404039

Номер патента: 219793

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Пур

МПК: G01B 11/24

Метки: асферической, линзы, поверхности, полированной, положительной, формы

...положительных линз, которая совместно с контролируемой асферической поверхностью дает безаберрационное изображение источника света, установленного на конечном расстоянии или в бесконечности.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что, с целью повышения точности контроля, на сферическую поверхность линзы па время контроля наносят зеркально отражавший слой.На чертеже дана схема устройства для осуществления описываемого способа.На сферическую или плоскую поверхность 1 линзы 2 наносят зеркально отражающий слой и устанавливают точечный источник 3 света на заданном расстоянии от линзы. Оценку качества поверхности производят при помощи микроскопа 4 теневого или интерференционного устройства, При этом, если первая поверхность линзы...

Номер патента: 1674044

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Березенцева, Савоськин, Самсонова

МПК: G02B 11/34

Метки: объектив, светосильный, широкоугольный

...а шестой - положительный мениск, обращенный вогнутость к изображению. 1 ил. выполнен из склеенных между собой двояковогнутой 3 и двояковыпуклой 4 линз, второй компонент представляет собой склеенные между собой три линзы 5, 6, 1 - соответственно двояковыпуклую, двояко- вогнутую и двояковыпуклую, третий компонент - двояковогнутая линза 8, четвертый компонент - положительный мениск 9, пятый - плосковыпуклая линза 10, шестой компонент - положительный мениск 11, обращенный вогнутостью к изображению. Между линзами 7 и 8 расположена действующая диафрагма 12 диаметром 5,1 мм, удаленная от линзы 1 на расстояние 2 мм;В качестве примера конкретного выполнения расчитан объектив со следующими основными характеристиками;фокусное расстояние Те 5,4...

Номер патента: 892205

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Заболотский, Подобрянский

МПК: G01B 11/00

Метки: линз, положительных, расстояний, фокусных

...1 с двумя штрихами А и В, два клина 2, 8922051 Па 1=кл Г, и а 1-цгде ЧКи Ч - - углы отклонения свеТПтовых пучков клиньями с инденксамии 1 соответственно; Я - фокусное расстояние объектива.Измеряя расстояние ЬУ между штрихами сетки А и В 1 (фиг. 3 и 4) с помощью окуляра-микрометра или по шкале, помещенной в задней фокальной плоскости объектива, можно определить величину отклонения Фо 40 объектив 3, окуляр-микрометр 4 и контролируемую линзу 5.Контролируемую линзу 5 помещаютмежду сеткой 1 и клиньями 2 так, чтобы сетка 1 находилась в ее переднейФокальной плоскости.Устройство работает следующим образом.Два коллимированных пучка лучейпосле контролируемой линзы, соответствующие двум штрихам А и В сетки 1,отклоняются клиньями 2 и попадают на...

Номер патента: 1244630

Опубликовано: 15.07.1986

Авторы: Голенко, Дягилева, Комар

МПК: G02B 13/08, G03H 1/04

Метки: записи, изображения, объектов, объемного

...объекта в плоскости 4.Одновременно с этим лучи, несущие информацию о вертикальной состав.ляющей обьекта, проходят через первую группу линз 5-8 как через плоскопараллельную пластинку, попадаютво вторую группу линз 9-11, в которой претерпевают преломление и даютрезкое изображение меридиональнойсоставляющей объекта в плоскости,где располояен носитель 3 записи,Таким образом, без растра анаморфот не обеспечивает совмещение двухсоставляющих изображения в однойплоскости.Поскольку растр состоит из вертикально расположенных цилиндрическихлинз, то он не оказывает влиянияна лучи, несущие информацию о меридианальной составляющей изображенияобъекта, и эти лучи формируют изображение в плоскости носителя 3 за 40писи, Лучи, несущие информацию...

Номер патента: 1497773

Опубликовано: 30.07.1989

Автор: Оганджанян

МПК: H05H 7/04

Метки: квадрупольного, линза, магнитная, типа

...удаленных участков будетпорядка 10 .Магнитная линза работает следующим образом,Включают источники 4 питания ипучок заряженных частиц вводят в маг.нитную линзу, В первом варианте выполнения магнитной линзы (Фиг.1)поля, создаваемые проводниками стоком в двух противоположных секторах, фокусируют пучок заряженныхчастиц в одном направлении и дефокусируют в другом, а поля создаваемыепроводниками иэ двух других секторов,дефокусируют пучок заряженных частицв первом направлении и фокусируютво втором. Пучок заряженных частицпроходит через чередующиеся участки,где сильнее поле от проводников топервой пары секторов, то второй,чем и достигается жесткая фокусиров"ка пучка заряженных частиц магнитнойлинзой квадрупольного типа. Во втором варианте...