Способ изготовления подшипникового материала

Номер патента: 1770934

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Зимин, Николаев, Пузанов, Черноярский

МПК: G01W 1/00

Метки: атмосфере, аэрозольных, наличия, слоев

...рассеивающей среды и ее параметрами, в частности с толщиной рассеивающего слоя.Целью изобретения является обеспечение возможности селекции аэрозольных слоев по толщине.Эта цель достигается тем, что контролируемую среду облучают импульсным источником излучения, длительность которого т достаточно мала и удовлетворяет условию 5 10 15 20 25 30 35 40- , (1)бС где Ь - прдполагаемая толщина аэрозоль- ного слоя,с - скорость распространения излучения,и производят регистрацию рассеянного излучения во всем диапазоне углОв рассеяния. В ходе регистрации рассеянногои излучения определяют ориентацию плоскости поляризации и по изменению этой ориентации судят о наличии аэрозольных слоев с толщиной, превышающей Ь .По сравнению с прототипом...

Номер патента: 778530

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Белов, Глазов, Креков

МПК: G01C 3/08, G01W 1/00

Метки: атмосфере, геометрической, рассеивающего, слоя, толщины

...модуляции принятого рассеянного излучения и частоте модуляции посылаемого излучения судят о толщине рассеивающего слоя,зоне длин волн - ( 1-22, где .1 - 2 пред- :а. полагаемый диапазон измеряемых толщин рассеивающих слоев; А - коэффициент запаса, и об искомом параметре судят по 3 относительному изменению глубины модуляции и частоте модуляции, СоЗависимость относительного коэффи- (Я циента глубины модуляции отраженного (рассеивающей средой излучения от частоты модуляции описывается следующим образом. При малых частотах относительная глубина модуляции стремится к единице (т,е, рассеивающая среда практически не иска- ф жает модуляции), при больших частотах относительная глубина модуляции отраженного сигнала стремится к нулю (т. е. среда...

Номер патента: 130184

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Глазунов, Гуревич, Дидковский, Крючков, Матвеев, Морозов, Подвойский, Ронжин, Шалимов, Ясинский

МПК: C22B 34/12, C22B 4/08

Метки: атмосфере, дуговой, защитной, кристаллизатор, плавки, слитков, слоем, титановых, флюсов

...приперемещения. Электроды 3 могут перемешаться влении,Разрежение в рабочем пространстве печи осушгци форвакуумного насоса б. Засьщка флюса в крствляется дозатором 7, прикрепленным к стенке к ля электрошлаковой защитной атмосфе 1 н водят к иеоднород.к излишним потерям ть пол 1 чг 1 ть плоск 1 еродного хнмическог11 е один, как обыч 5 ни переменного тока. вого плавильного агтной листовой стали, Кписталлизатор 4 выпрямоугольного сечеч 51 заправки элсктроопускаться вниз. о- в сторонх. Подъем,1 помощи механизма з вертикальном напраеествляется ири помэисталлизатор осушсорпса печи. КРИСТАЛЛ ИЗАТОР ДЛЯ ЭЛЕКТРОШЛАКОВОЙ,ПЛАВКИ ТИТАНОВЫХ СЛИТКОВ В ЗАЩИТНОЙ АТМОСФЕРЕ ПОД СЛОЕМ ФЛЮСА)х 1301 Ь 4 Злектропитание производитс 5 переменным током...

Номер патента: 773556

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Потапов, Шефов

МПК: G01W 1/00

Метки: атмосферы, верхней, высоты, излучающих, слоев

...(в течение десятков минут)вариациях высоты излучающего слоя,Цель изобретения - упрощениеи повышение оперативности определения высоты излучающего слоя,Указанная цель достигается темчто точку пересечения направленийизмерения выбирают заведомо вышеизлучающего слоя, а в одном изпунктов дополнительно ведут измерения в Фиксированном направлении,лежащем в плоскости двух других16направлений измерения, и по отношению интерналон времени между моментами регистрации одних и тех жевариаций интенсивности по трем направлениям судят об искомом параметре.На чертеже схематически поясняетсяспособ,Для его реализации используютсятри прибора, находящиеся в двух пунктах на расстоянии Ь (до 150-200 км)друг от друга . Оптическая ось Л,прибора, находящегося...

Номер патента: 1678195

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Густав, Кай, Фолке

МПК: B01J 8/24

Метки: газов, камеры, отделения, отходящих, псевдоожиженным, реактор, реакторной, слоем, твердой, топочных, фазе, циркулирующим

...основную часть твердого материала, в возвратные трубопроводы и для напоавления после изменения направления основной части газов в вихревую камеру. Канал в вихревую камеру и трубопровод возврата твердого материала располагаются в г 1 инию так, что твердый материал проходит из одного канала в другой, не меняя направления. Твердый материал, отделенный на стенках вихревой камеры, удаляется в возвратные трубопроводы через Отверстие 16 между направляющей и с 1 енками 7, Очищенный газ удаляется через трубу 11, проходящую внутрь вихревой камеры; часть 5 10 3 5 20 30 35 40 45 50 трубы 10, которая пзрагг 18 льна продольной оси вихревой камеры и оба конца которой открыты соединена с трубой 11.В конструкции, показанной на фиг,6 и 7, сегзрз 1...