Микротермостат для интегральных схем

Номер патента: 514278

Авторы: Гаджиев, Гарибов, Гусейнов, Мамедов

ZIP архив

Текст

" ИЖО П И С А Н Йп 11 54278ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ олнительное к авт. свид-ву 22) Заявлено 05.05.74 (21) 2023786/2присоединением заявки23) Приоритет 51) Ч. Кл 5 О 23/3 Государственный комитет Совета Министров СССР ао делам изобретенийи открытий Опубликовано 15.05.7 Дата опубликования ь53) УДК 536.582,08:621(71) Заявител 54) МИКРОТТЕРМОСТАТ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЪНЪХ СХ Формула изобретен ат для интегральных схем, соус с расположенными в нем ратуры, регулятором и нагревающийся тем, что, с целью юсти регулирования, в нем в лен кольцевой транзисторный отверстии которого размещены туры и регулятор. кротермос ащий корп иком темпе чем, отл и щения точ усе установ еватель, в ик темпера.Ь держ да 1 ч вате новь кори нагр датч транзистортверстие б, ого Выполом планар- транзистора помещеИзооретение относится к радиоэлектронной аппаратуре и может быть использовано для стабилизации температуры полупроводниковых структур.Известны микротермостаты для интегральных схем, содержащие корпус с расположенными в нем датчиком температуры, регулятором и нагревателем, Известны также способы стабилизации температуры полупроводниковых структур с использованием технологии интегральных схем: например с использованием теплонроводящей пластины для размещения кристаллов нагревателя, датчика и статируемого объекта, а также с созданием статируемого объекта в едином блоке монокристалличсского полупроводника с устройством термостата.Цель изобретения - повышение точности регулирования температуры. В описываемом микротермостате это достигается тем, что в его корпусе установлен кольцевой транзисторный нагреватель, в отверстии которого размещены датчик температуры и регулятор.На чертеже показан описываемый микротер моста т.Он имеет корпус 1, кольцевойный нагреватель 2, отверстие а и оВ микротсрмостате, корпус которнен из кристалла кремния, методной технологии создан кольцевойный нагреватель 2, а в отверстии ны датчик температуры и регулятор (на чертеже не показаны). В отверстии б помещается термостатируемая схема, Размеры отверстия б определяются габаритами кристалла термо статируемой схемы и вытравливаются в кристалле микротермостата симметрично отверстию а. После размещения термостатируемой схемы в отверстие, его и нагреватель заливают элсктроизоляционной и теплопроводной 10 пастой, например, на основе ВеО. В результате расположения датчика температуры, регулятора и термостатируемой интегральной схемы в одном объеме внутри нагревателя исключается уход температуры статирования 15 нз-за отсутствия разности температурных режимов датчика и статируемого объекта и теплового потока между разнонагретыми элементами, т. е, градиент температуры в статируемой интегральной схеме сводится к мини ю му.514278 ставнтель О, ИскендеТекред 3 Тараненко рректор Е. Жаворонко Изд, Ле 1360 осударственного по делам из 113035, Москва, ЖЗаказ 1352/15ЦНИИПИ Г Типография, пр. Сапунова, 2 актор Л, Тюрин Тиражкомитета Советаоретений и открыти35, Раушская наб 1029Министройд. 4, 5 ПодписноеСССР

Смотреть

Заявка

2023786, 05.05.1974

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-8560

ГАДЖИЕВ НАМИК ДЖАФАР ОГЛЫ, ГАРИБОВ МАХМУД АХВЕРДИ ОГЛЫ, ГУСЕЙНОВ НЕИМАТ ЛУТФУЛЛА ОГЛЫ, МАМЕДОВ ДЖАМАЛ ШУКУР ОГЛЫ

МПК / Метки

МПК: G05D 23/30

Метки: интегральных, микротермостат, схем

Опубликовано: 15.05.1976

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-514278-mikrotermostat-dlya-integralnykh-skhem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Микротермостат для интегральных схем</a>

Похожие патенты