Способ определения градиента магнитногополя

нц 434343 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(51) М. Кл. С 01 г 33 О 22) Заявлено 30.03,73 с присоединением заявкиГасударственныи комитет Совета Министров СССР ео делам изобретений и открытийИЕНТА МАГНИТНО Изобретение относится к измерительнои технике и может быть использовано для контроля параметров магнитных полей, например, при тарировании установки для измерения параметров магнитоодноосных монокристаллов.Известны способы определения градиента магнитного поля путем аналитических вычислений либо путем непосредственного измерения, например, датчиком Холла.Однако аналитические вычисления градиента не всегда обеспечивают достаточную точность, поскольку предполагают ряд допущений, а измерение датчиком Холла достаточно сложно и требует дополнительного громоздкого оборудования.Весьма часто возникает необходимость определения градиента магнитного поля в воздушном зазоре между двумя магнитопроводами, обеспечивающими взаимно противоположное направление магнитных потоков, например, при измерении параметров магнитоодноосных монокристаллов. Для этого образец указанного материала помещают в воздушный зазор между двумя магнитопроводами и формируют в нем плоскую доменную стенку. При этом вы.псление градиента н обеспечивает необходимой точности, а его замер известыми способами доста. очно сложен.Цель изобретения - повышение точности измерении. Цель достигается тем, что по предлагаемому способу на образец монокристалла дополнительно воздействуют однородным магнитным полем смещения, перпендикулярным к плоскости образца, измеряют изменение положения доменной стенки н определяют искомый градиент как отношение изменения однородного магнитного поля к соответствующему изменению положения доменной стенки в 10 плоскости образца.На чертеже приведена схема устройства,реализующего предлагаемый способ.Два магнитопровода 1 и 2 соответственнос помощью обмоток 3 и 4, по которым проте кает постоянный ток, создают градиентное поле с напряженностями Н и Н 2 в зазоре между ними, поскольку направления потоков в магнитопроводах взаимно противоположны, В зазоре магнитопроводов 1 и 2 помещена пластинка 5 из монокристаллического магнитоодноосного оптически прозрачного материала (ортоферрит, ферритгранат) . Соленоид б создает однородное магнитное поле, перпендикулярное к плоскости пластины.Если в градиентное поле двух магнитопроводов 1 и 2 поместить тонкую пластинку магнитоодноосного монокристаллического материала, то в последней формируется плоская стенка, образованная двумя противоположно зО намагниченными областями. Если теперь на434343 ргайН =Ло Ю Состаивтель И. Суздалев Техред Н. Куклина Редактор И. Орлова Корректор В. Брыксина Заказ 2954/9 Изд.1772 Тираж 678 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 3намагниченную таким образом пластинку 5 воздействовать однородным магнитным полем от обмотки соленоида, имеющим определенную величину и направленным согласно с полем, напримермагнитопровода 1, то доменная стенка сместится вправо, поскольку ббльшая часть пластинки оказывается намагниченной по полю магнитопровода 1.Таким образом, дискретно увеличивая однородное магнитное поле Н соленоида 6 и измеряя смещение доменной стенки Ж, строят зависимость ЛН = / (Ы) и вычисляют градиент поля в любой его точке,Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с известным имеет более высокую точность, поскольку тарировка прибора, реализующего этот способ, производится при наличии испытуемого образца монокристалла,свойства которого исследуют на тарируемомприборе.Предмет изобретения5Способ определения градиента магнитногополя, создаваемого двумя противоположнонаправленными магнитными потоками, основанный на формировании плоской доменной10 стенки в магнитоодноосном монокристалле,отличающийся тем, что, с целью повышения точности, на образец монокристалла дополнительно воздействуют однородным магнитным полем смещения, перпендикулярным к15 плоскости образца, измеряют изменение положения доменной стенки и определяют искомый градиент как отношение изменения однородного магнитного поля к соответствующемуизменению положения доменной стенки в20 плоскости образца,