Множителыю-делительное устройство

Номер патента: 249770

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Зорин, Коробкин

МПК: G06F 9/50

Метки: приоритетности, сигналов, управляющих

...образом, При включении питания все триггеры входного запоминающего регистра устанавливаются в исходное (нулевое) состояние сигналом по шине 5, в результате чего на выходе вентилей блокировки 10, 12, 14, 16 появляется положительный сигнал, который устанавливает триггеры 18 - 21 промежуточного запоминающего регистра в исходное состояние. После этого устройство готово к работе,Допустим, что от двух абонентов одновременно поступили импульсные сигналы по шинам положительной полярности 1 и 3. Эти сигналы установят в единичное состояние триггеры б и 8 входного запоминающего регистра, Сигналы с единичных выходов этих триггеров через вентили блокировки 11 и 15 устанавливают в единичное состояние триггеры 18 и 20 промежуточного запоминающего...

Номер патента: 1003374

Опубликовано: 07.03.1983

Автор: Панченко

МПК: H04L 7/06

Метки: выделения, импульсной, параметрами, переменными, последовательности, сигналов, тактовой, частоты

...импульсов запрета первого подканала, которые поступают к второму входу первого элемента И 9, а отрицательные 0 дифференциалы обратной связи, прошедшие через включенный в обратном направлении четвертый детектор 6 (Фиг. 2 И) и преобразованные вторым инвертором 8 в положительные дифференциалы (фиг. 2 к) , используются в качестве дифференциалов обратной связи первого подканала, поступающих к разрешающему входу второго элемента 14 запрета, и импульсов запрета второго подканала, которые поступают40 к второму входу третьего элемента И 11.В случае совпадения передних фронтов входных диФФеренциалов первого . 4 подканала с началом тактового интервала Т, а передних фронтов входных дифференциалов второго подканаласо срединой тактового интервала Т,...

Номер патента: 1185394

Опубликовано: 15.10.1985

Авторы: Авдюхин, Авдюхина, Колосов

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее

...микросхемаК 155 ИДЗ5 ОРабота устройства основана на следующем принципе.Пусть Е - максимальное число байтов, которое может быть размещенов ячейке накопителя 1. Число способов, которыми можно расположитьв ячейке накопителя 1 (фиг. 1) словаданного набора, равно числу р 1 с 1 Для рассматриваемого примера работы устройства в соответствии с фиг.2 и фиг. 3 максимальное число байтов, которое может быть размещено в ячейке накопителя 1 1 равно четырем.Тогда разрядность адреса байта равна двум. Примем значение разрядности указателя Формата равной двум, тогда число комбинаций группы слов в ячейке ограничено четырьмя вариантами, на (фиг. 4).Таким образом, в данном примере возможно девять различных комбинаций на входах дешифратора 16. Каждой из...

Номер патента: 292124

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Артамонов

МПК: G01R 35/00

Метки: двух, параметров, радиоэлектронной, схемы, элементов

...секция,Плоская прямоугольная секциялена из эластичного материала, нзины. Боковые кромки секции 1 о линдрические трубки 2 - б. Через трубки проходят тросики б - 9. Тросики охватывают ролики 10 - 17, установленные на осях 18 - 21. Оси 18 и 21, на которых укреплены ортогонально расположенные пары роликов 14, 1 б и 11, 13, снабжены ручками 22, 23 управления.Секция 1 прикреплена в точке 24 к тросику б, в точке 25 к тросику 9, а в точке 2 б - к соединенным вместе тросикам 8 и 7. В точке 27, являющейся началом координат, секция 1 к тросикам не,прикреплена.На плоской части секции 1 (см. фиг. 2) изображено поле распределения параметров в виде концентрических линий определенной вероятности. Здесь же указаны типы элементов и условия,...

Номер патента: 426602

Опубликовано: 05.07.1977

Авторы: Казанов, Сазанов

МПК: H01L 27/00

Метки: изоляции, интегральной, схемы, элементов

...кремния; исключит" образование кристаллитов на незащищенныхокислом участках поверхности монокристаллической подножки. Выполнение этих условийсущественно ограничивает технологические воз.можности, затрудняет получение воспроизводимыхрезультатов и отрицательно влияет на качествоизоляции, что снижает процент выхода годныхинтегральных схем и, соответственно, увеличиваетих себестоимость,Цель изобретения . повышение воспроизводимости параметров приборов,Цель достигается тем, что по предлагаемомуспособу на поверхности оклсной пленки до выращивания слоя кремния создают промежуточныйслой из тугоплавкого материала, температураобразования эвтектики которого с кремнием нижете мпературы энитаксиальноговыращиваниякремния. Для создания...