Высокочастотный резистор

Номер патента: 449381

Авторы: Литвак, Речештер, Уляницкий

ZIP архив

Текст

ПИСАНИЕ ЗОБРЕТЕН ИЯ р 44938 Союз Советских Социалистических,Реелуолин(32) ПриоритетОпубликовано 05.11.74. Бюллетен Государственнын комитет Совета Министров СССР(53) УДК 621.316.842-181,4 (088,8) лам нзооретении открытий Дата опубликован исания 05.08.75,ми свкциями муправлять велПоявляющиесясти позволяютреактивностьношание 10 г постоянная времени резистора, Последнее особенно важно при создания частотно-независимых делктелей напряжения.Высокочастотный резистор описываемой конструкции отличается от резистора с обмоткой Шаперона меньшей андуктивностью, так как витки ортогональных спиралей и их магнитные поля симметричны. Остаточная емкость его предельно секуионированной обмотки незначительна, а развитая поверхность охлаждения существенно снижает перегрев резистора и позволяет повысить его мощность или стабильность сопротивления. Предмет изобретенияВысокочастотный резистор, выполненный в 30 виде намотанной ыа каркасе многослойной,еделяю зистор спиралямиындуктивност Изобретенее относится к области электротехники, в частности касается конструирования высокочастотных резисторов.Известен высокочастотный резистор, выполненный в виде намотанной на каркас многослойной, например, секционированной обмотки из микропровода в стеклянной изоляции.Недостаток известного высокоча,стотного,резистора заключается,в большой реактивности и малой номинальной,мощности,Цель изобретения - уменьшить реактивность, повысить стабильность и номинальную мощность.Это достигаешься тем, что каждая из секцией обмотки выполнена в виде двух спиралей, намотанных встречно и размещенных в плоскостях, перпендикулярных оси каркаса.На чертеже изображен предлагаемый высо. кочастотный резистор.Высокочастотный резистор состоит из каркаса 1, на,который наматывается микропровод 2 со стеклянной изоляцией в виде секционной намотки.Конструкция высокочастотного резистора позволяет изменять расстояния между встречными спиралями, образующими бифилярные секциями, а также расстояния между самими секциями.Расстояние между опр величину паразитной ире а,расстояней между бифидярны ожно в значительной степени ичиной его паразитной емкости в результате этого возможно не только существенно снизить езистора, но и выполнить соот449381 Составитель А. АртюшинРедактор В. Фельдман Техред А, Дроздова Коррект тов Подписное каз 1911/11 ЦНИИПИ Г Типография, пр. Сапунов например, секционированной обмотки из микропровода в стеклянной изоляции, о т л и ч аю щи й ся тем, что, с целью уменьшения реактивности, повышения стабильности и номиИзд.542ударственногопо делам изобосква, Ж, 1 нальной мощностикаждая из секций обмоткивыполнена в виде двух спиралей, намотанныхвстречно и размещенных в плоскостях, перпен.дикулярных оси каркаса. Тираж 760комитета Совета Министров ССетений и открытийаушская наб., д. 4/5

Смотреть

Заявка

1861487, 25.12.1972

КИШИНЕВСКИЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОПРИБОРОСТРОЕНИЯ

ЛИТВАК ЗЕЙЛИК ВОЛЬФОВИЧ, УЛЬЯНИЦКИЙ ПЕТР ИМРЕВИЧ, РЕЧЕШТЕР НАУМ ИСАКОВИЧ

МПК / Метки

МПК: H01C 3/00

Метки: высокочастотный, резистор

Опубликовано: 05.11.1974

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-449381-vysokochastotnyjj-rezistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Высокочастотный резистор</a>

Похожие патенты