Оптическое устройство

ци 11 561924 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН И Я К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик61) Дополнительное к авт. свцд-ву22) Заявлено 14,01.76 (21) 2313014/10с присоединением заявки51) М Кп6 02 В 5/2 Государственный комитет Совета Министров СССР(23) ПрцорцтетОпубликовано 15,06.77, Бюллетень22Дата опубликования описания 20.07.77 УДК о делам изобрет и открытий 88.8) Автор ельсон, Ш ман и Н. М. Слотина оо етсн аявцтель СТРОЙ СТВО 54) ОПТИЧЕС Изобретение относится к оптическому приборостроению, а точнее, к оптическим элементам приборов и может быть использовано в системах, работающих в узких спектральных областях, применяемых в квантовой электронике, спектроскопии, космических исследованиях и т. п.Известны оптические системы, работающие в относительно узком спектральном интервале, содержащие оптические элементы, например линзы, призмы и т. п., коэффициент отражения наружных поверхностей которых на рабочей длине волны 7 должен быть близким к нулю, Иными словами, поверхности этих оптических элементов должны быть просветлены для 7 оОбычно поверхности просветляют путем нанесения тонкослойного покрытия, состоящего из пленок диэлектриков, Снижение отражения на границе поверхность подложки (оптической детали) - воздух достигается выбором конструкции покрытия, т. е. выбором числа пленок, их толщин и показателей преломления.Известные конструкции просветляющих покрытий состоят из пленок, оптические толщины которых кратны четверти длины волны, расположенной в середине спектрального интервала, в пределах которого снижается коэффициент отражения (1, 2). Ъ казанные тонкослоиные покрытия снижают коэффициенты отражения Я в заданноминтервале длин волн, например, в видимойчасти спектра до величин Л:0,5 - 1,0 о/о. Од 5 нако область, где достигаются такие относительно низкие значения Л, не велика, Отношение длины волны, характеризующей верхнюю границу зоны просветления, к длине волны, характеризующей нижнюю границу, пе10 превосходит 1,5 - 2,0, Вне такой области величина Л покрытия превосходит иногда оченьсущественно отражение от чистой подложки.Известны оптические устройства, содержащие подложку с нанесенным тонкослоцным15 покрытием, состоящим из пленок диэлектриков с коэффициентом отражения, близким кнулю для рабочей длины волны 7.0. К такимустройствам относятся, в первую очередь, конструкции с двухслойным просветляющим по 20 крытием (3).Существенныц недостаток двухслойных просветляющих покрытий, так хке как и любыхдругих тонкослойных конструкций, предназначенных для получения Я(7,о) - О, заключается25 в том, что они не позволяют получать малыйкоэффициент отражения для процзвольноц заданной длины волны 7 , особенно если онаотличается от 7.0 более чем в 2 раза,Для получения коэффициента отражения,30 близкого к нулю для другой заданной длиныПодписиоССР Тираж 633Совета Министри открытийская наб., д, 4/5 Изд.551 И Государственного комитет по делам изобретений 113035, Москва, Ж, Раушаказ 163/3ЦНг ипография, пр. Сапунова, 2 волны 7 при сохранении оптических параметров при 7.ю в предлагаемое устройство, содержащее подложку с нанесенным тонкослойным покрытием, состоящим из пленок диэлектриков с коэффициентом отражения, близким к нулю для рабочей длины волны 7 ю, введена дополнительная интерференционная система, имеющая коэффициент отражения, близкий к нулю на длине волны 7 ю, а между тонкослойным покрытием и дополнительной интерференционной системой расположен слой диэлектрика, прозрачный при 7 ю и 7, толщина которого в сумме с разностями хода, вызванными скачками,фаз на его границах, кратна 0,5 7,.На чертеже показан разрез предлагаемого оптического устройства, состоящего из подложки 1, тонкослойного покрытия 2, слоя диэлектрика 3 и дополнительной интерференционной системы 4.Устройство представляет собой подложку 1, на которой расположено тонкослойное покрытие 2 из пленок диэлектриков. Показатель преломления п подложки 1 имеет значения пю для длины вол 7.ю и пи, Тонкослойное крытие 2 состоит из чередующихся пленок с высокими пюв и ии низкими пюн и ин показателями преломления для Хю и 7. соответственно. Конструкция покрытия 2 (т. е. количество и толщина входящих в пего пленок, а также вещества, их образующие) выбраны таким образом, что его коэффициент отражения Л (Хю) =О для луча, падающего из среды, имеет показатель преломления такой же, как показатель преломления слоя диэлектрика 3. Оптическое устройство, содержащее подложку с нанесенным тонкослойным покрытием, состоящим из пленок диэлектриков с10 коэффициентом отражения, близким к нулюдля,рабочей длины волны 7,ь о т л и ч а ю щ е ес я тем, что, с целью получения коэффициентаотражения, близкого к нулю для другой заданной длины волны 7., при сохранении опти 15 ческих параметров при 7 ю, введена дополнительная интерференционная система, имеющая коэффициент отражения, близкий к нулю на длине волны Хю, а между тонкостеннымпокрытием и дополнительной интерференцион 20 ной системой расположен слой диэлектрика,прозрачный при 7.ю и Х, толщина которого всумме с разностями хода, вызванными скачками фаз на его границах, кратна 0,57.,Источники иноформации, принятые во вни 25 мание при экспертизе:1. Патент СШЛ3176575, кл. 88 - 1,1965 г.2. Патент Англии932849, кл. С 23 с,1958 г,30 3, И. В. Гребенщиков и др., Просветлениеоптики, М. - Л. Тостехиздат, стр, 71 - 77,1946 г, (прототип).