379826

Номер патента: 721735

Опубликовано: 15.03.1980

Авторы: Зайцев, Кармишин, Савин

МПК: G01N 27/78

Метки: датчик, магнитного, резонанса, сигнала

...оси симметрии токонесущей полоски. Фарадеевскийэкран 9 расположен между приемнойкатушкой 5 и токонесущей полоской2 и электрически соединен с боковымистенками корпуса 1. Полосковый резонатор возбуждается со стороны укорочения при помощи регулируемых емкостей 10 и 11, в качестве которых могут быть использованы, например, варикапы. Образец. помещают внутри приемной катушки 5, смену образца производят через отверстие 12,Устройство работает следующимобразом.Датчик помещают в постоянное магнитное поле Но так, что силовыелинии поля Но перпендикулярны плоскости токонесущей полоски 2. Навход датчика подается радиочастотнаямощность, которая через емкости10,11 возбуждает в полосковом резо Если СС 1, ЭДС компенсации, вприемной катушке...

Номер патента: 1025997

Опубликовано: 30.06.1983

Автор: Серебряков

МПК: G01B 7/14, G01B 7/315

Метки: вала, вращающегося, датчик, радиального, смещения

...контРоля радиального смещения вращающегося вала, разрез; на Фиг. 2 " то же 53аид сбоку.датчик содержит неподвижный магнитопровод - статор 1 с расположенной в его пазу по периметру измерительиой обмоткой 2. Подвижный магнитопровод -9) ротор выполнен в виде двух пар поду" дисковых магнитомягких наконечни ков 3, 4 и 5, б и двух постоянныхмагнитов 7 и 8, ориентированных полюсами в противоположные стороны и расположенных параллельно оси ротора, каждый между соответствующей йарой полудисковых наконечников 3, 4 и 5, б соответственно. Пары полу- дисковых наконечников разделены диа магнитными прокладками 9 и 10.Датчик контроля радиального смещения работает следующим образом.При вращении рсеора с постоянными магнитами 7 и 8 происходит...

Номер патента: 1499199

Опубликовано: 07.08.1989

Авторы: Пилипенко, Ходунков

МПК: G01N 27/22

Метки: датчик, планарный, порозности, псевдоожиженного, слоя

...получить достаточно большую рабо" чую емкость датчика-конденсатора и значительное электрическое сопротивление термометра при сравнительно небольших габаритах преобразователя, Габариты меандра должны не менее чем в пять раз превышать средний диа" метр частиц псевдоожиженного слоя.Для создания теплового пограничного слоя значительной толщины у поверхности датчиков их необходимо размещать на массивном теле (пластине), снабженном устройством нагрева (охлаждения). Использование температурного датчика (термометра сопротивления) обеспечивает возможность исследования материалов, имеющих малую относительную диэлектрическую проницаемость с8. Данная возможность предоставляется за счет высокой чувствительности термометра к изменениям граничных...

Номер патента: 289352

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бабушкин, Кулик, Поль, Хович

МПК: G01L 1/14, G01N 27/90

Метки: датчиков, использованием, металла, напряжений, остаточных, поверхностно, слоях, токовихревых, упрочненных

...поясняется чертежом Намагничивающими обмотками 1 токовихревых датчиков, подключенными к звуковому генератору 2, в поверхности контролируемого образца возбуждают вихревые токи. С обмоток 3 токо- вихревых датчиков снимают сигнал, поступающий в анализатор 4 гармоник, фиксирующий также аплитуды четных гармоник.Определение остаточных напряжений производится следующим образом,Предварительно снимают амплитуды четных гармоник, когда в оба датчика помещены эталонные образцы. Затем заменяют один эталонный образец контролируемым и определяют амплитуды каждой четной гармоники. Приведенную амплитуду сигнала находят нз отношения разности амплитуд каждого номера четных гармоник сигнала с эталонного и контролируемого образца к...

Номер патента: 356548

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бендерский, Ожерельев, Пат, Сазонов, Соколов, Трубников

МПК: G01N 24/10

Метки: датчик, парамагнитного, резонанса, сигнала, спектрометра, электронного

...а = - и подаче на вход спирали СВ"1-мощности с длиной волнытоки по проводам опирали будут протекать в одном налравлении, В результате вдоль поверхностей спирали создается СВЧ.магнитное,поле, направленное по оси г. Поле однородно (без учета потерь в опирали) по оси г. Эффективная высота области сосредоточения поля равна шагу спирали Й. Налряженность СВЧ-магнитного поля Нз, у поверхностей1спирали = 1 эвт 1-. Ширина полосы пропускания предлагаемого датчика ( - 60 Мг.1 в диапазоне- 3 см) обеспечивает возможность работы на серийных спектрометрах ЭПР даже без применения системы автоподстройки частоты клистрона. Длина датчика ограничивается потерями356548 Составитель Е, ШульгинТехред А. Евдонов Корректор Т, Гревцова Рсдактор Н. Коляда Заказ...