Устройство для измерения импульсно-модулированной мощности свч

Номер патента: 1765847

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Логунов, Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: анизотропии, магнитного, магнитной, одноосной, пленке, поля, эффективного

...во время действия импуль- (Я сного магнитного поля Ни, изменяют напря- ф женность внешнего магнитного поля Н = Ни ф - Нсм и определяют зависимость Р " от Н, по которой судят об эффективном магнитном поле однооснои анизотропии в магнитной пленке путем экстраполяции этой зависи- ф мости до пересечения с осью абсцисс,Изобретение поясняется чертежом, где приведена зависимость Р от Н, а также зависимость х от Н, по которой определяют эффективное магнитное поле одноосной анизотропии в прототипе, Здесь х - время перемагничивания магнитной пленки. На чертеже видно, что при экстраполяции кри1765847 но, что экстраполяция обеих кривых даетзначение эффективного магнитного поляодноосной анизотропии равное 108 Э,у оГн, РЗаказ 3387 Тираж Подписное...

Номер патента: 354358

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бокринска, Вунтесмери, Киевский

МПК: G01R 21/01

Метки: мощности, свч

...направления внешнего магнитного иоля, усилитель и индикатор,Однако в этих устройствах величина сигнала зависит не только от нагрузки линии пере. дачи, но также и от взаимного расположения магнитной пленки и эпюры стоячих волн,С целью увеличения чувствительности устройства магнитная пленка напылена в виде ряда параллельных полос, лежащих в одной плоскости и последовательно соединенных тонкими немагнитными проводящими пленками, расположенными в той же плоскости. На фиг. 1 показана блок-схема нредла мого устройства; на фиг,- констру магнитной пленки.11 редлагаемое усттойство содержит линик) передачи - отрезок волцовода 1, в котором под задашым утлом к его широкой степке помещена магнитная пленка 2, имеющая контактные выводы 3, один из...

Номер патента: 995005

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Беляев, Тюрнев, Фролов

МПК: G01R 21/08

Метки: мощности, сверхвысоких, частот

...величину д 10 ), в результате волновое сопротивление отрезка 7 линии передачи, в которую помещена слоистая структура и волно вое сопротивление чувствительного элемента 6 резко отличаются, поэтому электромагнитная волна не проникает в полупроводниковую подложку 1. Благодаря магнитной пленке 3 имеющей 1 О при Ферромагнитном резонансе значительную величину магнитной проницаемости, удается согласовать волновое сопротивление слоистой структуры г и сопротивление полосковой линии, 15 в которой она находится, так как/ЖТгл.у . Благодаря большому затуханию в полупроводнике вошедшая в него волна полностью поглощается, что приводит к его разогреву и появлению термо-ЭДС на контактах. Как указано, чувствительный элемент б имеет разные...

Номер патента: 1277028

Опубликовано: 15.12.1986

Авторы: Бречкин, Гусев, Старцев, Тетин

МПК: G01R 33/032

Метки: импульсного, магнитного, напряженности, поля

...преломления, равная а о бп,-п, и В качестве фотоприемника 5 могутбыть использованы, например, фотоэлектронные умножители ФЭУ, ФЭУ а также полупроводниковые фотодиодыФД, ФД-1.Регистрирующим прибором 6 могутслужить запоминающие осциллографыСВ, С 8-14 или осциллографы СРГ,С 9-4 А с фотоприставкой СФР,В качестве волоконно-оптическойлинии связи 7 могут быть использованы, например, волоконно-оптические гибкие жгуты О-ВХ-1,0 или О-ИК-ВС,0 ОСТ 3-3990-77,В основу работы устройства положена амплитудная модуляция оптического излучения, проходящего по отрезку диэлектрического световода, засчет потерь на микроизгибах, дифракции оптического излучения на ультразвуке и уменьшения числовой апертурыотрезка световода, под воздействиемупругих колебаний,...

Номер патента: 951207

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Авдеев, Иерусалимов, Кошелев, Куцаенко, Соболев, Тихомирнов

МПК: G01R 33/02

Метки: импульсных, магнитных, напряженности, полей

...индуктивный датчик 11, электромагнитный светонепроницаемый экран 12 с входным оптическим окном.Устройство работает следующим образ ом.В исходном состоянии при отсутствии внешнего магнитного поля пучок света достаточной ширины .от источника 1 света линейно поляризуется поляризатором 3 и, проходя через пространственный ротатор 4, например с постоянным градиентом угла поляризации в вертикальном на. правлении, приобретает постоянное приращение угла поляризации, В качестве пространственного ротатора может быть использован клин из материала, обладающего постоянной Вер де, и помещенный в однородное магнитное поле постоянного диэлектрического магнита. При прохождении света через анализатор б и полевую диафрагму 7 в виде вертикальной цепи на...