Способ нанесения электрических зарядов на диэлектрическую пленку

Номер патента: 903327

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Домрачев, Маресов, Морозов, Петров, Слушков

МПК: C03C 25/38

Метки: волокна, диэлектрические, металлического, нанесения, покрытия

...созцание вакуума и перегрева пучка волокон цо температуры выде температуры разложения исходного МОС М на 100-300 С оказывается цостаточным, чтобы подготовить поверхность волокна. Испарение МОС за счет тепдонзлучения от прецварительно нагретого волокна, Я находящегося в непосрецствеиной близости от конденсированной фазы разлагаемого МОС, обеспечивает преимушество в 7том, что отпадает необхоаимость применять цополнитедьно испаритель и систему поцвоца паров МОС в зону разложения. Таким образом, цве операции (испарение МОС и металлизация) сводятся в оцну.Прецварительный нагрев волокна цо температуры выше 500 ОС (соответствует перегреву волокна цо температуры выше температуры разложения МОС на 300 С) привоцит к деструкции волокна и оно...

Номер патента: 1746214

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Антонюк, Пищаль

МПК: G01B 11/06

Метки: нанесения, пленки, процессе, толщины

...преломления которого отличен от показателя преломления материала образца, а показатель поглощения близок к нулю, падающее линейно поляризованное монохроматическое излучение при отражении преобразуется в общем случае в эллиптически поляризованное излучение, так как разность фаз Р- и Б-компонент отраженного излучения не равна 2 г(или О), причем степень эллиптичности и направление большой оси эллипса определяется оптической толщиной слоя веществаПараметры эллиптической поляризации отраженного излучения могут быть определены из уравнения, описывающего относительный коэффициент отражения рлинейно поляризованного излучения длиной волныпадающего под углом о на слой вещества из окружающей средыГ 01 + Е Е Г 12 ТФ - 2 д 2 -1 + е с Г 01 Г 2 р...

Номер патента: 957070

Опубликовано: 07.09.1982

Авторы: Мороз, Сабаев, Сабаева, Смирнов

МПК: G01N 19/04

Метки: нанесенных, пленок, подложки, покрытий, прочности

...подложки по замыканию электрической цепи, по которому судят о разрушении.На чертеже показана схема реализации предлагаемого способа.Способ осуществляют следующим образомНа испытуемую непроводящую пленку или покрытие 1, нанесенное на токо- проводящую подложку 2 одним из из вестных способов, воздействуют струей 3 токопроводящей жндкости,подава957070 формула изобретения компрессе тель В.СвЛ.Пекарь 87 ного коми НИЙ И ОТК Раушская Составзориз Техред ридов КорректорО.Била Редактор А.К каз 6586/3 ВНИИ по 113035Тираж Государстве елам изобрет Москва, ЖПодписноета СССРытийнаб., д.4/5 лиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4 емой под давлением из камеры 4 давления с манометром 5 При этом токо- проводящую подложку 2 соединяют с одним из выходов...

Номер патента: 183276

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Марков, Сокол

МПК: G01D 5/58, G01R 13/38

Метки: магнитоэлектрического, оптическая, осциллографа

...на фиг, 2 - расположение зайчиков, образуемых в плоскости поля пленки тремя лучами.Три параллельных пучка лучей 1, 2 и 3 20 (это может быть достаточно широкий пучок параллельных лучей) попадают на зеркала 4, 5 и б и отражаются от них таким образом, что все три пучка пересекаются на плоскости зеркала , которое является подвижным зер калом вибратора. Отразившись от зеркала , лучи (теперь они обозначены пунктирными линиями и цифрами 1, 2 и Т соответственно) движутся, как обычно, к плоскости поля пленки осциллографа. При этом лучи расхо- з 0 Последнее достигается правилы ым взаимным расположением зеркал 4, 5, 6 и .Следует отметить, что пути каждого пз трех лучей 1-1 2-2, 3-3 точно такие яе, как г, существующих оптических системах...

Номер патента: 995016

Опубликовано: 07.02.1983

Автор: Пронин

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, диэлектрической, локальной, области, пленок, полупроводниковых, проницаемости

...расположены над исследуемой пленкой б на подложке 7,Устройство работает следующим образом.В исследуемой области пленки из,вестной толщины наносится локальныйзаряд Чр с помощью коронирующегоэлектрода 2 и блока 1. Заряженнаяобласть транспЬртируется под измери.тельным электродом 3, размеры которого боЛьше расстояния до заземленной подложки 7, так, что справедливо приближение плоскопараллельногослоя,Далее измеряются индуцированныена электроде 3 заряды при расстояниях от него до поверхности пленкиЬ и Ь 2 соответственно и вычисляется значение диэлектрической проницаемости в области, расположенноймежду локализованным зарядом и подложкой.В общем случае заряд, индуцирован,ный на измерительном электроде, определяется соотношением1 (х у )(фх у...