Формирователь импульсов

Номер патента: 675584

Опубликовано: 25.07.1979

Авторы: Ардашев, Меэрин

МПК: H03F 9/00

Метки: выходного, защиты, импульсного, перегрузки, транзистора, усилителя

...резистор 4, а базой - к коллекторной нагрузке 5 выходного транзистора через резистор 6. Резисторы 7, 8 определяют ток базы выходного транзистора, а их соотта ношение определяет величину критическогозначения коллекторного напряжения,При отсутствии входного сигнала транзисторы 2, 3 закрыты, а конденсатор 1 разряжен.При подаче управляющего сигнала транзистор 2 открывается током конденсатора 1, Напряжение на коллекторе транзистора 2 падает, что приводит к открыванию транзистора 3. Открытый транзистор 3 пропускает базовый ток транзистора 2 и обеспеео чивает разряд конденсатора 1. Если приподаче управляющегб сигнала коллекторное напряжение превышает критическое значение, транзистор 3 не открывается и пос, с675584 формула изобретения...

Номер патента: 1398067

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Алексеев, Лернер

МПК: H03K 3/284, H03K 5/01

Метки: зарядно-разрядный, импульсов, формирователь

...конденсатора 2 проходит через резистор 1, а напряжение на входе порогового элемента 3 вначале возрастает скачком, а потом экспоненциально уменьшается до напряжения срабатывания элемента 3, с которого поступает команда переключающему элементу 5 или 6 (фиг, 3 и 4), в результате переключения последнего на входе элемента 3 образуется обратный скачок напряжения с последующим разрядом конденсатора.Разряд конденсатора в формирователе до напряжения, близкого к нулю, происходит значительно быстрее, чем в других формирователях при разряде конденсатора через полупроводниковый диод или биполярный транзистор. Следовательно, в формирователе повышается точность Формирования длительности импульса.Таким образом, осуществляется управления...

Номер патента: 951709

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Хрекин, Шершаков

МПК: H03K 21/00

Метки: триггер

...шину 19 триггера открывается тиристор 1 о 6, так как на его управляющий электрод подается открывавшее смешение, и через него открывается транзистор 5. При этом дистанционный переключатель 1 срабатывает по обмотке 3, и контакт 16 раэ. мыкается с контактом 15 и замыкается с контактом 14, что вызывает закрытие транзистора 5, а тиристор 6 остается открытым до момента окончания импульса на шине 19, так как питание его анода происходит по цепи: диод 10, контакт 14, 16. Тиристор 7 не открывается, так как на его катоде - низкий потенциал в связи с тем, что открыт тиристор в 6 и из-за падения напряжения на резисторе 13 напряжения для открытия тиристора 7 недостаточно, поэтому транзистор 4 также будет закрыт и все обмотки дистанциснного...

Номер патента: 318135

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Барсов

МПК: H02P 9/30

Метки: генераторов, постоянного

...сложную схему управления тиристорами,Предложенное устройство позволяет упростить схему управления тиристорами и обеспечить при этом высокую точность и надежность работы регулятора за счет того, что управляющий электрод силового тиристора через стабилитрон соединен с .коллектором транзистора и - р - п-проводимости, а управляющий электрод вспомогательного тиристора соединен через полупроводниковый диод с базой тиристора, в переход эмиттер - база которого включен туннельный диод,На чертеже представлена принципиальная электрическая схема устройства.Схема содержит регулирующий транзистор УД 1 в цепи обмотки ОВ возбуждения, вспомогательный тиристор УД 2, коммутирующий конденсатор С, стабилитроны Ст 1 и Ст 2, транзистор Т, ТД - туннельный...

Номер патента: 2004027

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Ветров, Гурков, Фискис

МПК: H01J 1/13

Метки: имеет, катод, которого, многолучевого, прибора, топологию, электровакуумного, эмиссионную

...мнаголучеоой эмиссионной структуры на поверхности катода, покрытого пленкой антиэмиттера.На фиг,1 показана схема реализации способа изготовления многолучевого ЭВП; на фиг.2 - заоисимость разрядного тока в цепи катода от времени проведения процесса ионна-плазменной обработки катода,На фиг,1 показаны катод 1, змиттирующая поверхность которого покрыта пленкой антизмиттера, мадулирующий электрод 2 ЭОС, отверстия которого соосны пролетным каналам резонаторнага блока ЭВП и который является маской для ионного травления антиэмиттера катода, катодный полюс - анод 3 ЭВП, являющийся одним из полюсов постоянного магнита 4, установленного так, чта ега силовыелинии перпендикулярны поверхности катода и параллельны осям пролетных каналов,...