Система питания импульсного нейтронного генератора

Номер патента: 838778

Опубликовано: 15.06.1981

Авторы: Болотов, Гераскин, Мочикин

МПК: H01F 31/00

Метки: медицинс-ких, питания, приборов, трансформатор

...делительного трансформатор личивает размеры и стоимос рыНаиболее близким по технической сущности к изобретению является тр форматор для питания медицинских и боров, содержащий сердечник, на котором располохены первичная, вто ная и экранирующая обмотки, причем экранирующая обмотка расположена между первичной и вторичной обмотками и заземлена, что обеспечивает уменьшение токаутечки 2.Недостатком данного устройства является то, что электробезопасность обеспечивается путем зазеьотения медицинского прибора, что нево можно в аппаратуре классатипа СГ,стигаетсядля питанияодерхащийыми на немэкраннойная облоткао мехдуотелем напвыводамяя точкаанной об838778 Формула изобретения ьх (э-и) Сост авит ель В. Ли с опецкая Техред Е.Гаврилешко/77...

Номер патента: 1455926

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Арзубов, Исаев, Луконин, Рябчиков

МПК: H01J 3/04

Метки: ионов, источник

...величину падЕриянапряжения на дуговом разряде междукатодом 1 и анодом 2. Таким образом,необходимо, чтобы к моменту достиже-ния плазмой анода 2 емкость С 1 заря.-дилась до напряжения, превышающегопадение напряжения на. дуге Б междуанодом 2 и катодом 1. Соотношение, определяющее данноеусловие, можно подучить исходя из 4 О следующих соображений. После пробояпромежутка между катодом 1 и"поджигающим электродом 4 плазма, формируемая катодным пятном вакуумной дуги,достигнет анода 2 за время 45Ь(1)7 олгде 1, - расстояние от катода 1 доанода 2;Ч. - скорость распространенияплазмы от катода к аноду.Исходя из условия, что за,время,распространения плазмы Ы емкость С,"должна зарядиться дб напряжения Ос ,превышающего напряжение горения дуги бб...

Номер патента: 1625257

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Кондратьев, Петренко, Турчин

МПК: H01J 27/04, H01J 27/10

Метки: импульсный, ионов, источник

...1 О питания высоковольтное отрицательное напряжение; на боковые стенки разрядной15камеры 1 подается импульс высоковольтного напряжения положительной полярности с источника 2 питания. При этом заслонка электромагцитцого клапана 6 открывает отверстие 5 эмиссиина время, необходимое для выпуска ионов. 11 од действием разности потенциалов, возникающей между электрически изолированными от корпуса источника и друг от друга катодом 9 и боковыми стенками разрядной камеры 1, возникает процесс автоэлектронной эмисии с острых кромок катода 9.Этотпроцесс инициирует развитие газовогоразряда, Первичные электроны с катода и образованные ими в результате иоцизации рабочего газа медленные электроны, попадая в поле с высокой разностью электрических...

Номер патента: 818366

Опубликовано: 23.08.1987

Авторы: Виноградов, Карев, Обухов

МПК: H01J 27/04

Метки: ионов, источник

...полюс которого соединен с катодом, а положительный - с анодом, а также дополнительный источник питания, отрицательный полюс которого соединен с анодом.В известном источнике постоянные магниты введены внутрь газоразрядной камеры и электрически соединены . с боковой стенкой камеры, находящейся под потенциалом катода. Кроме того в. разряд, кроме основного анода, введены еще дополнительные (пристеночные) аноды, установленные в промежутках между полюсами магнитов. Положительный полюс дополнительного источника соединен с указанными пристеночными анодами. Таким образом, кро" ме основного разряда в пристеночной области газоразрядной камеры осуществляется несамостоятельный разряд в скрещенных Е х В полях.45 Цель эта достигается тем,...

Номер патента: 1395024

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Арзубов, Ваулин, Исаев, Рябчиков, Хлоповских, Шипилов

МПК: H01J 3/04

Метки: ионов, источник

...сеткой 4.Источник ионов работает следующим 55образом. 11 ри подаче с блока питанияи.коммутации на электрод 9 поджигающего импульса длительностью - 1-10 мкс и амплитудой 2-5 кВ по поверхности диэлектрического кольца 3 происходит пробой промежутка между поджйгающим электродом 9 и дополнительным элементом 5, расположенным напротив него. Образовавшаяся после пробоя плазма после расширения создает дуговой разряд между данным дополнительным элементом 5 и анодом 2 за счет энергии, запасенной например, в емкостном накопителе 1.9. В этом случае амплитуда тока разряда определяется величиной зарядного напряжения и значением сопротивления резистора К 1.Длительность Формируемого импульса ионного пучка определяется длительностью разряда между...