Электрофографический материал

и и с и,.и,.ж ЗОБРЕТЕ Н ИЯ Союз СоветскихСоциалистических Республи ОРСКО СВИДЕТЕЯЬС 7 ВУ ополнигельное к авт. свид(22) лено 01,10.73 (21) 1963986/28 М. Кл С 03 д 5/06 присоединением заявкиГосударствениыи комит Совета Министров ССС по делам изобретений и открытий(71) Заявители лектрографиинститут институт ническийИзвестны электрофотографические материалы, состоящие из подложки и фоточувствительного слоя, в качестве которого используются различные органические соединения, например поли-М-винилкарбазол,Однако этот полимер хрупок и обладает плохой адгезией к различным подложкам, что ухудшает физико-механические свойства материала. Кроме того, он имеет недостаточную фоточувствительность,С целью повышения эластичности и прочности материала, а также его фоточувствительности в качестве органического фоточувствительного слоя используют соединения следующей структурной формулы: где Я-а) радикалы гетероциклических со нений, например, фентиазина, акридона, р агидробензо- (1 з) -хинолина, феноксаз бензкарбазола;б) радикалы, перечисленные выше, имеющие в гетероциклическом кольце в к стве заместителей следующие группы: ни галоген, нитрильную, алкильную, алкила ную, алкоксильную. П р и м е р 1. Готовят 10% -ный растворполиэпоксипропилтетрагидробензохинолина в толуоле, Слои поливают на металлическую подложку или стекло с тонким электропро 5 водящим слоем (например, ЬпОг) и высушивают в вакуумном сушильном шкафу при 60 С, Полученные слои прозрачны в видимой области спектра, Слой толщиной 5 - 6 мкм заряжается до 700 - 800 в как в положительц ной, так и в отрицательной короне. Спад потенциала в темноте за одну минуту не превышает 15% от первоначального значения.Слой из полиэпоксипропилтетрагидробензохинолина обладает лучшими физико-механическими свойствами по сравнению со слоями поли-Х-винилкарбазола. Фо 1 очувствительность таких слоев как в видимой, так и в ультрафиолетовой области спектра сравнима с чувствительностью поли-К-винилкарбазола.2 с П р и мср 2. Готовят 10%-ный раствор полиэпоксипропилфентиазина в толуоле. Раствор наносят на алюминиевую пластину, предварительно покрытую в вакууме слоем аморфного селена толщиной 0,2 мкм. После 25 этого слои высушивают в сушильном шкафупри 40 С в течение 24 час. Толщина слоя полимера 3 - 5 мкм. Слои заряжают отрицательной короной и экспонируют видимым светом, Экспозиция полуспада потенциала з 0 25 - 30 лк. сек.и3Для улучшения фоточувствительности в слой можно вводить органические красители, электроноакцепторные вещества или добавки порошкообразных полупроводников.Эластичность и адгезионные свойства могут быть определены через прочность при изгибе на стержнях разного диаметра, при этом прочность выражается минимальным диаметром стержня, на котором слой остается неповрежденным, то есть не отлипает от основы и не растрескивается.Так, например, материал, содержащий полиэпоксипропилбензкарбазол, не повреждается при изгибе вокруг стержня с диаметром 10 мм, содержащий полиэпоксипропилакридон - с,диаметром 15 мм. Толщина фоточувствительного слоя при этом составляла 3 мкм. Слой такой же толщины из поливинилкарбазола растрескивается уже при высушивании.Электрофотографические материалы согласно изобретению имеют максимум поглощения при 1=380 - 450 нм, в то время как с поливинилкарбазолом - при 1=340 нм. 4827094Предмет изобретенияЭлектрофотографический материал, содержащий подложку и органический фоточувствительный слой, отличающийся тем, что, с5 целью повышения эластичности и прочностиматериала, а также его фоточувствительности, в качестве органического фоточувствительного слоя использованы соединения следующей структурной формулы101й15 где К - а) радикалы гетероциклическихсоединений, например, фентиазина, акридона, тетрагидробензо- (Й) -хинолина, феноксазина, бензкарбазола;б) радикалы, перечисленные выше, но20 имеющие в гетероциклическом кольце в качестве заместителей следующие группы: нитро, галоген, нитрильную, алкильную, алкиламинную, алкоксильпую.Составитель Г. ВасинРедактор М. Дмитриева Текред 3. Тараненко Корректор Л. ОрловаЗаказ 3657 Изд,1763 Тираж 529 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 13035, Москва, Ж, Раушская наб., д 1/5 МОТ, Загорский филиал