Микроэлектронный преобразователь давления
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 491059
Автор: Ваганов
Текст
р 491059 ОП ИСАН И ЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических(22) Заявлено 10.07,7 аявкисоединением Государственный иомнте овета Министров ССС(53) УДК 531.781( юллетеньлам изобретенийи открытий исания 26(71) Заявитель В, И. ВагановТрудового Красного Знамени инженернфизический институт Московский о ЭЛЕКТРОННЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ(54) соединенными алюминиевыми токоведущими дорожками 6. Второе плечо схемы образовано транзистором 7, резистором 8 и резистором 9.Внешние выводы (питание Ен, Ео, земля и выход) осуществляются с помощью контактных площадок 10.Микроэлектронный преобразователь давления работает следующим образом,Схема состоит из двух плеч. В одном плече 0 транзистор 3 имеет положительный коэффициент тензочувствительности, резистор 4 - также положительный, а резистор 5 - отрицательный коэффициент тензочувствительности.Во втором плече моста знаки коэффициентов 5 тензочувствительности следующие: транзистора 7 - отрицательный, резистора 8 - отрицательный, резистора 9 - положительный. При подаче давления Р мембрана 2 деформируется, вызывая изменение параметров транзисто ров 3 и 7 и резисторов 4, 5, 8, 9. При этом навыходе схемы появляется сигнал, пропорциональный давлению Р.Преобразователь обладает малыми габаритами при высокой чувствительности и повы щенной термостабильности. Изобретение технике, в части образователям дИзвестны ми тели давления, лупроводниково ния, с изготовле относитсяости к микроавления,кроэлектронные преобрсодержащие мембрануо материала, напримернными на ней тензорези к измерительн электронным п азоваиз покрем- стораМикроэлектронный преобразователь давления, содержащий мембранч из полупроводними.Известные микроэлектронные преобразователи давления недостаточно чувствительны и термостабильны.С целью увеличения чувствительности, уменьшения геометрических размеров и улучшения температурной стабильности предлагаемый преобразователь снабжен изготовленными в мембране тензотранзисторами, коллекторные области которых соединены токоведущими дорожками с тензорезисторами одинакового с ними знака тензочувствительности, а базовые области - с тензорезисторами противоположного знака.На чертеже показан предложенный микроэлектронный преобразователь давления.Преобразователь состоит из кремниевой пластины 1, ориентированной в кристаллографической плоскости (100). В пластине имеется тонкая мембрана 2, на которой с помощью планарной технологии изготовлена интегральная схема. Одно плечо схемы образовано транзистором 3, резистором 4 и резистором 5,Предмет изобретениРедактор В, Фельдман Заказ 186/4 Изд.141 Тираж 902 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 кового материала, например кремния, с изготовленными в ней тензорезисторами, о тл ич а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения чувствительности, уменьшения геометрических размеров и улучшения температурной стабильности преобразователя, он снабжен изготовленными в мембране тензотранзисторами, коллекторные области которых соединены токоведущими дорожками с тензорезисторами одинакового с ними знака тензочувствительно сти, а базовые области - с тензорезисторамипротивоположного знака.
СмотретьЗаявка
1945305, 10.07.1973
МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНЖЕНЕРНО ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
ВАГАНОВ ВЛАДИМИР ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01L 23/18
Метки: давления, микроэлектронный
Опубликовано: 05.11.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-491059-mikroehlektronnyjj-preobrazovatel-davleniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Микроэлектронный преобразователь давления</a>
Предыдущий патент: Устройство для измерения температуры и давления насыщенного пара высококипящих жидкостей
Следующий патент: Устройство для градуировки датчиков пульсирующего давления
Случайный патент: Источник вторичного электропитания