Способ изготовления радиоактивных источников

Номер патента: 1531052

Опубликовано: 23.12.1989

Автор: Костенко

МПК: G02B 6/42

Метки: излучения, источник, разъем, световод, световодный, типа

...изображен разъем, общийвид, в разрезе.Разъем содержит две части 1 и 2корпуса. В части 1 закреплен цанговыйзажим 3, с ужащий для крепления источника излучения (ИИ). С части 2жестко кре,в 1 . ,л конечник 4 световода. Части 1 и 2 корпуса охваченынаружной втулкоГ . Часть 1 корпусажестко закреплена во втулке 5, ачасть 2 установлена в ней с возможностью осевого перемещения относительно части 1,Термочувствительные элементы 6 закреплены одним концом на втулке 5,другим - на подвижной части 2 корпуса, дополнительно обозначены: резьбовые кольца 7 с прижимной втулкой 8 ишайбой 9, служащие для фиксации ИИв части 1 корпуса, хвостовик 1 О световода,с гайкой 11, служащие для фиксации наконечника 4 световода в части2 корпуса,1 Сборка разъема заключается...

Номер патента: 270113

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Драбкина, Зив, Оевоюан, Феофилов

МПК: G21G 4/00

Метки: источников, радиоактивных

...способом получают защитное покрытие для радиоактивного источника любой активности при комнатной температуре, причем толщина защитной пленки зависит от энергии и вида излучения источника.Для этого на предварительно окисленную до нужной глубины поверхность металлической пластинки наносят радиоактивное вещество, крепят пластинку окисленной стороной с нанесенным на нее радиоактивным веществом к металлической или металлокерамической подложке и обнажают окисленный слой растворением неокисленного металла пластинки в агрессивной среде.Сущность предложенного способа заключается в следующем.На предварительно окисленную до нужной глубины металлическую пластинку, например из алюминия, наносится любым способом радиоактивное вещество, а...

Номер патента: 1797448

Опубликовано: 09.07.1995

Автор: Черник

МПК: H01J 27/10, H05H 1/24

Метки: газоразрядный, дугоплазматронного, источник, плазмы, типа

...благодаря снижению загрязнения потока расширяется использование газоразрядных источников постоянного тока с присущей им простотой и высокой газовой экономичностью и применяется например в материаловедческих исследованиях и в технологии,разряд между полым катодом и анодом, Благодаря явлению ионной откачки давление в полости электрода возрастает и для его восстановления увеличивают проводимость 5 клапана 15. В канале 5 возникает геометри.ческое контрагирование разряда с характерными скачком потенциала и так называемым "плазменным пузырем", в котором формируется ускоренный пучок элек тронов, производящий интенсивнуюионизацию газа в канале 5 и аноде. Для положительных ионов этот скачок потенциала в канале является барьеоом,...

Номер патента: 984766

Опубликовано: 30.12.1982

Авторы: Гизатуллин, Зуев

МПК: B23K 11/24

Метки: источник, питания, сварки, точечной

...конденсатору 4 подключены последовательно соединенные тиристор 10 и дроссель 7, последовательно накопительной индуктивности 5 подключен тиристор 11; параллельно конденсатору 3 подключены последовательно соединенные дроссель 8, тиристор 12, электроды 15 и 16.Источник питания для точечной сварки работает следующим образом.При открывании тиристора 13 заряжается коммутирующий конденсатор 4, после заряда тиристор 13 закрывается, одновременно открываются тиристоры 9 и 10. Открывание рабочего тиристора 9 приводит к накоплению на накопительной индуктивности 5 индуктивной энергии %, а открывание тиристора 10 - к перезаряду коммутирующего конденсатора 4. После накопления индуктивной энергии % и пере- заряда коммутирующего конденсатора 4...

Номер патента: 1774391

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Зосим, Пузиков, Семенов

МПК: H01J 27/10

Метки: дуоплазмотронного, ионов, источник, типа

...щелевых отверстий формы и расположен в50 плоскости симметрии отверстий,Таким образом, предлагаемый источникионов с щелевидной системой электродовпредназначен для генерации ленточногопучка ионов и является по существу щеле 55 видным дуоплазмотроном. Это позволяетустранить вышеуказанные недостатки прототипа и улучшить его характеристики,Так согласно решения, величина полного тока пучка ионов, формируемого в щелевидной системе, пропорциональна длине а50 55 выходной щели, что позволяет значительно увеличить величину ионного тока по сравнению с аксиально-симметричным дуоплазмотроном.Кроме того ленточный пучок вдоль координаты большего размера пучка имеет практически однородную плотность ионного тока, причем. степень однородности тем выше, чем...