Прибор с зарядовой связью

(32) ПриоритетОпубликовано 05.07,75. Бюллетень25Дата опубликования описания 02.11.75 1)М, Кл, Н 01113 Государственный каСовета Миниатровпо делам изобретеи открытий е р) ПРИБО Предлагаемый прибор состоит из полупроводникового слоя 1, например из баАЯ р - типа, на который с помощью, например, жидкостной эпитаксии нанесен слой 2 другого 5 полупроводника с более широкой запрещенной зоной, например из 6 ,.А 1,.АЯ. Концентрация примесей в этом слое должна быть такой, чтобы толщина обедненной области в нем превосходила его толщину. На слое 2 расположены металлические электроды 3, выполненные, например, из золота или олова, образующие с указанным слоем 2 запорный контакт для дырок. Промежутки между электродами должны быть достаточно малыми (около 2 мкм), чтобы потенциальная яма от одного электрода частично захватывала области полупроводника, расположенные под соседними электродами. 0 Принцип д состоит в сле(электроны),полупроводни ход входного 5 же не изобра на границе сл ного различи этих слоях. П носителей в 0 барьер тем с одной из фунедлаонная троду храИзобретение относится к устройствам обраотки оптической и электрической информаИзвестен прибор с зарядовой связью, содержащий слой первого полупроводника, на который нанесен слой второго полупроводника с более широкой запрещенной зоной, покрытого слоем диэлектрика, на который нанесены электроды переноса заряда.Однако к чистоте поверхности диэлектрика- полупроводника предъявляются высокие требования.Кроме того, величина удельной емкости прибора сравнительно мала, поскольку заряд подвижных носителей в полупроводнике отделен от металлического электрода двумя слоями (широкозонный полупроводник и диэлектрик).Цель изобретения - упрощение прибора и повышение надежности его в работе, Для достижения этой цели металлические электроды нанесены на слой второго полупроводника и выполнены из материала, образующего со слоем второго полупроводника контакт, запорный для основных носителей первого слоя полупроводника.1-1 а фиг. 1 схематически изображен пр гаемый прибор, разрез; на фиг. 2 - з диаграмма для случая, когда к элек приложено напряжение, обеспечивающее нение информации. ействия предлагаемого прибора дующем. Неосновные носители инжектированные в узкозонный ковый слой 1 через гг - р переустройства прибора (на чертежен) или светом, скапливаются оев 1 и 2 у барьера, обусловленем ширины запрегценной зоны в репятствуя стеканию неосновных металлический электрод, этот амым обеспечивает выполнение кций диэлектрика в обычныхИзд.897 Тираж 833 ударствеиного комитета Совета Министров по делам изобретений и открытий Москва, Ж.35, Рауьвская наб., д. 45каз 2726 У 14ЦНИИПИ Г ПодписиСР ипография, пр. Сапунова, 2 ПЗС. Другую же его функцию - препятствовать проникновению в полупроводник основных носителей (дырок) - выполняет контакт металл - широкозонцый полупроводник, являющийся запорным для дырок, При изменении ца пряжения на электродах, согласно обычной для ПЗС схеме тактового питания, заряд неосновпых носителей (электронов) перемещается вдоль гетероперехода. Потери заряда в предлагаемом приборе обусловлены цадбарьсрцым током цеосновцых носителей 1 электропов) в металл. Их величина тем меньше, чем больше тактовая частота. По формуле Ричардсона при тактовой частоте 10 гц, высоте барьера 0,6 эв и комнатп температуре эти потери составляют величину порядка 10- - 10 -гц, т. е. совершенно ничтожны с практической точки зрения.Очевидно, что удельная емкость в предлагаемом приборе будет превышать емкость известного прибора, так как в последнем подвижцый заряд передвигается ца большем л далеции от металлических электродов, чем в предлагаемом.Процесс считывания информации в предлагаемом приборе осуществляется обычными для ПЛС методами,1 О Прибор с зарядовой связью, содержащийслой первого полупроводника, на который напесен слой второго полупроводника с более широкой запрещенной зоной, и электроды переноса заряда, о тл и ч а ющи й ся тем, что, с 15 целью упрощения прибора и повышения надвкности в работе, металлические электроды нанесены на слой второго полупроводника и выполнены из материала, образующего со слоем второго полупроводника контакт, за порный для основных носителей первого слояполупроводника.