Способ определения коэффициента

Номер патента: 1783405

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Гранкин, Семкина, Стыров, Тюрин

МПК: G01N 27/62

Метки: атомов, гетерогенной, коэффициента, поверхности, радикалов, рекомбинации, свободных, твердых, тел

...наносить материал исследуемого образца на стенки измерительной ячейки;исследуемый образец (небольших размеров) выдвигается изтефлоновой трубки, Это заметно расширяет класс исследуемых материалов, т,к, становится возможным исследовать различные по структуре материалы, а именно; порошки, монокристаллы, тонкие пленки, поликристаллы. В заявляемом изобретении каждый образец может быть нанесен тонким слоем на индивидуальный нагреватель, что позволяет работать в более широком интервале температур образцов (77 10 К) и давлений (10 10 Па) атомизированных газов и свободных радикалов. При этом может варьироваться соотношение температур между газом и твердым телом,Одновременное использование моно- кристаллических образцов и их порошкообразных...

Номер патента: 135262

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Ширунов, Юрьев

МПК: G01B 15/00, G01N 25/16

Метки: коэффициента, линейного, расширения, твердых, тел, температурного

...1 Тс,".И 1 Г 11)О )сСПИ- рЕНИ 51 Т 3 ЕрЛЫС ТЕ; ПРГ;сивя 3,151)ТС 5 1 ЬСС)КПС ТРСОС)Всц 1353 с ТС)ЧПС)СТИ НЗМС- рения уллинеция образца при пдгрс 3;п 1 и, звестцые устройства либэ требуют чрезмерно высок 1 то п)сти 1 зготов.сипя прис)с 1 д и НГ) лси)цы В ЭКСПЛудТдцпц )1 С.;дццССКИС), ГПб) ПС 3)ЛЗс 1 ОТ ОбрдЗПЫ с.ТроС) ОПРС. ДЕЛЕННОЙ С)С)рсЬ С)ПТИСГСКИСс), Ли ПРИ СцНЫ ГПцЬ,1 Г 51 С)рс 3:НС)В, ООЛаадС)цИ." ОпрЕЛЕЛСНПЫСи СИ)йствд сс, цдпрпмер ЭЛГКТр):рс)НОЛПОСТЬК) (ралиоте);цичсские)В ПРСЛГдгсГМС)М ) СТрс)ЙСТВГ С ссЛсНПЫС НГ:ОсТс 1 ТКП сс с ТрсНСНЬ ТГМ. ЧТО ИЗМСР 51 С МЫИ ООРДЗЕЦ МсСцисС СКИ СВ 51 Зсц КвсРЦСВЯМ СТСРсКЕ)с бескоцт;1 ктным плуцжером клистроцц )гс) резонатора, который являетс): ЛатсИКОМ УЛЛИЦС Ц 51.)а чертеж изоорс жспа...

Номер патента: 894565

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Букин, Кагарманов, Халилов, Хамидуллин

МПК: G01N 31/22

Метки: неразрушающего, поверхности, твердых, тел

...очень важное значение, при агаемому по гаемому резрушающеготел, вклюсть образца о вещества над поверхыталкивания поверхность ефектов х ности 2894565 Формула изобретения Составитель Т. Жукова Редактор И.Михеева Техред А. Бойкас Корректор Г. Огар Заказ476/71 Тираж 910 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г, Ужгород, ул. Проектная, 43Однако известный способ характеризуется низкой чувствительностью и отсутствиемколичественной оценки дефектов.Цель изобретения - повышение чувствительности определения,Поставленная цель достигается тем, что 5согласно способу неразрушающего контроля поверхности твердых тел, включающемунанесение индикатора...

Номер патента: 966792

Опубликовано: 15.10.1982

Автор: Григоров

МПК: H01J 49/26

Метки: анализа, количеств, органических, поверхности, следовых, соединений, твердых, тел

...давле ние в вакуумной камере составляет 5 хх 10 9 мм. рт. ст. Парциальное давление паров органических соединений не превышает 10ммрт,ст. В этих условиях на поверхности исследовавшихся образцов находятся молекулы органических соединений, адсорбированные в следовых количествах из состава остаточных газов вакуумной камеры масс-спектрометра, в концентрации, не превы. шавшей одного монослоя. Результаты исследований приведены в табли. Отсутствие среди ионов, приведенных втаблице, масс с номерами 2, 18, 28 и 32свидетельствует, что адсорбированные моле.куны водорода, воды, азота и кислородасоответственно не десорбируютая в ионнойформе. Кроме того, не наблюдаются в масс. спектрах ионы с массами 48, 52, 56, 59,64 и 27 а.е,м.,...

Номер патента: 1807381

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Гранкин, Семкина, Стыров, Тюрин

МПК: G01N 27/62

Метки: атомов, гетерогенной, коэффициента, поверхности, радикалов, рекомбинации, свободных, твердых, тел

...(жестко закрепленную в подводящем канале сильфона и проходящую через измерительную камеру); установленную внутри цилиндрической трубки подвижную тефлоновую подложку 12 с гнездами 13, в которых на нагревателе 14 размещаются образцы 15, и с "пустыми" гнездами 16, (т. е, на подложке между гнездами, в которых размещаются образцы, имеются пассивные тефлоновые промежутки - "пустые" гнезда). В цилиндрической трубке 10 с окном 11 высверлены отверстия 17 малого диаметра так, что их общая площадь над исследуемым образцом много меньше площади образца, (с целью создания условий предварительного заполнения поверхности образцов свободными атомами). Тонкие малоинерциональные нагреватели 14 соединены с токоподводящими элементами 18, каждое гнездо...