Ключ

Номер патента: 493027

Опубликовано: 25.11.1975

Автор: Лебедев

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, коммутации, моп-транзисторах, напряжений, разнополярных

...устройствеподложкапервого МОП -транзистора соединена с истоком второго МОП -транзистора,подложка которого соединена с истокоМпервого МОП транзистора.На чертеже представлена принпипиальнаясхема предлагаемого ключа,Устройство содержит два МОП-транэис":тора 1 и 2 одного типа проводимости. Под-ложка 3 МОП -транзистора 1 соединена систоком 4 МОП -транзистора 2, подложка Устройство работает следуюшим образом, На вход 10 подается переменное напряжение, При подаче на затворы 7 и 8 МОП- транзисторов 1 и 2 запирающего управляющего напряжения коммутируемое напряжение на выходе 12 устройства отсутствует. Действительно если какая-либо из полуволн входного напРяткения в зависимости от типа МОП-транзисторов пройдет через МОПтран зистор 1, то...

Номер патента: 944108

Опубликовано: 15.07.1982

Авторы: Братцев, Пискарев, Рудский

МПК: H03K 17/60

Метки: ключом, силовым, транзисторным

...хотя степень насыщения при включении является многобольшей, чем в установившемся режиме,что необходимо как для обеспеченияФорсированного включения силовоготранзистора, так и для уменьшениядинамических потерь.В установившемся режиме (на этапе"Включено" ), т, е. когда напряжениеУ, силового транзистора 10 достигает своего стационарного значения, вбазу первого транзистора 7 через третий диод 9 поступает дополнитепьнцйтокчто приводит к уменьшению базо08 формула изобретения Устройство для управления силовым транзисторным ключом, содержащее дифференциальный усилитель, неинвертирующий вход которого через первый резистор соединен с общей шиной, а инвертирующий вход - с катодом первого диода и через второй резисторс входной клеммой,...

Номер патента: 1598156

Опубликовано: 07.10.1990

Автор: Акопов

МПК: H03K 19/08

Метки: биполярных, логический, моп-транзисторах, элемент

...5 и 6 конструктивно одинаковы (что легко осуществимо при интегральном исполнении), то и токи утечки этих транзисторов приблизительно равны. Ток утечки на участке коллектор - база транзистора 6 через отражатель тока на транзисторах 3 и 4 сформирует ток стока транзистора 4, Если при этом крутизна характеристики транзистора 4 больше крутизны характеристики транзистора 3, то ток" стока транзистора 4 будетравен току утечки на участке коллектор-база транзистора 5, а величина падения напря 5 10 15 20 25 30 35 жения на участке сток - исток транзистора 4 будет меньше величины падения напряжения на участке сток - исток транзистора 3.Если пороговое напряжение отпирания КМОП-транзисторов в данном случае находится примерно на том же уровне,...

Номер патента: 1490709

Опубликовано: 30.06.1989

Автор: Денисенко

МПК: H03K 17/042, H03K 17/687

Метки: аналоговый, ключ

...операционного усилителя 3, а точка соеди 10 15 25 30 35 40 45 50 нения второго полевого транзистора5 и второго резистора 9 подключенак тому же входу третьего операционного усилителя 3 через последовательносоединенные второй повторитель 7 напряжения и шестой резистор 13.Аналоговый ключ работает следующим образом.Источник сигнала и нагрузка подключаются к эквивалентным коммутируемым клеммам 14 и 15 устройства,которое, таким образом, работает какуправляемое реле.В закрытом состоянии аналоговогоключа на управляющую клемму 16 подано напряжение, запирающее полевыетранзисторы 4 и 5, Коммутируемыеклеммы 14 и 15 при этом разомкнуты.В открытом состоянии аналоговогоключа полевые транзисторы 4 и 5 находятся в проводящем состоянии. Черезэти полевые...

Номер патента: 1615877

Опубликовано: 23.12.1990

Автор: Акопов

МПК: H03K 19/08, H03K 19/094

Метки: биполярных, логический, моп-транзисторах, элемент

...потенциал логической "1". 50При возрастании входного напряжения до величины, равной половине напряжения питания, транзисторы 5 и 2 находятся в закрытом состоянии, так как возникающая при этом разность потенциалов между затворами транзисторов 5 и 2 меньше напряжения отпирания этих транзисторов. Например при величине входного напряжения, равной половине напряжения питания, потенциал на стоке транзистора 1 соответственно также равен половине напряжения питания, т,е, и потенциал на затворах транзисторов 5 и 2 равен этой же величине, а поскольку истоки транзисторов 5 и 2 соединены между собой, то оба эти транзистора закры ты.При дальнейшем возрастании входного напряжения потенциал на стоке транзистора 1 соответственно уменьшается и...