Одновибратор

Номер патента: 586858

Опубликовано: 30.12.1977

Автор: Адель

МПК: H03F 3/34

Метки: база-эмиттер, перехода, смещения, схема, транзистора

...полюсу источника 4 тока, аффективная плошадь каждого полупроводникового перехода Я -ряда в И раз больше, чем аффективная площадь каждого полупроводникового перехода М-ряда где Л - положительное число;в20Схемв смещения перехода база - эмиттер транзистора работает следующйм образом.Падение напряжения У на транзисторе 1, включенном как диод,будет равно разности потенциалов между его базой и эмиттером .При достаточно слабых токах, когда омическое сопротивление контактов и сопротивление массы амиттерв значитель но меньшесолротивления пограничного слоя 0 действие транзистора в диодном включении аналогично действию обычного р - 11 пере. хода. Падение напряжения Ч связано с плотностью тока в нем соотйошениемКТ 1 е ЗЗЧве ц8где 3 -...

Номер патента: 2002271

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Акчурин, Огнищев

МПК: G01R 31/26

Метки: быстродействия, свч-транзисторов, фотодетекторов

...излучения многочастотного лазера после его детектирования на быстродействующем фотодетекторе.Последовательность операций, необходимых для реализации данного способа в соответствии со схемой, показанной на фиг.1, выглядит следующим образом.Излучение многочастотного инжекционного полупроводникового лазера 1 с просветленной рабочей гранью, внешким перестраиваемым резонатором, содержащим микрообъектив 2, в фокусе которого находится активная область лазера, и юстируемое полупрозрачное зеркало или дифракционную решетку, светоделительной пластинкой 5 делится на двз пучка, один из которых используется для измерения оптического спектра излучения с помощью дифракционного монохроматора или эталона Фабри-Перо б, низкочастотного фотодетектора...

Номер патента: 326723

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Дтснтно, Сергеев

МПК: H03K 5/12

Метки: длительности, изменения, импульсов12, спада

...является повышени надежности устройства. Это достигается тем, что диод ус подключен своим первым выводом че денсатор к эмиттеру транзистора и ч зистор к точке соединения коллекто зистора с одним из выводов колл обмотки трансформатора, другой вь торой соединен с резистором нагру вторым выводом диода. На чертеже приведена принципиальна схема устройства. Т;образное звено 1, обесп мирование длительности сп резистора 2, диода 3 и конде Подключается звено 1 слВ момент открывания транзистора 6 разрядный ток конденсатора 4 течет через резистор 2 и транзистор 6, благодаря этому уменьшается пиковое значение тока, а следо вательно, и перегрузка транзистора б. Одновременно уменьшается влияние емкости на передний фронт импульса. В режиме...

Номер патента: 365797

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Веселое, Вител, Соколов

МПК: H03F 3/45

Метки: дифференциальный, усилитель12

...большой с тем, чтобы можно было пренебречь величиной огзмеценця напряжения ца цей за время, рщгнос длительности импульса . ц и зы с, . Дподы 7 ц Ь Включены встречно отцос .тельно выходного сигнала усилителя, но так как они смещены в Прямом направлении, то при-появлении имПульса па выходе через них может,протекать ток, заряжающий конденСатор б. Этот ток подзапирает одИн из диодов, по достижении Выходным напряжением гУ ц определенной амПлитуды один,из диодов заПираепся, ограничновая ток заряда конденСатора величиной У,. Таким образом, величина заряда д-р, накаплиВаемого конденсатором за время прохождения Одного импульса, ограничена величинойУ -: Уд У По мере постепенного накопления заряда конденсапором при,передаче серии импульсов...

Номер патента: 1669040

Опубликовано: 07.08.1991

Автор: Скачко

МПК: H02H 7/12

Метки: защиты, источника, постоянного

...транзистора 13 и резистивного делителя 11 изменяется по полупериодам от уровня, большего, чем напряжение эмиттера транзистора 18, на величину падения напряжения на диоде 6 (в это время транзистор 18 запирается) до уровня падения напряжения на коллектор-эмиттерном переходе транзистора 13, близкого к нулю (в данном полупериоде транзистор 18 открывается), Размах прямоугольного напряжения на втором входе операционного усилителя 9 становится равным разности между общим напряжением стабилитронов 4 и 5, уменьшенным на величину падения напряжения на переходе коллектор-эмиттер транзистора 18 в состоянии его насыщения, и исходном напряжением делителя 12 в положительном полупериоде напряжения источника 7 возбуждения. т.е. возрастает...