Огородников, Попов
МПК: H03K 5/13
...цепи 1. Таким образом, на инверсном выходе первого порогового элемента 2 формируется сигналобратной полярности, задержка фронта ко 45 торого зависит от уровня управляющего напряжения Оу на инверсном входе первогопорогового элемента 2 и постоянной времени первой времяэадающей цепи 1,Сигнал, прошедший через вторую вре 50 мязадающую цепь 3 на прямой вход второго;юрогового элемента 4, будет иметь фронттн 1 с длительностью, определяемой второйвремязадающей цепью 3,Сигнал на выходе формирователя 9 вы 55 ходного сигнала имеет регулируемые фронты Кн и тн 1, причем задержка фронтаопределяется постоянной времени первойвремязадающей цепи 1 и уровнем управляющего напряжения Оу на инверсном входепервого порогового элемента 2, задержкафронта Кн...
Элемент задержки
Номер патента: 563699
Опубликовано: 30.06.1977
МПК: H01G 9/22
...например, в виде пористого меаа, полненного электролитом; в виде металлического капилляра, заполненного электролитом; в виде стеклянного капилляра с электролитом и вставленным проволочным электродом; в виде тонкой пленки электролита на поверхности металла и т.п,Механизм переноса ионов в слоистой структуре существенно отличается от диффузионного, используемого в известном элементе, Перенос реагента (в случае йод-йодидного электролита ионов 1 з-) вдоль металлической поверхности осуществляется электрохимической реакцией под действием концентрационной ЭДС. Скорость переноса определяется концентрацией реагента и объемным сопротивлением слоя электролита. Металло-электролитическая слоистая структура по электрическим свойствам аналогична...
Элемент задержки потенциальных сигналов
Номер патента: 731568
Опубликовано: 30.04.1980
Авторы: Кабанов, Поволоцкий
МПК: H03K 5/13
Метки: задержки, потенциальных, сигналов, элемент
...1 открывается транзистор 2, который затем открывает транзистор 3, Начинается заряд конденсатора 11 через резистор 7 и открытый транзистор 3. Прн этом на выходе 1 логического элемента 1 формируется третье логическое состояние вы 1(лючсно, таккак базовые выводы транзпсторов 5 и 4 шунтпрованы конденсатором 11 и оба эти транзисторы находятся одновремс 1 шо в закрытом состоянии.После заряда конденсатора 11 до потенциала отпирания транзистора 5, последний открывается, а транзистор 4 остается в закрытом сОстОянии. На евыхсде 1элемента 1 формируется отрицательный перепад напряжения, соответствующий состоянию лог. 0. При подаче отрицательного пере. пада напряжения на вход элемента 1 происходит разряд конденсатора 11 через открытьш диод 13,...
Элемент задержки
Номер патента: 734877
Опубликовано: 15.05.1980
Автор: Хотянов
МПК: H03K 19/08
...б была в несколько раэбольше времени спада входного сигнала (который йа практике может отличаться от ступенчатого). Потенциалзатвора транзистора 5 спадает за счетемкостной связи до уровня 0 макс.С)по о - (Пб., -П 8.О.);Ц ( нижеуровня Е этот потенциал упасть не моижет, так как за счет прямого смещенияр-п-перехода, соответствующего диффузионной области истока МДП-транзистора б, подключенного к затвору прибора 5, произошло бы ограничЕние потенциала) . После окончания спада входногосигнала (момент С) напряжение назатворе транзистора 5 начинает нара-. " стать за счет перезаряда кондейсатЬра 8 через последовательно соединен" ныетранзисторы б, 2, стремяськ уровню Е - У . При этом до тех пор,-покаэто напряжение остается меньше йорога1) (т. е,...
Элемент задержки
Номер патента: 517151
Опубликовано: 05.06.1976
Автор: Грунде
МПК: H03K 5/13
...этносится к импульснэй технике и может быть использовано в схемахформирователей импульсов, в частности,для формирования задержанных импульсныхсигналов,Известен элемент задержки потенциальных сигналовсодержащий элемент "И-НЕфтранзисторно-транзисторной логики, к одному из входов которогэ подключена времязадающая диодно-конденсатэрная пэследовательная цепь.Цель изобретения - увеличение быстрэдествия устройства и повышение стабильности рывается транзистор 2, кэтэрьй затемоткрывает транзистэр 3. Начинается заряд кэнденсатэра 11 через резистор 7 и эткры тый транзистор 3. При этом на выходе лэ гическэгэ элемента 1 создается высокийпотенциал, так как транзистэо 4 остается открытым, а транзистор 5 - закрытым.После зарядки кэнденсатэра 11 дэ...
Предыдущий патент: Режекторный фильтр
Следующий патент: Акустический фильтр сжатия частотномодулированного сигнала
Случайный патент: Устройство для прессования порошка