Стробирующее устройство
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
, тф "; ГА1 и,1 йт. -"- " .ееюю 4 о и и с г)пго ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистических Республик(23) Приоритет Гооудоротоонный квинтет Совета Мнностров ЕССР оо долам ноооретенов н отнрмтнй(54) СТРОВИРУЮЩЕЕ УСТРОЙСТВ онден эис венно к выводам Изобретение относится к радиотехнике,Известно стрбируюшее устройство,содержащее широкополосный трансформатор, первичная обмотка которого подключена к источнику входного сигнала, авторичная - к точкам соединения стокаи подложки двух полевых транзисторов,переход сток - исток одного иэ которыхшунтирован переменным конденсатором,импульсный трансформа-ор, первичнаяобмотка которого подключена к источникустробируюшего сигнала, и два резистивных делителя напряжения, один иэ которых выполнен регулируемым, вход. каждогола. которых подключен к 1 источникупитания, а выход- к конденсатору.Однако известное устройс гво имеетбольшие нелинейные искажения.Целью изобретения является уменьшение нелинейных искажений стробируюшегоустройстве,Для этого затворы полевых транзисторов подключены к первым выводамдвух вторичных обмоток импульсного тран-сформатора, вторые выводы которых соединены с выходами резистивных делителей напряжения, а истоки соединены собщим выводом источника питания.На чертеже приведена принципиальная электрическаяЯсхема устройства.Стробируюшее устройство содержитширокополосный трансформатор 1, перьичная обмотка которого подключена к чоточнику входного сигнала (не показан),О а вторичная - к точкам соединения стока и подложки полевых транзисторов 2, 3.Переход сток - исток транзистора 3шунтирован переменным конденсатором 4.Первичная обмотка импульсного транс3 форматора 5 подключена к источнику стробируюших импульсов, который подключается к клемме 6, Резисторы 7, 8, 9, 10,11 образуют два резистивных делителянапряжения ь подключены к источнику20 питания ( к клемме 12). Резистор 7выполнен регулируемым, Выходы делителей подключены соответственно к ксаторам 13 и 14,Затворы полевых трап торов 2 и Р26 подключены соответст162 Тираж Здка Р 114 ПЯ дписно хклиал Пп Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина 1 Чвторичны бмо ток 1и ).6 импульсного трансформатора 5, Л 1 стоки транзисто- .".ОВ 2 я Э соединены с сбшим ВЫВОДОМ ис 1 очни-"; питания, тообирующе устройс гво работает длу Оп имбра д",кал;:мо 1 и.;ый: и-;ц пр 1 извол пой ур . в псда-"Тсу- Вделирокоаолосный тванср в.,т. ц,",. - ру.о.".; л;. и;л тульсы наносекунд.":ой дл 1."тельиост: ПОдаются на первичную О,о-,.1;т, ,л"ПЬСНОГО РП,".НСДЗООМатооа 5 й С, его то,."; , " Ых сбмОток х 5 Я л,8 эти:к: ; "ыпюо 1.Зофазе подают я на затво 1::, Дс:;к.".:Ых транзис:ыров 2 и 3, Иа вы,:,;.;е ; , ч,: ., ройс-ва обоазуюъ я импульсд,:.;все;-;.;л:,гног плитам ьиости с амплитудой. я ;,д: )ь д." ЬЛГ 3 удЕ ВХОДНОГО Снпиапа и МО, д,:е:пе нелинейных лскаь еиий 1 п 1. 13 еис. баланс Провами вдсик 1 рение дии:.дичесо," о диапазона и обеспечение еф "д"тив",;О 1 ОаЗВЯЗКИ ЦЕж" У ВХОПНщ 1 МИ СИГ- нала;и ,;-,.с-,гад вся за счет невмененияр полевых транзисторов с изолированнымзатвором М 011 структуры. Формула изобретения Стробируюшее устройство, содержашее широкополосный Трансформатор, первичная обмотка которого под;:ючена к источнику входного сигнала, а втори 1 ная - к точкам соединения стока и подложки двух полевых транзисторов, переход сток - исток одного из которых шунтирован переменным конденсатором, импульсный трансформатор, первичная обмотка которого подключена к источнику стробиоуюшего сигнала, и два резистивных делителя напряжения Один из которых выполнен регулируемым,. вход каждого из которых подключен к источнику питания, а выход - к конденсатору, с тличающеес ятем, что, сделью уменьшения нелинейных искажений, затворы полевых транзисторов подключены к первым выводам двух вторичных обмоток импульсного трансформатора, Вторые выводы которых соединены с выходами резистивных делителей напряжения, а истоки соединены с общим выводом источника пи
СмотретьЗаявка
1984310, 29.12.1973
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-8542
БЕЛЯКОВ АРКАДИЙ ВИКТОРОВИЧ, ПОПОВЯН ДМИТРИЙ ЭММАНУИЛОВИЧ, СИДОРОВА АНТОНИНА ТИМОФЕЕВНА
МПК / Метки
МПК: H03K 17/00
Метки: стробирующее
Опубликовано: 25.10.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-489221-strobiruyushhee-ustrojjstvo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Стробирующее устройство</a>
Модель полевого (мдп) транзистора
Номер патента: 673941
Опубликовано: 15.07.1979
Авторы: Валитов, Ландэ, Осинцев, Пестрякова
МПК: G01R 31/26
Метки: мдп, модель, полевого, транзистора
...широких пределах пороговым напряжением и крутизной, причем имитируемый транзистор может работать по любой из известных схем включения.На чертеже представлена блок-схема модели МДП-транзистора.Описываемое устройство содержит входной МДП-транзистор 1, усилитель постоянного тока 2, блок зашиты выходного транзис. тора 3, выходной МДП-транзистор 4, блок индикации перегрузки 5, блок обратной связи 6, блок сдвига уровня 7, клемму затвора модели 8, клемму сброса защиты 9, клемму стока модели 1 О, клемму истока модели 11, клемму регулирования порогового напряжения 12, клемму регулирования крутизны 13.Устройство работает следующим образом.При нулевом напряжении на клемме затвора модели 8 выходное напряжение уси 15 20 25 З 0 зз лителя постоянного...
Полевой свч-транзистор
Номер патента: 1118245
Опубликовано: 19.06.1995
МПК: H01L 29/812
Метки: полевой, свч-транзистор
ПОЛЕВОЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР, содержащий подложку, на которой сформирован буферный слой из широкозонного полупроводника, на котором расположен активный слой из узкозонного полупроводника с электродами истока, стока и затвора, отличающийся тем, что, с целью увеличения максимальных частот усиления по току и по мощности, активный слой под электродом затвора выполнен неравномерно-легированным, при этом концентрация легирующей примеси в направлении электрод истока-электрод стока монотонно возрастает от значения соответствующего концентрации остаточных примесей до значения соответствующего концентрации примесей в буферном слое, а концентрация примесей в буферном слое на 4 5 порядков превышает концентрацию остаточных примесей в активном слое.
Способ измерения среднего значения периодического сигнала, переменная составляющая которого модулирована по амплитуде
Номер патента: 1575124
Опубликовано: 30.06.1990
Авторы: Котовщиков, Левин, Пеховский, Севрюков
МПК: G01R 19/02
Метки: амплитуде, значения, которого, модулирована, переменная, периодического, сигнала, составляющая, среднего
...интегрирования и определение среднего значения периоди- а ческого сигнала как полусуммы каждыхе двух соседних по времени результатов интегрирования обеспечивают уменьшение погрешности, обусловленной моду- С ляцией амплитуды переменной составляющей периодического сигнала. 1 ил.1575124 среднее значение входного сигнала какполусумму запомненных в блоках 8результатов интегрирования. Формула и з о б р е т е и и я Составитель С, РыбТехред М,Ходанич рректор Э,Лончаков едактор Л. Веселовска 4 Заказ 1782 Тираж 561 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,101 7 каналов 1 и 1...
Устройство для литейного детектирования
Номер патента: 481977
Опубликовано: 25.08.1975
Авторы: Мартяшин, Чапчиков, Шляндин
МПК: H03D 1/06
Метки: детектирования, литейного
...1, имеющегонелинейную характеристику, . Выходноенапряжение детектора 1 поступает на одиниз входов сумматора 2. На второй его входпоступает напряжение с выхода амплитудного детектора 3, функция преобразованиякоторого идентична функции преобразования амплитудного детектора 1, причем входнымнапряжением детектора 3 является,промодулированное при. помоши модулятора4 выходное напряжение интегратора 5.На вход интегратора поступает сумма напряжений, амплитудных детекторов 1 и 3.481977 50 Составитель И,Черняк Редактор А,3 иньковский Текред Н,Ханеева Корректор Т.фисенкр Заказ ЯИзд. М Я,Р Подписное Тираж 902 1 НИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 113035, Раушская наб., 4 Предприятие...
Ключевое устройство на полевых транзисторах
Номер патента: 429532
Опубликовано: 25.05.1974
Автор: Иаобрете
МПК: H03K 17/60
Метки: ключевое, полевых, транзисторах
...ггчпереходом: т 1 рггнзцстэр р-тццз 1 В /, транзистор гг-типа 2, транзистор р-тцпа 3и транзгстор и-типа 4. Шины цсточника вцтан 11 я 5 и 6 полключецы соответственно к стдс(ам крайних транзисторов, злтворы эт 1 гх же Т 1 рлнзистдров соединены вместо ц 1 эдкл 10- чены,к входной п 11 не 7. затворы средн 1 цх трлнзцстдрдв подключенысоэтветствующ;о шцнам источника питания, обес 11 ечива 1 ощцм цх закрытое состояние в статичеэком режиме, л в 1 хэдная шина 8 подключена,к эреднсй точке ключевого устройст 1 ва.Устройство работает следуюгццм образом.Прп включении питагощего наиряженця цо вел цчцце Ьо 1+ Ьо Б, = (/оз+ (/о 1/о - напряжецце отсечки поле 1 вого транзистора) и т 1 рц 25отсутспвцц входного сигнала, т, с. (, =0 транзисторы 1 ц 2...
Предыдущий патент: Устройство для преобразования п-разрядных двоичных кодов
Следующий патент: Коммутатор с самоконтролем
Случайный патент: Система контроля температурного режима и уровня жидкости в емкости