410271

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельст Заявлено 31,111,1972 ( 1765749/18-10)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 05.1,1974. Бюллетень1 М. Кл. б 011 9 асударственныи комитетСовета Министров СССРпо делам изобретенийи открьпий К 537.787.91,(088 ата опубликования описа. Алексеев, Ю. И. Мартынов и В. Н, Трофимов Заявите ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ С МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯМИНа чертеже изображен предлагаемыи датчик,Датчик состоит из корпуса 1, мембраны 2,магнитной системы 3 и концентратора 4, при5 этом рабочий зазор магнитной системы образован торцовыми поверхностями магнитопроводов 5 и 6 и дополнительными магнитопроводящими секциями 7 и 8, соединенными смагнитопроводами через магниторезисторы 910 и 10 таким образом, что торцовая поверхностьмагнитопровода 5 находится против дополнительной секции 8, а торцовая часть магнитопровода 6 - против секции 7. Концентратор 4,жестко связанный с мембраной 2, расположен15 в зазоре магнитной системы и имеет толщину,сравнимую с толщиной магнпторезистора. В зависимости от по верхнего или нижнего постыл протекает либ ры и дополнительные цовые поверхности, мДатчик работает сл Измеряемое давлен бране 2, перемещает темы концентратор 4, нитным потоком, созд темой 3, При этом в системы поток управл зом. Если концентрат Изобретение относится к области приборостроения, в частности к датчикам давления с магниторезистивными преобразователями.Известные датчики имеют малую чувствительность, что требует применения чувствительных элементов с большим ходом для получения значительного изменения магнитного потока, пронизывающего магниторезисторы, и большого уровня выходного сигнала с датчиком, Кроме того, наличие в них больших сил механического магнитного поля на чувствительные элементы сильно уменьшает точность датчиков,Цель изобретения - повышение чувствительности датчиков давления с малым ходом чувствительного элемента, увеличение точности, повышение устойчивости к действию вибрационных и линейных перегрузок, увеличение их собственной частоты. Это достигается тем, что магнитная система снабжена дополнительными магнитопроводящими секциями, соединенными с магнитопроводом через магниторезисторы, расположенные в плоскости, перпендикулярной плоскости рабочего зазора, образованного двумя поверхностями матнитопроводов и дополнительными магнитопроводящими секциями, а концентратор, жестко связанный с мембраной, имеет толщину, сравнимую с толщиной магниторезистора,ложения концентратора, , матнитный поток поло через магниторезистосекции, либо через торинуя магниторезисторы, едующим образом, ие, приложенное к мемв зазоре магнитной сискоторый управляет магаваемым магнитной сислевой части магнитной яется следующим обраор 4 находится противорректор Т. Хворова илиппова Редакт Тираж 760Совета Министров Си открытийя наб д. 4/5 аказ 1037/9 Изд.362 ЦНИИПИ Государственного комите по делам изобретении Москва, Ж, РаушскПодписноеР ипография, пр, Сапунова, 2 торцовой части магнитопровода 5 перед магниторезистором 9, то магнитный поток полностью проходит через торцовую поверхность магнитопровода 5 параллельно магниторезистору 9,При подаче давления и перемещении концентратора вверх, в сторону дополнительной секции 7, часть магнитного потока, искривляясь, проходит через магниторезистор 9. При дальнейшем перемещении, когда весь концентратор будет находиться за магниторезистором, против секции 7, весь магнитный поток соответственно будет проходить через магниторезистор 9. Аналогичное управление потоком происходит в правой части зазора магнитной системы при перемещении концентратора вниз. Таким образом, при толщине концентратора, сравнимой с толщиной магниторезистора, перемещения одного порядка с толщиной магниторезистора позволяют создавать большие градиенты магнитного поля по всей площади магниторезистора, т, е. обеспечиваютвысокую чувствительность датчика. Предмет изобретения 5 Датчик давления с магниторезистивнымипреобразователями, содержащий корпус, мембрану, концентратор, магнитную системы и магниторезисторы, о тл и ч а ю щи й с я тем, что, с целью повышения чувствительности дат чика, увеличения точности, повышения механической устойчивости, магнитная система снабжена дополнительными магнитопроводящими секциями, соединенными с магнитопроводом через магниторезисторы, расположен ные в плоскости, перпендикулярной плоскостирабочего зазора, образованного двумя поверхностями магнитопроводов и дополнительными магнитопроводящими секциями, а концентратор, жестко связанный с мембраной, имеет 20 толщину, сравнимую с толщиной магниторезистора.