Устройство искровой записи

Номер патента: 952619

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Вилков, Елизаров, Зимицкий, Чигринский, Шуваев

МПК: B28D 1/18

Метки: пластин, полупроводниковых, резки

...19 с зазором установленыцилиндрические штанги 21, концы которых жестко закреплены в корпусе. 30Большее основание вакуумного стола 5 имеет постоянные магниты 22.Устройство работает следующим образом.Перед началом обработки, узел 6 сов 3 Фмещения настраивают относительнолинии реза, чля чего на вакуумномстоле 5 закрепляют пробную пластину и надрезают ее. Затем визирнуюлинию оптического устройства сов Омешают с линией реза. В дальнейшемвизирная линия служит базой приориентации рабочих пластин. Рабочуюпластину 23 закрепляют совместно сметаллическим кольцом 24 на адгези-онной пленке 25 и устанавливаютна вакуумном столе. При этом металлическое кольцо притягивается к магнитам 22 и пленка облегает конус стола.В этом случае алмазный круг...

Номер патента: 1123467

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Георгобиани, Грузинцев, Дону, Спицын, Тигиняну

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводникового, слоев, соединения, тройного

...слоя образующегося тройного соединения СЙСа,Б 4, ПриТ ( 693 К процесс "залечивания" радиационных дефектов идет крайне медленно, и .и-этому требуется время отжига1800 с, Если проводить отжигменее 600. с, то решетка нового соеинения не успевает упорядочиться.,.ля высоких температур отжига Т753из подложки СЙБ начинается улетучивание кадмия и серы, а внедренный галлий диффундирует по всемуобъему подложки,. так что в поверхностном слое его становится недостаточно для образования СИСа Б 4.При дозах внедрения, меньших 10 " смв любой точке подложки СЙБ галлиянедостаточно для образования новоготройного соединения, а при дозах,больших 10 см 2, на поверхностиподложки образуется слой галлия,ухудшающий оптичеСкое свойствасистемы СЙСаБ-...

Номер патента: 617271

Опубликовано: 30.07.1978

Авторы: Белов, Герасимов, Карпов, Красавина, Сурогин, Цыпкин, Чернышев

МПК: B28D 1/18

Метки: пластин, полупроводниковых, резки

...гайка для продольной подачи,снабженная приводом подачи, кинематически связана с винтом салазок, имеющимвозможность вращательного движения вЗО опорах.3На чертеже дана кинематическая схема предлагаемого устройства для резки пластин полупроводниковых материалов.Устройство состоит из корпуса 1 с направляющими 2 и неподвижно закрепленным ходовым винтом 3, снабженным гайкой 4 для продольной подачи, жестко связанной с червячным колесом 5 и винтовой шестерней 6. Червячное колесо 5 входит в зацепление с червяком 7, являющимся при О водам подачи, а винтовая шестерня 6 входит в зацепление с винтовой шестерней 8, которая жестко закреплена на ходовом винте 9 поперечной подачи, связанном с салазками 10 при помощи опор 11 враща тельного движения,...

Номер патента: 1712163

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Метелев, Шепелев, Шуваев

МПК: B28D 7/00

Метки: пластин, полупроводниковых, резки

...между направляющими и подпятниками подается через отверстия малого диаметра, Аэростаические подпятники 14-17 имеют возможность регулировки.с помощью винтов 18, Конструкция всех подпятников одинаковая,Устройство работает следующим образом,Перед началом работы нэ устройстве производится выставление параллельности плоскости вакуумного стола 5 относительно плоскости поперечных чаправляющих шпинделя 7, что осуществляется следующим образом. С помощью зинтов 18, обеспечивается стопорение кар,ток продольной 3 и поперечной 4 подач на призматических направляющих 10 и 11, после чего, ослабляя давление подпятников 14 и 16, добиваются свободного скольжения кареток 3 и 4 при минимальных зазорах, обеспечивая при этом максимальную жесткость системы...

Номер патента: 1736541

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Беленький, Ганкина, Кевер, Кондрусик, Костюк, Литвинова, Малахова, Рубан, Федосеев

МПК: B01D 15/08, B01J 20/10

Метки: пластин, слоя, состав, тонкослойной, хроматографии, хроматографического

...снитографического слоя высока,лоя высокая, что позволяет жением эффективности разделения и ухуддостичь эффективностьфф с ь 520 т,т, и чувстви- шением чувствительности детектирования,тельность детектирования, мкг,0,03 мкг, 40 Повышение концентрации полиакриламида-з,П р и м е р 6. В условиях примера 4, но до 14,0 . 10 % (пример 19) не сопровождабез добавления полиакриламида получают ется улучшением положительного эффектапластины для ТСХ, Пластины визуально пластин.П р и м е р ы 20-23, Получают высокоскольку основная масса люминофора сосре эффективные пластины для ТСХ в условияхдоточена в нижней частиижней части слоя. примера 5 при изменении содержания силиП и м е 7. В условиях примера 5 при казоля: пример 20 2,2; пример...