Устройство выборки и хранения

ОП ИСАНИ Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ СОюз СоветскихСоциалистическихРеспублик(22) Заявлено 15.07.80 (21) 2958837/18-21с присоединением заявки Рй(51)М. Кл. Н 03 К 17/60 Веударстюиый "кенитет СССР ао делан иаабретеииЯ и еткрытиЯ5 З) Уф 1 621. .382(088,8) Дата опубликования описания 30,04.82с;А . И . Ильянок , В . Н . Зеленко, И , Д . Раков и В . Е , ЯмкойБелорусский ордена Трудового Красного Знамеий ,.государственный университет им . В . И . Ленина . ф ,и Специальное конструкторско-технологическое бюрос опытным производством при Белорусском государственномунйверситете им . В . И . Ленина(54) УСТРОЙСТВО ВЫБОРКИ И ХРАНЕНИЯ Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно к электронной коммутационной и изме-. рительной технике, и может быть использовано, например, при построе" нии быстродействующих аналого-цифроВ вых преобразователей.Известны устройства выборки и хра" нения, содержащие дифференциальный каскад на транзисторах, токовые пе" реключатели, источники тока и истоковый повторитель 1 .Недостатками этих устройств являются низкая точность передачи и малое время хранения входного сигнала.Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является устройство выборки и хранения, со" держащее весть биполярных транзисто" ров, ИДП-транзистор, два источника тока, стабилитрон и конденсатор, база первого и база второго биполярных транзисторов, объединенные эмиттеры которых подключены к коллектору третьего биполярного транзистора, соединены с входной и выходной шинами устройства соответственно, базы третьего и четвертого биполярных транзисторов, объединенные эмиттеры которыхчерез первый источник тока подключе- .ны к первой вине источника питания,соединены с винами управления, базапятого биполярного транзистора подключена к коллектору этого транэисто"ра, объединенные эмиттеры пятого ишестого биполярных транзисторов ба"зы которых объединены, подключены ковторой шине источника питания, коллектор второго биполярного транзисто-.ра соединен с затвором ИДП-транзисто"ра и через конденсатор подключен кобщей шине, между истоком ИДП-транзистора, сток которого подключен ко второй шине источника питания, и первойшиной источника питания включены последовательно соединенные стабилитрони второй источник тока, точка соеди 3 92486 нения которых подключена к выходной шине устройства 2 1.Недостатком известного устройства является низкая точность передачи входного сигнала, 5Цель изобретения - повышение точности передачи входного сигнала. Цель достигается тем, что в устройство выборки и хранения, содержа Ощее шесть биполярных транзисторов,МДП-транзистор, два источника тока,стабилитрон и конденсатор, база пер,вого и база второго биполярных транзисторов, объединенные эмиттеры которых подключены к коллектору третьегобиполярного транзистора, соединеныс входной и выходной шинами устройства соответственно, базы третьего ичетвертого биполярных транзисторов,объединенные эмиттеры которых черезпервый источник тока подключены к первой шине источника питания, соединены с шинами управления, база пятого5биполярного транзистора подключенак коллектору этого транзистора, объединенные эмиттеры пятого и шестогобиполярных транзисторов, базы которых объединены, подключены ко второйзошине источника питания, коллектор второго биполярного транзистора соединен с затвором МДП-транзистора и через конденсатор подключен к общейшине, между истоком МДП-транзистора,сток которого подключен ко второйшине источника питания, и первой шиной источника питания включены последовательно соединенные стабилитрони второй источник тока, точка соединения которых подключена к выходнойшине устройства, введены первый ивторой дополнительные биполярныетранзисторы, эмиттер, база и коллектор первого дополнительного биполярного транзистора соединены соответственно с коллектором первого биполярного транзистора, с истокомМДП-транзистора и с коллектором пятого биполярного транзистора, эмиттер, база и коллектор второго допол Онительного биполярного транзисторасоединены соответственно с коллектором четвертого биполярного транзистора, с выходной шиной устройства исо второй шиной источника питания, 55коллектор шестого биполярного транзистора подключен к затвору МДП-транзистора,2На чертеже приведена принципиальная схема, иллюстрирующая пример конкретной реализации устройства,Устройство выборки и хранения содержит первый 1, второй 2, третий 3, четвертый 4, пятый 5, шестой 6 биполярные транзисторы, первый 7 и второй 8 дополнительные биполярные транзисторы, первый 9 и второй 10 источники тока, МДП-транзистор 11, стабилитрон 12, конденсатор 13.Исток МДП-транзистора 11 через последовательно соединенные стабилитрон 12 и источник 10 тока подключен к первой шине 14 источника питания, а сток этого транзистора соединен со второй шиной 19 источника питания, База транзистора 1 соединена с входной шиной 16, а база транзистора 2 подключена к выходной шине 17. Базы транзисторов 3 и 4 соединены с шинами 18 и 19 управления.Транзисторы 1 и 2. включены по схеме дифференциального усилительного каскада, транзисторы 3 и 4 играют роль токовых переключателей, а транзисторы 5 и 6 включены по схеме отражателя тока.1Устройство функционирует следующим образом.В режиме выборки на шины 18 и 19 подаются управляющие сигналы, открывающие транзистор 3 и закрывающие транзистор 4, При этом обесточивается транзистор .8 и запитываются транзисторы 1 и 2 дифференциального каскада. В этом режиме устройство работает как обычный усилитель с входным дифференциальным каскадом на транзис-. торах 1 и 2, нагрузкой которого служит отражатель тока на транзисторах 5 и 6, а в эмиттерную цепь которого включен источник 9 тока. Для уменьшения влияния сопротивления нагрузки на коэффициент усиления дифференциального каскада на его выходе включен истоковый повторитель на МПД-транзисторе 11, к истоку которого подключен транслятор уровня - стабилитрон 12, предназначенный для смещения потенциала выходной шины 17 по отношению к потенциалу затвора транзистора 11, при передаче сигналов отрицательной полярности. Это необходимо во избежание насыщения транзистора 2. Источник 10 тока служит нагрузкой истокового повторителя и обеспечивает смещение между затвором и истоком транзистора 11, равное напряжению базаэмиттер транзистора 7.В режиме хранения на шины управления 18, 19 подаются сигналы, закрывающие транзистор 3 и открывающие транзистор 4. При этом обесточивают" ся транзисторы 1 и 2 дифференциального каскада и транзисторы 5 и 6 отражателя тока, так как ток через транзистор 1 становится равным нулю. В Обратная связь размыкается, при этом напряжение на конденсаторе 13 фиксируется на уровне, непосредственно предшествующем переходу а режим хранение. Одновременно с закрыванием транзистора 2 и транзистора 7 откры" вается транзистор 8, что обеспечивает неизменность ответвления тока от выходной шины 17 при переходе от режима выборки к режиму хранения. По- ф этому ток, протекающий через МДП-транзистор 11, не меняется и скачок напряжения на выходной шине 17 при переходе к режиму хранения незначителен.Положительный эффект предлагаемо го устройства заключается в повышении точности передачи входного сигнала и обеспечивается включением вы" .шеописанным образом дополнительных,биполярных транзисторов. В режиме вы" зо борки повышение точности передачи входного сигнала обеспечивается тем, что мощности, рассеиваемые на коллекторах транзисторов 1 и 2 дифференциального каскада, равны. Это обеспечивает эквивалентные температурные режимы этих транзисторов и исключает дополнительное напряжение смещения, оказывающее отрицательное влияние на точность передачи входно- щ го сигнала. При переходе от режима выборки к режиму хранения благодаря рпределенйым образом включенному транзистору 8 практически отсутствует скачок напряжения на выходной ши- э не 17, что,также ведет к повышению точности передачи входного сигнала.формула изобретенияУстройство выборки и хранения, содержащее шесть биполярных транзисторов МДП-транзистор, два источника тока, стабилитрон и конденсатор, база первого и база второго биполярных транзисторов, объединенные эмиттеры которых подключены к коллектору третьего биполярного транзистора,соединены с входной и выходной ши"нами устройства соответственно, базы третьего и четвертого биполярныхтранзисторов, объединенные эмиттерыкоторых через первый источник токаподключены к первой шине иточникапитания, соединены с шинами управления, база пятого биполярного транзистора подключена к коллектору этого транзистора, объединенные эмиттеры пятого и шестого биполярныхтранзисторов, базы которых объединены, подключены к второй шине источ- ника питания, коллектор второго биполярного транзистора соединен с затвором МДП-транзистора и через конденсатор подключен к общей шине,между истоком МДП-транзистора, стоккоторого подключен к второй шине источника питания, и первой шиной источника питания включены последовательно соединенные стабилитрон ивторой источник тока, точка соединения которых подключена к выходнойшине устройства, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью повышения точности передачи входного сиг"нала, в него введены первый и второй дополнительные биполярные транзисторы, эмиттер, база и коллекторпервого дополнительного биполярноготранзистора соединены соответственно с коллектором первого биполярного транзистора, с истоком МДП-транзистора и с коллектором пятого бипопярного транзистора, эмиттер, базаи коллектор второго дополнительногобиполярного транзистора соединенысоответственно с коллектором четвертого биполярного транзистора, с выходной шиной устройства и с второй шиной источника питания, коллектор шестого биполярного транзистора подключен к затвору МДП"транзистора.Источники информации,принятые во внимание ири экспертизеПатент США й 3694668,кл. 307-235, 19722. Авторское свидетельство СССРпо заявке й 2807883/18-21,кл. Н .03 К 17/60, 1919.924862 Составитель В. НефедоМ. Янович Техред М,Надь Корректор А Ре аказ 283 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектна Гираж 954ИПИ Государствено делам изобретеМосква, Ж,Подписное го комитета СССР й и открытий ущская наб., д. 4/5