Прерыватель

Номер патента: 1689906

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Бочаров, Котельников, Царевский

МПК: G01V 3/04

Метки: выходного, датчика, дифференциальному, передачи, сигнала, усилителю

...содержит два резистора 9 и 10 с входными клеммами11 и 12 для подключения через линии 13 и 14связи датчика 15 сигнала с общей точкой 16и источником 17 синфазного напряжения,Дифференциальный усилитель 18 подключается своими двумя входами к первымдвум выходным сигнальным клеммам 3 и 4,а общей точкой - к третьей выходной клемме 8 "Земля",Для правильной работы устройства сопротивления резисторов 9 и 10 и емкостиконденсаторов 1 и 2 должны быть одинаковыми, величина емкости конденсатора 6 исопротивления резистора 7 соответственно ви раз меньше и в п раз больше емкости конденсатора 1 и сопротивления резистора 9 (гдеи - целое или дробное число, значительнобольше единицы), а сумма сопротивленийдатчика 15, линии 13 связи и резистора 9должна быть...

Номер патента: 559364

Опубликовано: 25.05.1977

Автор: Мандригель

МПК: H03F 3/34

Метки: дифференциальный, постоянного, усилитель

...6 И- фи 11 где Я и 6 - сколь угодно малые числасоответственно выражений З 5(8) и ( 7) после преобразования.Таким образом, дрейф Ц, дифференциального усилителя постоянноготокастре мится к нулю с ростом числа транзисторов 40 дополни тельных усилительных каскадов 0Арвх к(ц И -оо о О Е-2. После подстановки (9) в (11) и преобразования правой части равенства получим следующее выражение д 4 (р 1так как Е сс =О,Е Мф 0, на основании оп"4 -1ределения центрального момента первого порядка.На основании обобщенной теоремы Чебышева имеем где Е - сколь угодно малое положительное число.Тогда получим, что дрейф на каждом из выходов 10 11 (аналогично преобразуется и выражение (8) определяется следуюшим выражением Дрейф, приведенный ко входу усилителя,можно...

Номер патента: 354527

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Лойтер

МПК: H03G 3/10

Метки: дифференциальный, регулировкойусиления, усилитель

...сопротивлением эмиттерно-базовой цепи регулирующего транзистора 11, глубина последовательной отрицательной обратной связи в транзисторе-генераторе становится минимальной, а его коэффициент усиления максимальным. В результате в сопротивление 1 б нагрузки поступает максимально усиленный в транзисторе-генераторе входной синфазный сигнал.При максимальной величине напряжения источника 9 входного сигнала напряжение источника управляющего сигнала становится также максимальным по величине, но отрицапельным,по знаку, В этом случае сопротивление эмиттерно-базового перехода транзистора 1 максимально, а транзистора 2 минимально, Большая часть сигнального тока, усиленного в транзисторе-генераторе втекает в эмиттерную цепь транзистора 2, а в...

Номер патента: 1279050

Опубликовано: 23.12.1986

Автор: Грошев

МПК: H03F 3/45

Метки: дифференциальный, усилитель

...в ГСТ со стороны транзисторов 1 и 2 дифференциальной пары, сопровождается уменьшением падения напряжения на резисторе б,что приводит к увеличению коллекторного тока транзисторов 4 и 7, Приэтом исключается .возможность нарушения нормального функционирования врежиме больших сигналов, характерном .для входных каскадов компараторов ипереключателей тока, имеющаяся дляобычного дифференциального усилителявследствие впияния паразитных емкостей, шунтирующих ГСТ и способствующих уменьшению и даже полному исчезновению тока, смещающего транзисторыдифференциальной пары.Так, например, при запирающем перепаде напряжения., поданном на входодного из плеч обычного ДУ и состоянии отсечки в другом плече превышение скорости нарастания входногосигнала над...

Номер патента: 1771065

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Вонятыцкий, Грешищев, Киселев, Навицкас

МПК: H03F 3/45

Метки: дифференциальный, усилитель

...параметр транзистора,Каскодно включенные транзисторы 3,4 со схемами сдвига уровня 5, 6 стабилизируют напряжение ст(ж-исток соответствующих основных транзисторов 1, 2 при изменении напряжения затворов и токов этих транзисторов в соответствии с формуламиОси 1 = Ози 1+ Осдв - Ози 3,Оси 2 = Ози 2 + Осдв - Оэи 4, (3) ГДЕ Оси 1, Оси 2 - НЗПряжвния СТОК-ИСТОК ОС- новных транзисторов 1,2,Ози 3, Ози 4 - напряжение затвор-исток каскодных транзиСторов 3, 4;Осдв - напряжение смещения схем сдвига уровня 5, 6.Основной трензис 1 юр 1 (2) и каскодный транзистор 3(4) технологически Выполняются идентичными. Это можно сделать, так как транзисторы имеют одинаковую проводимость и их параметры не ограничены другими требованиями,Благодаря введению схем...