Фазовращатель

п 11 434523 Союз Соввтеких Социалистицвооа Рвслублик(51) М. Кл, Н заявки Л с присоединени Государстеенныи номит Совета Министров ССС оо делам изооретений и открытий(54) ФАЗОВРАЩАТ что ны вр-диоды ы, разбыть леднее анало ом дидиодов стано- но паность, 3 В рас работаю меры ко значител обуславл гичных ф апазоне, оказыва вятся тр дает по 1Изобретение относится к технике СВЧ и может использоваться при создании фазированных антенных решеток миллиметрового диапазона отражательного типа, различных управляющих устройств этого диапазона, в 5 измерительной технике.Известны волноводные конструкции полупроводниковых фазовращателей отражательного типа сантиметрового диапазона. Например, фазовращатель с четырьмя дискретными 10 фазовыми состояниями представляет собой закороченный с одной стороны волновод, в котором на расстоянии Хв/8 один от другого (Хв - длина волны в волноводе) установлены три р-п-диода, Включение какого-либо дио да приводит к перенесению закоротки в место нахождения диода, таким образом электрическая длина волновода изменяется. Это приводит к изменению фазы коэффициента отражения. 20 смотреннои конструкции ри т как сосредоточенные элемент торых, соответственно, должнь ьно меньше длины волны. Пос ивает трудности при создании азовращателей в миллиметров так как требуемые размеры отся настолько малыми, что удно выполнимыми. Существен той же причине рабочая мощ исключает большинство радиолокационх применений для такой конструкции фазоащателей в миллиметровом диапазоне.Цель изобретения - повышение частотных пределов работы полупроводниковых фазовращателей отражательного типа.Эта цель достигается тем, что фазовращатель выполняется в виде плоской полупроводниковой пластины, размеры которой сравнимы с длиной волны. Для управления фазовыми состояниями пластины на ней изготавливается распределенная р-п-структура.Такое конструктивное решение полупроводникового фазовращателя позволяет существенно увеличить его рабочую частоту, а также рабочие мощности, с которыми он может работать.На фиг, 1 изображен предлагаемый фазовращатель, разрез; на фиг. 2 - то же, вид сверху и со стороны падающей волны.Фазовращатель содержит плоскопараллельную полупроводниковую пластину 1 с толщиной, обеспечивающей фазу коэффициента отражения О в обесточенном состоянии фазовращателя, контактную сетку 2, область 3 легирования одного типа проводимости, область 4 собственной проводимости полупроводника, область 5 легирования другого типа проводимости, сплошной металлический контакт 6, проводники 7 сетки, ориентированные парал434523 Предмет изобретения Составитель И. Грошев Редактор М. Бычкова Техред Н. Куклина Корректор А, ВасильеваТираж 760 Подписноеовета Министров СССРоткрытийнаб., д, 4/5 аказ 2906/13 ИздЦИИИПИ Государственн по делам Москва, Ж 742 го комитета зобретений 35, Раушскаяография, гр. Сапунова,лельно вектору электрического поля падающей волны. Области 3, 4 и 5 образуют распределенную р 1-и-структуру. Материал фазовращателя - высокоомный полупроводник с проводимостью, близкой к собственной, например, кремний.Фазовращатель (фиг. 1, 2) рассчитан на два фазовых состояния: 0 и 180. Состояние 0 получается за счет соответствующей толщины пластины 1, состояние 180 - при пропускании через р-п-структуру тока достаточной величины. При этом отражает передняя плоскость фазовращателя.Для уменьшения тока инжекции при заданном модуле коэффициента отражения служат проводники 7 сетки 2. Расстояние между проводниками 7 и их ширина рассчитываются конкретно, исходя из величины допустимых потерь в обесточенном состоянии, широкополосности фазовращателя, величины заданного тока инжекции, так как эти величины зависят от параметров сетки, От них же зависиттолщина пластины 1, при которой получаетсяфаза О коэффициента отражения. Без проводников 7 пластина 1 - четвертьволновой5 толщины,На основе описанного фазовращателя надва фазовых состояния в принципе могут бытьизготовлены фазовращатели на произвольноечисло состояний,10 Фазовращатель СВЧ, содержащий распределенную р-и-структуру в виде плоской по лупроводниковой пластины, с инжектирующими контактами, отличающийся тем, что, с целью расширения частотного диапазона, один из инжектирующих контактов выполнен в виде сетки, нанесенной на плоскость упомя нутой пластины, толщина которой соизмерима с длиной волны.