356578

Номер патента: 1298674

Опубликовано: 23.03.1987

Авторы: Балтушис, Дагис, Скучас

МПК: G01R 21/07

Метки: импульсной, калибровки, полупроводникового, преобразователя, резистивного, свч-мощности

...индикатор 11 импульсных напряжений.25Способ калибровки полупроводникового резистивного преобразователяимпульсной СВЧ-мощности реализуетсяследующим образом,СВЧ-генератор 1 переводится в режим непрерывной генерации и с помощью детектора 2 и компаратора 3 фиксируется уровень СВЧ-мощности, волноводный переключатель 4 переводится вположение А, переключатель- в положение С, Регулировкой выходногонапряжения источника 10 в цепи резистивного датчика 12 калибруемого полупроводникового резистивного преобра. зователя 5 устанавливается слабыйток, не вызывающий джоулевого нагрева, и уравновешивается мост 9 постоянного тока (с помощью магазина 13сопротивлений), Волноводный переключатель 4 переводится в положение Б, 45т.е, СВЧ-мощность не поступает в...

Номер патента: 425123

Опубликовано: 25.04.1974

Авторы: Завистанавичюте, Репшас

МПК: G01R 21/08

Метки: свч-мощности

...нитеобразной формы со съемочными проводами на концах расположен параллельно широким стенкам волновода, а съемочные провода вы ведены через отверстия в узких стенках волновода, причем постоянный магнит установлен на широких стенках прямоугольного волновода.На чертеже приведена схема устройства.25 Устройство для измерения СВЧ-мощностисодержит прямоугольный волновод 1, магнит 2, полупроводниковый датчик нитеобразной формы 3 со съемочными проводами 4 на концах и индикатор 5.30 Устройство работает следующим образом.Корректор Л. Орлова Заказ 2678/3 Изд.745 Тираж 678 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, )К, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр, Сапунова, 2 При прохождении...

Номер патента: 1084693

Опубликовано: 07.04.1984

Авторы: Кац, Сомов

МПК: G01R 21/07

Метки: мощности, свч

...и источник ЭДС, введенисточник напряжения, который соединен с корпусом отрезка прямоугольного волновода и с полупроводниковым пленочным датчиком, при этом между полупроводниковым пленочным датчиком и узкой стенкой отрезка прямоугольного волновода введена диэлектрическая пленка.50На чертеже приведена конструкцияустройства для измерения СВЧ-мощности,Устройство для измерения СВЧ-мощ-.ности содержит отрезок 1 прямоугольного волновода,полупроводниковый гленочный датчик 2, размещенный на узкой стенке отрезка 1 прямоугольноговолновода, и индикатор 3, включающий измеритель тока и источник ЭДС,источник 4 напряжения, соединенный 60с корпусом отрезка 1 прямоугольноговолновода и с полупроводниковым пленочным датчиком 2, при этом междуВНИИПИ Заказ...

Номер патента: 295096

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Курило

МПК: G01R 33/02

Метки: датчик, магнитного, напряженности, поля

...не обеспечивают линейной зависимости выходного напряжения от напряженности магнитного поля в широком диапазоне измеряемой величины. 10Предлагаемый датчик отличается от известных тем, что полупроводниковая пластинка выполнена в виде диска, на противоположных сторонах боковой поверхности которого расположены дугообразные токовые котак ты, причем длина каждой дуги составляет /4 длины окружности.Благодаря такому выполнению датчика повышается линейность его выходной характеристики.20На чертеже изображен предлагаемый датлен тока, с - скорость света, полное сопротивление К датчика, плоскость которого перпендикулярна силовым линиям полл, выражается соотношением откуда Н =- йеггс й=сопз 1 Й,где Я, - сопротивление датчика в отсутствии...

Номер патента: 570857

Опубликовано: 30.08.1977

Авторы: Левитас, Пожела, Сталерайтис, Янавичене

МПК: G01R 33/02

Метки: градиента, датчик, магнитного, поля

...разрсшающсй способности (пространственной), т. е. при малой базе градиентометра.Цель изобретения - повышение точности 5 и чувствительности измерения.Это достигается тем, что в предлагаемомдатчике градиента магнитного поля две противоположные гранц пластины выполнены с равными скоростями поверхностной рском бинации носителей тока, а к одной из граней, перпендикулярной указанным двум противоположным граням, через слой диэлектрика приложен металлический электрод, кроме того, скорости поверхностной реком бинации носителей тока выбираются из соот- ношенияЗаказ 1928/20 Изд.685 Тираж 1109 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр....