Датчик давления в коллекторе электрической машины

Номер патента: 270075

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Голубев, Савин

МПК: G01L 17/00, G01R 35/02

Метки: датчик-преобразователь, устройства

...обмотки 3, являющейся ипдуктивностью колебательного контура.Каждая половина обмотки расположена на расстоянии / от вершины соответствующего полюса, определяемом разрешающей способностью датчика для конкретного диапазона р. Так, например, для кристаллов, о которых находится в пределах 0,01 - 0,1, это расстояние 0,8 в 1 хглг.Рабочая частота датчика - десятки лгггг, а амплитуда напряжения па контуре (О) порядка 10 в. Допустимые уходы начального напряжения и частоты -4-5%, Допустимый допуск на сторону кристалла не должен превышать 0,1 лг,1 г.Работа датчика основана на использовании эффекта возшгкновенпя потерь на вихревые токи в образце, помещенном в электромагнитное поле.До начала измерения добротность Яс колебательного контура,...

Номер патента: 594418

Опубликовано: 25.02.1978

Авторы: Лучников, Солотов, Тиняков, Травкин

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчик

...датчик имеет постоянную выходную характеристику, что ограничивает диапазон измеряемого давления и его чувствительность. в корпусе с помощью кольцевого изолятора.На иг. 1 п ставлен о ин из ваФ Редриантов схемного исполнения датчика давления) на фиг. 2 - график зависимости выходного напряжения датчика от измеряемого давления прн различных управляющих давлениях.Корпус датчика давления состоит из двух металлических цилиндров 1 и 2, между которыми с уплотнением зажима" ется предварительно натянутая метал- лизированная мембрана 3, выполненная из полимерной пленки, которая гальванически соединена с корпусом датчика,В цилиндре 1 на кольцевом изолято ре 4 установлен выполненный в виде гиф кой мембраны противоэлектрод 5. В полость...

Номер патента: 632009

Опубликовано: 05.11.1978

Авторы: Гвердцители, Каландаришвили, Кашия, Шартава

МПК: H01J 45/00

Метки: выхода, коллектора, поверхности, преобразователя, работы, термоэмиссионного, уменьшения

...слоя в виде сое.Динения висмута с цезием, снизить632009падение напряжения на этом слое иповысить выходную удельную мощностьТЭП в среднем на 30. Для реализации предложенного способа была использована установка,представленная на чертеже. 5Установка содержит контейнер 1 сцеэием, .двухходовой вентиль 2, резервуар 3 из молибдена с висмутом,вентиль 4, с помощью которой резервуар с висмутом отсекался от ТЭП, 10цилиндрический ТЭП 5, вакуумную каме-"Ру 6, термостат 7 для цезия, приборный геттер 8, дистиллятор 9 ихолодильник 10 дистиллятора.После обеэгаживания вакуумноцезиевой системы до остаточного давления 110 торр резервуар 3 с вис-мутом отсекают от прибора, вентиль .2 закрывают в сторону прибора, вскрывают ампулу с цезием и с...

Номер патента: 833110

Опубликовано: 30.07.1983

Авторы: Гвердцители, Каландаришвили, Кашия, Чкадуа

МПК: H01J 45/00

Метки: выхода, коллектора, поверхности, преобразователя, работы, термоэмиссионного, уменьшения

...эмиттера приводит к снижению оптимального парциального давления па" ров цезия, что позволяет снизить потери на плазме, увеличить токовую составляющую вольт-амперной характерис" тики (БАХ ) и повысить выходную удельную мощность ТЭП.Использование изобретения дает возможность одновременно увеличить выходное напряжение ТЭИ и плотность тока, снимаемого с эмиттера, что приводит к повышению выходной удельной мощности ТЭП на 503 по сравнению с жидким цезием ы на 203 по сравнению с бинар" ной системой Сэ-В 7.На фиг.представлена установка для реализации описываемого способа; на фиг. 2 - ВАХ для бинарной смеси паров цезия и висмута.Установка содержит контейнер 1 с цезием, двухходовой вентиль 2, резервуар 3 из молибдена с висмутом, вентиль , с...

Номер патента: 1298811

Опубликовано: 23.03.1987

Авторы: Оганезов, Тимошенко, Цхакая

МПК: H01J 45/00

Метки: выхода, коллектора, преобразователя, работы, термоэмиссионного

...резко переходит во второе плато, соответствующее многослойному адсорбированному покрытию.В области Т ( Т выражение (1) записывается50звездочкой отмечены значения )и Г приТ .=Т. В произвольнои точке кривоин 55Ч, (Т ) )ге=х+т.+кттп 1(фн)-е - 1Л/а Мыми О+ ь) 112Поскольку измерения 7:. и Хс производятся относительно реперного уровня Ч;с Т, можно записатьт):-У - тт= - ( :) + Те0 1+гР Ф(1+:к) )ледовател ьнок=/тес:-.- т - l,+Хк - КТе 1 п ":к 1+(2));е 1Расчет показывает, что зависимость логарифмического члена ь(2) от температуры коллектора с достаточно высокой точностью (не хуже +-0,005 эВ) можно экстраполировать линейной зависимостью 1,4 10(Те -Т,т). В результатеХ = Ч-тс к - Ч +Х - 1,4.10" (Те - Те) (3)Пример. Измеряется работа выхода...