Дистанционный магнитный компас

Номер патента: 830593

Опубликовано: 15.05.1981

Авторы: Кашин, Курников, Тарасов

МПК: H01F 13/00

Метки: импульсныммагнитным, магнитных, намагничивания, полем, размагни-чивания, систем, элементов

...стабильный по.напряжению сигнал постоянного тока, который поступает на управляющий вход системы 3 импульсно"Фазового управления, Сигнал постоянного тока воздействует на фазосдвигающее устройство, входящее в схему системы 3 импульсно-фазо 20 вого управления, и определяет фазовый сдвиг импульсов на выходе системы 3 в пределах от Т/4 +ти и до Т/2. Каждому значению Фазы импульсного сигнала и, следовательно, моменту включения вентиля 4 или 5 в течение полупериода (Т/2) источника 6 соответствует определенная амплитуда напряжения и величина потенциала, до которого заряжается емкостной накопитель 16 в течение нескольких зарядных циклов. Заряд емкостного накопителя за несколько циклов позволяет снизить потребляемую из сети мощность....

Номер патента: 1126909

Опубликовано: 30.11.1984

Авторы: Андриевский, Шевердин

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитов, постоянных

...замкнутой магнитной системы, второй выход - к второму входу первого ключа, а третий выход - к третьим входам управляемого генератора и цифровой следящей системы.Блок ограничения амплитуды размагниччвающего поля выполнен в виде последовательно соединенных первоготриггера, второго ключа, регистра памяти и вычитающей системы, при 35 этом второй вход регистра памяти соединен с первым входом и первым выходом блока ограничения амплитуды размагничивающего поля, выход вычитающей системы - с вторым выхо 4 О дом, первый вход первого триггера - с вторым входом, второй вход второго ключа - с третьим входом, а второйвход первого триггера подключен к первому входу регистра памяти45 и третьему выходу блока ограничения амплитуды размагничивающего...

Номер патента: 1383267

Опубликовано: 23.03.1988

Авторы: Григорянц, Гущин, Креймерман, Меш, Проклов, Хазин

МПК: G01R 33/032, G02B 6/00

Метки: волоконно-оптический, датчик, магнитного, переменного, полей, электрического

...поле. 30 35Под воздействием переменного электрического поля в этом конденсаторе возникают механические силы, приводяшие к динамическим деформациям цилиндра 3 и к динамическим деформациям навитого на него световода 2. Эти деформации распространяются по всей длине световода 2, навитого на цилиндр 3, и имеют максимальные значения в области разреза. Это пРиводит к модуля ции потерь излучения, распространяющегося в световоде,Модулированное излучение воспринимается фотодетектором 5, расположенным непосредственно перед выходным торцом световода 2,.сигнал, вырабатываемый фотодетектором 5, поступает далее на блок 6 обработки сигнала. Поскольку сила взаимодействия меж ду обкладками конденсатора пропорциональна квадрату напряженности электВНИИПИ...

Номер патента: 655999

Опубликовано: 05.04.1979

Авторы: Корабельщиков, Якушкин

МПК: G01R 33/02

Метки: датчик, индукционный, магнитного, переменного, поля

...цель достигается тем, что в дат- резисторов 3 и 4, г.е. изменяя добротчике содержанем непрерывную круглую ин- ность частей 1 и 2 обмотки,можно измедукционную обмотку, помещенную в элект- нять форму АЧХ индукционного датчика.росгагический экран, индукционная обмотка выполнена иэ двух частей, намотанных26При определенных значениях сопрогивв противоположных направлениях и распо- лений резисторов 3 и 4 форма АЧХ имеетложеццых коццецтрично в параллельных вид кривой 3 на фиг. 2. Согласно законуплоскостях, а выходные концы обмотки со- Фарадея при изменении магнитного потоединены с двумя последовательными ре- ка, пронизывающего замкнутый контур, взисгорами, гочка соединения которых под- последнем находится ЭДС, определяемая25ключеца к точке...

Номер патента: 928269

Опубликовано: 15.05.1982

Автор: Вальтас

МПК: G01R 33/02

Метки: вальтаса, датчик, магнитного, поля

...из соотношения м/ЯД.20, где Яг - скорость по10 формула изобретения1, Датчик магнитного поля, содер"жащий полупроводниковую пластину с то.ковыми электродами на ее торцах,1 з двумя, равными по.площади областями с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации носителей тока,на одной из граней выходной электрод,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,рв с целью повышения чувствительности,на половине грани полупроводниковойпластины выполнен токопроводящийрастр, а область с повышенной скоростью поверхностной рекомбинацииц носителей тока расположена на одной из граней пластины, перпендикулярной грани с токопроводящим растром,2, Датчик по п,1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что скорости поверхностной рекомбинации носителей токавыбраны из соотношения Ч...