Намагничивающее устройство

Номер патента: 605134

Опубликовано: 30.04.1978

Авторы: Грабович, Морозов

МПК: G01L 13/00

Метки: динамической, местоного, орределения, парожидкостной, потоке, смеси, сопротивления, характеристики

...сопротивления и температуры потока перед дросселем дросселированием преобразуют в поток двухфазной парожидкостной смеси и изменением входного перепада давления выводят на границу колебательной устойчивости. В момент, непосредственно предшествующий возникновению неустойчивости, измеряют давление и температуру, после чего искомую характеристику определяют по формулеЪЬР э, Р - Р ЬР- /4ох х Ртгде Рвх - оба Й р - р Ра х -, г - удельные энтальпии и теплота парообразования жидкости на линии насыщения, соответствующие давлению упругости Р, жидкости, подаваемой на входное местное сопротивление и давлению Р в канале; Р - давление перед входным местным сопротивлением; Р, - давление за исследуемым местным сопротивлением.Давление Р определяют на...

Номер патента: 464868

Опубликовано: 25.03.1975

Автор: Айзин

МПК: G01R 27/02

Метки: активного, внутреннего, двухполюсника, модуля, полного, сопротивления

...двухполюсника 1 подключены два последовательно соединенных сопротивления нагрузки 2 и 3. Сопротивление нагрузки 2 зашунтировано выходными клеммами ключа 4, которые через фильтр 5 переменной составляющей напряжения нагрузки и фильтр б переменной составляющей тока в нагрузке соединены с вычислительным устройством 7, а управляющая клемма ключа 4 - с выходом задающего генер а тор я 8. Устройство работает следую Ключ 4 под воздействием зад ты генератора 8 изменяет велич ления Я в пределах от Р,.=Р При этом в контуре 1, 2, 3 во менная составляющая тока.Фильтром 5 выделяется перез ляющая падения напряжения и нии нагрузки (/, ,я фильтром б в ременная составляющая падеии на сопротивлении 3 Ур,Обя полученных сигнала иа вычислительное...

Номер патента: 538506

Опубликовано: 05.12.1976

Авторы: Гришин, Денисов, Знак, Пискалов, Тян

МПК: H05H 1/00

Метки: высокосростного, газового, источник, потока

...одна из стенок которого выполнена касательной к цилиндрической боковой стенке разрядной камеры.На чертеже показан источник высокоско ростного газового потока в плане.Источник высокоскоростного газового потока состоит из разрядной камеры 1 с цилиндрической боковой стенкой 2, установленного на ней и вынесенного из объема разрядной камеры катода 3, соединенного трубопроводом 4 с системой подачи 5 секционированного анода 6, соединенного5383через балластные сопротивления 7 с источником электропитания 8.Магнитное поле создается двухполюсныммагнитом 9, Полость разрядной камеры 1через диффузор 10 сообщается с измерительным отсеком 11, в котором на державке укреплена испытываемая модель быстролетяшего тела 12,Источник высокоскоростного...

Номер патента: 1364902

Опубликовано: 07.01.1988

Авторы: Забродский, Ловинский

МПК: G01J 5/00

Метки: излучения, импульсного, источника, максимального, оптического, потока

...от его длительности. Зарегистрированные с помощью устройства выборки и хранения информации преобразованные электрические сигналы от обоих источников 2 и 3 сравнивают с помощью устройства 10 сравнения. При этом осуществляют сравнение амплитуд сигналов, соответствующих амплитудам суммарного сигнала ФПУ 4, В результате сравнения выявляют отклонение между соответствующими амплитудами, После этого изменяют соответствующим образом с помо щью устройства 13 регулирования тока источника поток излучения источника 3, добиваясь отсутствия этого отклонения. С помощью устройства 11 индикации фиксируют отсутствие отклонения между значениями амплитуд преобразованных сигналов, После чего приписывают размеру единицы максимального потока импульса...

Номер патента: 1043754

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Веселов, Ширшов

МПК: H01F 6/00, H01L 39/00

Метки: вольт-амперных, значениях, индукции, магнитного, поля, разных, сверхпроводников, сильноточных, температуры, характеристик

...обеспечить работу СПтрансформатора при температуре до18 К, поэтому первичная обмотка должна быть выполнена из материала наоснове сплавов ИЬЗЯп или 73 Са скритической температурой Тс = 18 К,который более хрупкий по сравнениюсо сплавом ХЬТ 1 с Т= 9 К. Для замены СП образца необходимо произвести разборку устройства, что приводит к дополнительным затратамвремени и потерям жидкого гелия,связанным с охлаждением криостата до Т = 4,2 К.Цель изобретения - расширениефункциональных йозможностей устройства и повышение точности измеренийпутем повышения точности регулирования температурыи увеличения диа-пазонавнешнего магнитного поля.Поставленная цель достигаетсятем, что устройство дополнительносодержит источник внешнего магнитного поля в виде...