Зив

Номер патента: 270113

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Драбкина, Зив, Оевоюан, Феофилов

МПК: G21G 4/00

Метки: источников, радиоактивных

...способом получают защитное покрытие для радиоактивного источника любой активности при комнатной температуре, причем толщина защитной пленки зависит от энергии и вида излучения источника.Для этого на предварительно окисленную до нужной глубины поверхность металлической пластинки наносят радиоактивное вещество, крепят пластинку окисленной стороной с нанесенным на нее радиоактивным веществом к металлической или металлокерамической подложке и обнажают окисленный слой растворением неокисленного металла пластинки в агрессивной среде.Сущность предложенного способа заключается в следующем.На предварительно окисленную до нужной глубины металлическую пластинку, например из алюминия, наносится любым способом радиоактивное вещество, а...

Номер патента: 120675

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Зив, Шестаков

МПК: G01B 15/04, G01N 23/04, G01N 23/12 ...

Метки: межфазового, натяжения, поверхностного, смачивания, угла

...относится к способам определения угл поверхностного или межфазового натяжения непрозр например жидких металлов и других материалов при вь турах,Известные подобные способы, также предусматривающи фирование контура мениска или лежащей капли, отличаются ной сложностью, так как рассчитаны на и"пользование рен аппаратуры. Для устранения этого недостатка предл контура осуществлять в пучке мягких гамма диоактивных изотопов, например иридия - 1 пия 154 или 156. 1.1 а чертеже представлена схема установки для осущс лагаемого способа. Источник 1 гамма-лучей помещают в защитное устро свинца. В тигельную печь 8 с отверстием 4 помещают кварц5 с каплей и:следуемого металла б, Кассета 7 с фотопленко жена у второго отверстия печи. Кварцевый прибор...

Номер патента: 113011

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Зив, Медведев, Эфрос

МПК: G01N 27/36

Метки: водородных, ионов, концентрации, стеклянный, электрод

...13 с)ГССТПО,ПОГО СТГЕ,"Д.С)ирЕ СЕГСППС ЕОПСПтрдГПП ПО 10 ВОГурО:1 С ПЮ 01 О 1)с,пд 3( 0(1: ТЕЕ )С с 1 ПРОПВВО ИТС 51 (.,1 С 3 Ю) ОС)РД 30 1Оос 1 ЕО 1 Сис ТР)ЕП 1 3 сПО, ;5 10 Т, Пс 1 ПГГ,с 110112. Е011)0ро. СОГ 51011 ЕСеО ГВ (5 ОТЕрвТОС Ео,с 10 )71( Е 1 роад ВВР;5 т ,710)с)Г 11 ГГ.1 Ы 11, 1 спр 131 Гр, .501)ОС(р(ор 51 Ы ",ГС. Е , ,5 С ), 31 1Г.П)0 1 Г 1"110 12 ":ЕОТОРОГО п 1)псое;1115 ЮТ Е 1131 Г 1) ПТГГ 1 О, П:1(:О)г. С(с".Г 3 Сс П:11,15 и г ддГс 151 ВОГО кос Гид В 1 СЕ Г)О.,д С 1 сЕС),П ыП 1 С."(Тор(.1 О". 1,1 1:)ГП",.В ШаРИК 4 ИСПЫГСЕМВй РаетВОР; затЕ) 2 От РгСГВО:) О.;:,1 3 33 ГССГОсо05 пр 1 ГОС;п 1 П 5 ЮГ Е 13.Срптег 1.03 П 11150,П ) 0 В Г р Е с 1 0 П и С с 1 и и Ы .; ). 1 С".С.) О о в 1 д .: 1 3С Е 1 О ( д 0 с ) с) 1;1 Ь.; 1 ;111...