Всесоюзная1в. ф. миусков, а. в. миренский и ю. н. шилинбюро института кристаллографии ан сссрnatektho-tcxihfvegkal
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 362233
Текст
ОПИСАНИЕ ИЗОБ РЕТ ЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 362233 Союз Советских Социзлиотичвских РеооубликЗависимое от авт. свидетельства07.1.1969, (М 1291381126-25)нением заявкиМ. Кл. б 01 п 23/20 Заявл присо аявители Институт кристаллографии АН СССР и Специальное конструкторск бюро института кристаллографии АН СССР РЕНТГЕНОВСКАЯ КАМЕРА ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ДЕФЕКТОВ КРИСТАЛЛОВИзобретен ция или кон внутри крис жет найти п ных кристал полупроволн в квантовой 1 е предназначено для исслеловатроля распределения дефектов таллов без их разрушения и морименение при изучении различлов, в особенности кристаллов иков и кристаллов, используемых радиоэлектронике. Известны приборы лля исследования распределения дефектог, в кристаллах теми или 1 о иными рентгенолифракционными методами - Ланга, Бормана, монохроматического пучка, отраженного от одного или нескольких кристаллов - монохроматоров. Однако развитие рентгснографических методов исследования 15 кристаллов потребовало создания нового прибора, который позволил бы исследовать олин и тот же кристалл на одной установке различными методами, то есть более полно выявить картину распределения дефектов кри сталла и повысить точность установления степени совершенства кристалла. Указанная цель достигается с помощью прибора, который позволяст проводить исследования одного и того жс образца кристалла различными ме тодами - методами Ланга, Бормана и монохроматичсского пучка без переюстировки исследуемого кристалла на приборе, что дает возможность получать сопоставимые данные как о распределении дефектов кристалла по ЗО 2его поверхности и объему, так и о количественных характеристиках этих дефектов. Конструктивное выполнение прибора представлено на чертеже.Пучок рентгеновских лучей, излучаемый острофокусной трубкой, после формирования щелевым коллимирующим устройством 1 и кристаллом-монохроматором 2 попадает на исследуемый кристалл 3. Исследуемый кристалл закреплен в гониометре-кристаллодержателе 4, который имеет лве оси вращения. Одна из осей параллельна пучку рентгеновских лучей (интервал вращения 360), а другая - перпендикулярна этому пучку (интервал вращения -1-5), Дифрагированцый от исследуемого кристалла рентгеновский пучок регистрируется детектором излучения 5 (счетчик излучения цли кассета с фотопленкой),Сканирующее устройство б сообщает гониометру-кристаллодержателю возвратно-поступательное движение в направлении, перпендикулярном первичному пучку, и колебательное движение вокруг оси главного гонцометра (качание кристалла).Главный гониометр 7 с устройствами, которые он несет на себе, размещен на поворот ном столе 8 с возможностью радиального перемещения, а держатель кристалла-монохроматора установлен на осц стола.Кога актор Заказ 226/ ЦНИИПИ Изд.1001 Тираж 40по делам изобретений и открытий при Москва, Ж-З 5, Раушская наб., д. 4/5 Подписиете Министров ССС омитет ипография, пр, Сапунова, 2 Предмет изобретения Рентгеновская камера для исследования дефектов кристаллов, содержащая главный гониометр, на котором смонтированы коллимирующее устройство, гониометр-кристаллодержатель исследуемого образца, сканирующее устройство, шторная щелевая диафрагма и детектор излучения, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности количественного определения характеристик дефектности кристаллов, главный гониометр размещен на по воротном столе с возможностью радиальногоперемещения, а камера снабжена кристалломмонохроматором, держатель которого установлен на оси стола,
СмотретьЗаявка
1291381
МПК / Метки
МПК: G01N 23/207
Метки: всесоюзная1в, института, кристаллографии, миренский, миусков, сссрnatektho-tcxihfvegkal, шилинбюро
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-362233-vsesoyuznaya1v-f-miuskov-a-v-mirenskijj-i-yu-n-shilinbyuro-instituta-kristallografii-an-sssrnatektho-tcxihfvegkal.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Всесоюзная1в. ф. миусков, а. в. миренский и ю. н. шилинбюро института кристаллографии ан сссрnatektho-tcxihfvegkal</a>
Предыдущий патент: Криостат для рентгенографии материалов
Следующий патент: Всесоюзнаяа. к. хурцилавапatehtho-texkйie; шя
Случайный патент: Надземный металлический трубопровод