Способ отбраковки оксидно-полупроводниковых конденсаторов

Номер патента: 560264

Авторы: Копач, Михлин, Палатник, Поздеев, Скатков

ZIP архив

Текст

О П И С А Н И Е р 560264ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сюз СоветскихОцяпнстнн:"снихРЙО 3 бпик(22) Заявлено 25.04.75 (21) 2128429/21 1) М. Кл."- Н 016 9/2 с присоединением заявки23) Приоритетпубликовано 30.05.77, Бюллетень20ата опубликования описания 29.06.77 осудврственнын комитетСовета Мнннстров СССРпо делан изобретенийи откр пей 53) УДК 621,319,4относится к электроннои пр Изобретениео. мышленности.Известен способ изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов, включающий формовку спеченных анодов, нанесение полупроводникового слоя, тренировку (электротренировку и термоэлектротренировку) в обычных условиях, а затем герметизацию конденсатора 1,Часть конденсаторов, имеющих удовлетворительные электрические характеристики после изготовления, при эксплуатации отказывают вследствие резкого увеличения тока утечки, т. е. отбраковка потенциально ненадежных конденсаторов недостаточно эффективна.Цель изобретения - повышение эффективности отбраковки.Это достигается тем, что по предлагаемому способу отбраковки оксидно-полупроводниковых конденсаторов конденсаторы перед тренировкой подвергают вакуумной суцке при одновременной подаче на них напряжения обратной полярности и производят предварительное измерение токов утечки в вакууме при напряжении прямой полярности.П р и м е р. 50 ниобиевых оксидно-полупроводниковых конденсаторов номинала 20 вХ р,47 мкф сушили при комнатной температуре под вакуумом 1 10- торр в течение 0,5 час, подавая напряжение обратной полярности минус 1 в, после чего в вакууме измерялиток утечки при номинальном напряжениипрямой полярности плюс 20 в. Ток утечкидвух конденсаторов превысил 100 мка, у остальных - не более 15 мка. Тренировку ипоследующие операции выполняли известнымспособом.После изготовления все конденсаторы удовлетворяли техническим условиям, в том числе0 и два отмеченных образца, ток утечки которых при нормальном атмосферном давлениине превышал 10 - 15 мка. При испытании нанадежность в номинальном режиме (испытательное напряжение равно номинальному,5 чемпература - плюс 85"С после 1000 час),ток утечки двух отмеченных образцов превысил 500 мка, у остальных - не более 15 мка.Формула изобретенияО Способ отбраковки оксидно-полупроводниковых конденсаторов, включающий тренировку конденсаторов и последующее измерениетоков утечки, отличающийся тем, что, сцелью повышения эффективности отбраковки,25 перед тренировкой конденсаторы подвергаютвакуумной сушке при одновременной подачена них напряжения обратной полярности ипроизводят предварительное измерение токовутечки в вакууме при напряжении прямой33 полярности,560261 Составитель П, ЛягниТехред И. Карандашова Корректор О. Тюрина Редактор Е. Караулова Заказ 1393/11 Изд. Хз 491 Тираж 992 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе; 4 1, Закгейм Л. Н, Электролитические кон. денсаторы. М., 1963, с. 229 - 232,

Смотреть

Заявка

2128429, 25.04.1975

ПАЛАТНИК ЛЕВ САМОЙЛОВИЧ, КОПАЧ ВЛАДИМИР РОМАНОВИЧ, СКАТКОВ ИЛЬЯ БОРУХОВИЧ, МИХЛИН ВЛАДИМИР САУЛОВИЧ, ПОЗДЕЕВ ЮРИЙ ЛЕОНОВИЧ

МПК / Метки

МПК: H01G 9/00

Метки: конденсаторов, оксидно-полупроводниковых, отбраковки

Опубликовано: 30.05.1977

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-560264-sposob-otbrakovki-oksidno-poluprovodnikovykh-kondensatorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ отбраковки оксидно-полупроводниковых конденсаторов</a>

Похожие патенты