Сканирующее устройство

(и) 503262 О ПИЗОБРЕТЕНИЯ Сове Советских Социалистических Рессебиин, Кл б 06 К 7,1 о 03.01.74 (21) 198485518-2 2) Заявл единением заявк с прис(23) ПриоритетОпубликовано 15,02.76. БюллДата опубликования описани сударственныи номитет вета Министров СССР о делам изобретений УДК 681,327(71) Заявител 54) СКАНИРУЮЩЕЕ УСТРОЙСТ ческ зГ Изобретение относится к приборостроению, в частности к системам оптической обработки информации, и может быть использовано в устройствах разложения изображения, устройствах, регистрирующих перемещение объектов с высокой точностью, следящих системах, устройствах, сравнивающих по амплитуде электрические сигналы, в системах модуляции световых потоков и т. д,Известны устройства, содержащие активный элемент с плоскопараллельными рабочими поверхностями и источник питания, использующие для разложения изображения в активных элементах домены сильного поля, например в кристаллах баАЬ, к которым приложено электрическое напряжение. В этих доменах возникает электро-оптический эффект . Поккельса, что, в конечном счете, приводит к модуляции светового потока в зоне действия этого домена. Так как домен движется по активному элементу; происходит последовательная модуляция светового потока изображения, спроектированного на активный элемент.Описываемое устройство с целью расширения области его применения содержит подмагничивающие катушки,:установленные на противоположных поверхностях активного элемента, выполненного в виде параллепипеда, и соединенные с источником питания, причем активный элемент выполнен из магнитооптитивного кристалла, напр езОпьСущность изобретения заключается в создании градиента намагниченности в магнито оптически активном кристалле и управлениизоной, где намагниченность кристалла равна нулю, - сканирующей зоной.На фиг. 1 изображено описываемое сканирующее устройство; на фиг. 2 - зависимость 10 намагниченности вещества активного элемента (М) и пропорционального ей фарадеевского вращения плоскости поляризации света (аф) в каждой точке д активного элемента.Устройство содержит активный элемент 1, 15 выполненный из магнитооптически активногокристалла, с плоскопараллельными рабочими поверхностями и расположенные на противоположных поверхностях активного элемента подмагничивающие катушки 2 с сердечником 20 из магнитомягкого материала и навитой нанего обмоткой, Катушки 2 соединены с источником питания 3.В катушки 2 от источника 3 подаются сигналы сканирования противоположной один 25 относительно другого полярности, напримернапряжение трапециедальной формы, При прохождении через активный элемент 1 поляризованного светового потока плоскость поляризации последнего поворачивается прямо 30 пропорционально намагниченности вещества5 ОЗ 262 Фиг, 1 т/и Составитель И. Сидорова Техред М. Семенов Корректор А. Дзесова Редактор Л. Тюрина Заказ 703/17 Изд.1098 Тираж 864 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 активного элемента, Так как полярность подмагничивающих полей, создаваемых катушками 2, различна, то в некоторой зоне активного элемента намагниченность будет равна нулю и поворота плоскости поляризации светового потока не будет (см, фиг. 2). В случае, когда подмагничивающие поля равны и противоположны по знаку, поворот плоскости равен нулю в центре активного элемента, если величина управляющего магнитного поля, например, правой катушки, возрастет, а левой - уменьшится, то зона, в которой намагниченность отсутствует, переместится от центра влево.Таким образом, регулируя амплитуду тока в подмагничивающих катушках, перемещают сканирующую зону по всему активному элементу.Разработка предложенного устройства выполнена на базе веществ с магнитными свойствами и прозрачными в видимом или инфракрасном диапазоне света и обладающих большим удельным фарадеевским вращением. Такие вещества в настоящее время уже существуют, например ферромагнетик тзГез 01, 5 обладающий удельным эффектом Фарадеясотни градусов на сантиметр,Формула изобретения1, Сканирующее устройство, содержащее ак тивный элемент с плоскопараллельными ра.бочими поверхностями и источник питания, отл и ч а ющ ее с я тем, что, с целью расширения области применения, оно содержит подмагничивающие катушки, установленные на 15 противоположных поверхностях активногоэлемента, выполненного в виде параллелепипеда, и соединенные с источником питания.2. Устройство по п, 1, отличающеесятем, что, активный элемент выполнен из маг нитооптически активного кристалла, например УЗГе 5012.