Устройство для определения интегралов типа свертки

Сова Советских Социалистическик Республик(22) Заявлено 16.07.74 (21) 2053361/1 1) М, Кл. С 06 д 7/19 с присоединением заявк Госудврственныи комитет Совета Министров СССР по делам изобретенийи открытий 3) Приорит Опубликовано 30,12.75. БюллетеньДата опубликования описания 23.03.7 53) 81.3(088,8)) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛОВ ТИПА СВЕРТКИИзобретение относится к устройствам аналоговой обработки информации в реальном масштабе времени и может быть использовано для фильтрации сигналов, распознавания образов, корреляционной обработки и т. д,Известно устройство для определения интегралов типа свертки, например корреляционных, выполненное в виде электронно-лучевой трубки, внутри которой на одной оптической оси установлены электронный прожектор для записи сигнала, модулятор, два пленочных электрода с нанесенными на них полупроводниковыми слоями, к которым подключены источники постоянного напряжения, и электронная проекционная система.Модуляция безынерционного полупроводникового слоя такого устройства по закону весовой функции с помощью движущегося оптического изображения требует использования прецизионных громоздких и недостаточно надежных оптнко-механических проекционных систем,В предлагаемом устройстве в качестве безынерционного слоя, осуществляющего формирование движущегося распределения напряжений, выбирается полупроводниковый слой, проводимость которого меняется под действием электронного пучка. При этом модуляция проводимости этого слоя по закону весовой функции осуществляется сканирующим электронным изображением высокой функции, сформированным электронно-луче.вой системой типа систем, применяющихся в диссекторе.5 Предлагаемое устройство отличается от известного тем, что содержит помещенную на оптической оси между пленочными электродами стеклометаллическую планшайбу, на один из торцов которой нанесен инерционный полу проводниковый слой с проницаемым для электронного луча электродом, а на другой торец нанесен безынерционный полупроводниковый слой с проницаемым для электронного луча электродом, причем модулятор выполнен в ви де мозаичного эмиттера электронов.На чертеже приведена схема предлагаемого устройства.Оно содержит два полупроводниковыхслоя - инерционный 1 и безынерционный 2, 20 нанесенных на торцы стеклометаллическойпланшайбы, представляющей собой стеклянную планшайбу 3, пронизанную большим количеством впаянных микровыводов 4, например, из ковара, которые обеспечивают поэле ментное электрическое соединение противолежащих участков слоев 1 и 2. Поверх инерционного и безынерционного полупроводниковых слоев нанесены системы пленочных электродов 5 и 6, прозрачных для ускоренных ЗО электронов. Эти электроды формируют попар.497597 Составитель В. Жовинский Техред М. Семенов Корректор М Лейзерман Редактор Е. Караулова Заказ 363/16 Изд,2085 Тираж 679 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 45Типография. пр. Сапунова, 2 но отдельные каналы обработки сигналов, от каждого пленочного электрода имеется отдельный вывод 7. Между электродами каждого канала обработки информации приложено постоянное питающее напряжение Ув. План- шайба 3 вместе с пленочной структурой помещена в вакуумный объем электронно-лучевой трубки 8. Электронно-лучевая трубка содержит мозаичный катод - эмиттер электронов 9, пространственное распределение эмиссионной способности которого повторяет закон весовой функции, и электронную проекционную систему 10, фокусирующую электронное изображение весовой функции на поверхность слоя 2 и осуществляющее перемещение этого изображения, Кроме того, электронно-лучевая трубка содержит электронный прожектор 11, осуществляющий модуляцию электронного луча обрабатываемым сигналом и сканирование лучом полупроводникового слоя 1.Устройство работает следующим образом.Ввод информации осуществляется последовательно при помощи сканирующего со скоростью о в направлении х по слою 1 электронного луча, ток которого промодулирован сигналом 5 (1). Электроны, проникая сквозь электрод 5, возбуждают проводимость инерционного полупроводникового слоя 1 и тем самым осуществляют запись сигнала в виде рельефа индуцированной проводимости.Проводимость безынерционного полупроводникового слоя 2 модулируется движущимся со скоростью о в направлении х электронным изображением весовой функции, проецируемым электронной системой 10 на поверхность слоя 2. В результате этой модуляции в каждом канале перераспределяется напряжение питания между элементами полупроводниковых слоев 1 и 2. Это обеспечивает формирование на слое 1 в каждом канале обработки информации пространственного распределения напряжений У (х - о 1), повторяющего форму весовой функции.10 Результирующий сигнал снимается в каждом канале обработки информации в виде тока 1 (1) между электродами 5 и 6. Предмет изобретения15 Устройство для определения интегралов типа свертки, выполненное в виде электроннолучевой врубки, внутри которой на одной оптической оси установлены электронный прожектор для записи сигнала, модулятор, два 20 пленочных электрода с нанесенными на ннхполупроводниковыми слоями, к которым подключены источники постоянного напряжения, и электронная проекционная система, отлич а ю щ е е с я тем, что, с целью упрощения 25 устройства, оно содержит помещенную на оптической оси между пленочными электродами стеклометаллическую планшайбу, на один нз торцов которой нанесен инерционный полупроводниковый слой с проницаемым для элек тронного луча электродом, а на другой торецнанесен безынерционный полупроводниковый слой с проницаемым для электронного луча электродом, причем модулятор выполнен в виде мозаичного эмиттера электронов.