407249

Номер патента: 911661

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Березин, Паламарчук, Петров

МПК: H01P 7/00

Метки: ортогонального, резонансная, свч, типа

...и расположенными на росстоянии четверти рабочей длины волны от торцовых стенок резонатора ) 2),Стержни действуют как торцовыестенки резонаторов для соответствующей поляризации волны, но являютсяпрозрачными для волны с противоположной поляризацией.Основным недостатком известнойконструкции является то, что областьоднородного СВЧ;поля сосредоточенав узкой части объема резонатора ортогонального типа вдоль его геойетрической оси. Параметр степени однородности распределения СВЧ (Р),15 например, для волновода с квадратнымсечением,определяемый для типовволн НО и Н как отношениейф 2 кЕк+Е в 1 п (а к) +з 1 п (а у)Ез 2огде Е - напряженность электрическо-ого поля на центральной осиволновода;Е - составляющая электрического поля волны НЕ...

Номер патента: 1045307

Опубликовано: 30.09.1983

Автор: Фатеев

МПК: H01J 25/34

Метки: 0-типа, прибора, сборки, свч

...пакете.Упругие напряжения спирали послепрекращения ее предварительного деформирования (снятия с нее внешних усилий) стремятся возвратить еек недеформированному состоянию,за счет чего спираль закрепляетсяна введенной внутрь ее (в ее полость) оправке - деформация спира-.ли Фиксируется.Если расположить диэлектрическиеопоры вдоль точек наибольшей деФормации спирали, направленной кее оси, то диаметр окружности, описанной вокруг наиболее удаленныхот оси спирали точек диэлектрических опор, уменьшается по сравнениюс аналогичной величиной при неде-Формированной спирали.После прекращения механическогодеформнрования баллона последний,стремясь вернуться к недеформированному состоянию, обжимает спираль и закрепляет замедляющую систему, При этом...

Номер патента: 1491243

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Алямовский, Масленников, Матюшин, Муравьева

МПК: H01J 1/20, H01J 23/07

Метки: о-типа, прибор, свч, электровакуумный

...пределах оиределл. тся для данной коцст 1)у(1 и пушки рабочими темпердтурдии ).(1(.ктродов и КТР материалов катодаВ(г)Э ТасОбозцлч 111) КТР 11 т ( 1)(д(л )1) (1., Катода Сэ, Д СООТНЕТСТ ТЭУН)ЩЕ Р 1 Ц)Д- щения температур относитеЬцо комнатной ЛТ, и ДТ полу(им д)дь(сэт= рдльцый зазор между ВФЭ и катодом с 1, (1 .т 1 дТ ) -(1,(1 + (э, д Т,) Усовце существонация гарантированного злзо"А- (11 эа приниклет е 1 Тд --- (ь)1,Е 1 Т -с(,.1 ТгПроведенные рдсчеть дэи к(;ООксидцого катода из цик(.Л 51 с теми рлтурой 700-800 "С и ВФЭ из енобо с) онструкционного материала, включая нержавеющую сталь, обладаюкую наибольшим КТР с, = 1,9 10-э град , и для им- ПРЕГНИРОНЛННОГО МЕтаэЛОПс)РЦСтОГО КД- тодд с рабочей температурой 1020- 1270 С из пористого...

Номер патента: 1312494

Опубликовано: 23.05.1987

Автор: Петренко

МПК: G01R 27/06

Метки: волны, генератора, коэффициента, свч, стоячей

...предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к радиоизмерениям и предназначено, в частности, для измерения коэффициента стоячей волны СВЧ-генератора или связанного с ним известной зависимостью модуля коэффициента отражения СВЧ-генератора в реальном рабочем режиме.Целью изобретения является обеспечение возможности измерения коэффициента стоячей волны неразвязанного СВЧ-генератора в рабочем режиме.На чертеже изображена структурная электрическая схема устройства, реа" лизующего способ определения коэффициента стоячей волны СВЧ"генератора.Устройство содержит исследуемый СВЧ-генератор 1, проходной переменный фазовращатель 2, переменный рассогласователь 3, преобразователь 4 мощности, вычислительный блок 5, индикаторный...

Номер патента: 1077501

Опубликовано: 23.08.1985

Авторы: Воробьев, Кириченко, Цвык, Шестопалов

МПК: H01J 9/42

Метки: коэффициента, плазменной, приборах, редукции, свч, частоты

...поток возбуждает однолепестковую диаграмму направленности излучения.Следовательно, устанавливая плот-,55 ность тока (2), всегда получают од-нолепестковую диаграмму 3 направления излучения (фиг. 1) с максимальной ин+ с 2 ус црсс 05 Г = - . -(бб 1 +я ч. ыЕ ыч-О Ю .-1 Я в + о ов и 2) при измерении угла Г = Г + о(-15 ЗИ -1 бв.оЙ=6 8 (О (У лсов Г -совГ ) (4 а. Формулами (4), (4 а) удобно пользоваться, если одна из диаграмм 4 или 5 близко ирилегает к поверхности дифракцИОННОй рЕШЕтКИ (фИГ, 3; бв(- ) Г,огде 29 - ширина диаграммы направленности дифракционного излучения),Следует отметить, что если один из углов с( (фиг,3,4) или оба эти угла одновременно (фиг.5,6) пунктирными диаграммами 4,5 близко прилегают к поверхности дифракционной решетки,...