Защитный наконечник для термопары

Номер патента: 197225

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Борисов, Малышев

МПК: G01K 1/10

Метки: высокотемпературных, газоплотнб1й, защитный, наконечник, термопар, трехслойный

...изготовлении нного измерениялиццровацця гра10служит защцтоц от пара едмет цзобретени Защитный трехслойный газоплотцый наконечник для высокотемпературных термопар, внутренний слой которого выполнен цз алунда, отличающийся тем, что, с целью повышения его стойкости от действия расплавленного кремния и его паров, наружный слой выполнен из силицировацного графита, а промежуточный - из плотного графита. Известные наконечники для термопар прц воздействии жидкого и парообразцого кремния це достаточно стойки и быстро разрушаются,Предложенный трехслойный наконечник противостоит воздействию жидкого кремния и его паров, находящихся при температуре 1800 - 1900 С, ц отличается от известных тем, что наружный слой выполнен из еилицированного графита,...

Номер патента: 114031

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Виноградов, Данишевский, Красотин, Маликова, Моргулис, Романченко, Рутман

МПК: G01K 1/10, G01K 7/02

Метки: глинозема, наконечников, погружения, термопар, технического

...после чеговергается тонкому измельчени шаровых мельницах периодического действия или вибромельницах. Измельченный глинозем должен иметь зерна величиною менее 2 мк. Затем в глинозем добавляют двуокись титана в количестве примерно 0,8% по весу и связующее в виде парафина в количестве 23 - 304 и олеиновой кислоты 5 - 8% от веса парафина. Формовка наконечников осуществляется наращиванием на металлические стержни подогретой до 60 - 70 массы или литьем из водных суспензий в гипсовых формах.Отформованные наконечники обжигаются в засыпке из технического глинозема при температуре 1560 с выдержкой 30 часов.Такой способ изготовления наконечников обеспечивает их монолитность, равномерность толщины стенок и высокую плотность,редмет...

Номер патента: 152099

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Воронин, Красоткина, Левчук

МПК: G01K 1/08, G01K 1/14, G01K 7/02

Метки: графита, защиты, наконечников, погружения, силицированного, термопар

...удаляют из изделия (наконечников) свободный кремний.Сначала при 300 - 500 протекает процесс; ХН 4 С 1 - э ХНз 1 + НС 1 Хлористый водород вступает в реакцию с кремнием, в результате че образуется хлорид кремния: Я + 4 НС -ЯС 14 + 2 Н , а при 1400 - .1500 идет реакция: ЯС 14+ 2 Н - Я 4 НС 1 1 Кремний в атомарном состоянии наиболее полно вступает во взаимодействие с графитом: 514 С - %С при 1600 - 1800.При введении 5% ХН 4 С 1 повышается привес наконечников, причем не наблюдается разброса данных по привесу в одном обжиге. Материал наконечников на характеристику термопары не влияет.Проведенные испытания полученных по описанному способу наконечников из силицированного графита на стойкость в расплавленной меди при изменении температуры в печи...

Номер патента: 445857

Опубликовано: 05.10.1974

Авторы: Бейлин, Левин, Медведева, Рогельберг

МПК: G01K 7/02

Метки: низких, температур, термопара

...4 мкв прп зброс между показан не превышает 50 твительность - пор 15 мкв/град.ород- темями мкв. ядка ают высокой остью и ило- лектрическпх обретения ме Термопара д тур, содержащ род, выполнен ся тем, что, с 15 ствительности тур, снижения ности и повыш электрических моэлектрод вы 20 ди, содержаще 0,003 - 0,5% иля измерения низких темп ая положительный термоэл ный из меди, отличаю целью получения высокой в широком диапазоне темп термоэлектрической неодно ения воспроизводимости те свойств, ее отрицательный полнеп из сплава на основе го железо и литий в количе 0,0005 - 0,005% соответстве едлагаеа основе количе- оответстИзобретение относится к области тепловых измерений.Известны термопары для измерения низких температур, содержащие...

Номер патента: 974305

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Лукаш, Самойлов

МПК: G01R 31/26

Метки: ганна, диода, рабочего, слоя, температуры

...на границах рабочегослоя опредвляют по совпадению пороговых параметров импульсных вольт - амперных характеристик, измеренных соответственно при положительной и отрицательной полярностях импульсногонапряжения при внешнем нагреве диодас одноименными пороговыми параметрами при рабочем импульсном напряжениисмещения, измерительными с помощьюизмерительных импульсов той же полярности, после чего определяют для диода содносторонним отводом тепласредний градиент температуры в рабочем слое, а для диода с двухсторонним отводом тепла - тепловоесопротивление между границей рабочего слоя, на которую подан положительный рабочий потенциал греющегоимпульса напряжения и ближайшемтеплоотводящимэлектродом. Тепловоесопротивление самого...