401646
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 401646
Текст
.овбтЮИ 1 тлистическихкпублик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельствааявлено 06.Ю.1971 ( 1645882/29-33) М. Кл, С 03 с 7100 исоединением заявки-атеенныи камитеМиниатрае СССРам изабретений аткрытий риоритетпубликовано 12,Х.1973. Бюллетень41 ата опубликования описания 22,11.1974 ДК 666.1.056 (088.8) Багалей, Р нер, Г. Ееленская ни Маламуд, В,авриленко и 3овская,ь ЛУПРОВОДЯ ЭМА обретение может быть использовано для и изоляции высоковольтных обмоток ических машин от коронировация.стна полупроводящая эмаль с целнцейвисимостью сопротивления от нацря;ти электрического поля, включающая )к карбида кремния.изобретения - получение эмали со ьными характеристиками.достигается тем, что эмаль дополнисодержит лак, например, пентафталези следующем соотношении компонент. %):душок карбида кремнияэазмерами зерен 14 - 40 мк 50 - 71 например, пентафталевый 29 - 50 проводящую эмаль готовят на основе тельно недорого и недифицитного отецтого сырья. Она содержит в основе орошки зеленого абразивного карбида тя марок КЗМ, КЗМ, КЗМ, честве связующих могут быть примеце.рмореактивные изоляционные смолы, ющие высокими диэлектрическими вами и высокой короностойкостью, Для ния высокой стабильности эмали целезно применение связующих, плецкооб.ние в которых происходит только за даления растворителя (физического вытя), которые после удаления растворителя образуют окончательно уплотненнуюструктуру, что исключает последующее уплотнение пленки и изменение условий коцтактировация частиц кдрбцдд кремния,Так как предельные объемные концентрации для порошков различных зернистостейразличны, то составы эмалей с порошкамикарбида кремния различных зернистостей будут разными. Так, например:0 Состав ЛЪ 1 (об. О/)Порошок карбида кремнияКЗМ50Лак пецтафталевый 50Состав2 (об %)Порошок карбида кремнияКМЗ58Лак пентафталевый 42В качестве лаков, в зависимости от требуемых свойств покрытия, могут быть примене 0 цы нитролакп, нитро-глцфталевые лаки, глифталевыс, пентдфталевые лаки и др.Полупроводящая эмаль, используемая длязащиты высоковольтной изоляции обмотокэлектрических машцц от короцировация ха 25 рактеризуется нелинейной зависимостьюудельного поверхностного сопротивления отнапряженности электрического поля в пределах от р,=10" - 10" ом до р,=10 - 10 омпри изменении напряженности поля от30 Е=1 кв,см до Е=10 кв/см,40646 Предмет изобретения содержит следую50 - 71 29 - 50 Составитель М, Стоянова Техред Т. Миронова Корректор Л. Царькова Редактор Г. Кузьмина Заказ 324,9 Изд. 1 Ча 150 Тираж 496 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4,5Типография, пр, Сапунова, 2 Полупроводящая эмаль с нелинейной зависимостью сопротивления от напряженности электрического поля, включающая порошок карбида кремния, отличающаяся тем, что, с целью получения эмали со стабильными характеристиками, она дополнительно лак, например, пентафталевый, при щем соотношении компонентов (об. Порошок карбида кремния с раз 5 мерами зерен 14 - 40 мк Лак, например, пентафталевый
СмотретьЗаявка
1645882
МПК / Метки
МПК: C09D 5/25
Метки: 401646
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-401646-401646.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">401646</a>
Способ получения карбидов бора, кремния и титана
Номер патента: 55959
Опубликовано: 01.01.1939
Автор: Тихонов
МПК: C01B 31/36
Метки: бора, карбидов, кремния, титана
...позволяющей заменить ими на ряде операций алмазную пыль и алмазные круги. В.ряде случаев требуется получать карбиды, содержащие минимальное количество примесей; при этом они должны обладать повышенной твердостью.Получение карбидов высокой чистоты ротивления одимостью оды - докцию. Кролового по- материала, кристаллипечи трудв электрических печах соп и дуговых затруднено необх применять графитовые электр рогую и дефицитную проду ме того, неравномерность теп ля приводит к получению неоднородного по составу и зации. Герметивировать эти Для получения чистых карбида бора, кремния и титана автором настоящего изобретения предлагается реакцию образования карбидов проводить в высокочастотной индукционной (бессердечниковой) электропечи, При этом...
Способ изготовления труб из кремния или карбида кремния и устройство для его осуществления
Номер патента: 593646
Опубликовано: 15.02.1978
МПК: B01J 17/32
...ета Совета Мииистровй и открьггидушскаи иаб., д, 4/5 го комит изобретеи ЖЗЬ, Р Государствеипо делам 35, Москва ППППа тъ,г.У род, уя. или ет токовые контакты, снабженные патрубками для ввода и вывода газов, содержащих кремний или карбид кремния. Кожух может быть снабжен средствами ввода и вывода инертного газа, чтобы защитить графитовый носитель от обжига во время нагревания.На чертеже изображено предлагаемое устройство. Оно содержит трубчатое полое тело из графита 1 с токовыми контактами по бокам 2 и 3, которое используется в качестве .носителя для внутреннего осаждения полупроводникового материала, Для этой цели графитовая трубка 1 снабжена затворами для впуска 4 и выпуска 5 газа для реакции. Для защиты тлеющего графитового тела 1 во...
Способ получения частиц кремнезема с покрытием из углерода для производства кремния или карбида кремния в электропечи
Номер патента: 1080740
Опубликовано: 15.03.1984
Автор: Герт-Вильгельм
МПК: C01B 33/02
Метки: карбида, кремнезема, кремния, покрытием, производства, углерода, частиц, электропечи
...противотоком водяного пара и инертного газа. жидком виде с температурой 250 ОС,кипящий слой используют при 500-700 Си полученные частицы кремнезема спокрытием иэ углерода при 600-800 Сотводят иэ нижней части кипящегослоя, причем частицы, покрытиекоторых содержит углерод в количестве, меньшем стехиометрического, смешивают с исходным кремнеземом ирециркулируют в кипящий слой.Кипящий слой создают и поддерживают подачей противотоком водяногопара и инертного газа,На чертеже представлена установкадля осуществления предлагаемого способа.В реактор 1 по трубопроводу 2вдувают кремнезем с температурой600-800 ОС. При помощи водяного параи инертного газа, подаваемых раздельно по трубопроводам 3, 4, создаетсяи поддерживается кипящий слой 5...
Способ измерения индукции магнитного поля
Номер патента: 1188682
Опубликовано: 30.10.1985
МПК: G01R 33/06
Метки: индукции, магнитного, поля
...распределения концентрации электронно-дырочной плазмы, вызванные соответствующими распределениями температур, показанными на фиг. 1, а также величины средней концентрации носителей в магнитном поле, вызванные этим распределением.Пунктирные кривые 6 и 7 обозначают величину средней концентрации носителей электронно-дырочной плазмы в отсутствие магнитного поля при температурах То и ТьКривые 8 и 9 (фиг. 2) показывают распределенияя концентрации электронно-дырочной плазмы в магнитном поле при разных его полярностях в случае нагрева полупроводникового датчика током, т. е, в отрицательной ветви 5-образной ВАХ. Кривые 14 и 15 - величины средних концентраций, вызванные этими перераспределениями в магнитном поле. Кривые 10 и 11 - распределение...
Способ изготовления электрического соединителя и способ изготовления концентратов магнитного поля полюсов магнита для изготовления электрического соединителя
Номер патента: 1718279
Опубликовано: 07.03.1992
Авторы: Карантиров, Мокеров, Пережогин, Репин
МПК: H01B 5/16, H01R 11/01, H05K 1/18
Метки: концентратов, магнита, магнитного, полюсов, поля, соединителя, электрического
...соединителя, включающем формирование кернов из магнитопроводящего материала, разделение их магнитонечувствительным диэлектрическим материалом и закрепление на полюсах магнита, магнитопроводящий материал наносят на комплект полимерных пленок с одной стороны и формируют магнитопроводящие параллельные дорожки, например, посредством фотолитографии, после этого пленки скрепляют в пакет разноименными сторонами одна к другой с сохранением параллельного расположения магнитопроводящих дорожек, разрезают пакет на части перпендикулярно магнитопроводящим дорожкам перед закреплением их на полюсах магнита.На фиг. 1 показан электрический соединитель в момент формирования его проводников и отверждения полимера в магнитном поле концентраторов...