Датчик для измерения магнитных полей

0 исАн-Ие БРЕТЕНИЯ Союз Советск оциалистическ РеспубликАВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ симое от авт, свидетельстваМ. Кл, б 01 г 33/02 аявлено 10.11.1971 ( 1632439/18-10) присоединением заявкиКомитет по делам зобретеиий и открытий при Совете Министров СССРПриоритетОпубликовано 09.Х.1972. Бюллетень3Дата опубликования описания ЗО.Х.192 1.317,42 (088,8) Авторыизобретения ерсиянов и Г, И, Рекалова Т,Электротехнический институт им. В. И, Ульянова (Ленин Заявител ЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ ДАТЧ лельпыи ил озону высокойэлектрода.Предлагаемжен на чертежОн содержиных измерителоженных вэмиттера 8 пр - и-переходапараллельный параллельных плоскостоллектора 1 и 2, расподственной близости от кулярно плоскости его нительный коллектор 4, сти эмиттера, и два бат двапьных кнепосреерпендидополплоско зовых электрода б и б. Стрелкой 0 показанонаправление вектора напряженности магнит 5 ного поля.Датчик работает следующим образом.В отсутствие мапнитного поля инжектированные эмиттером 3 иеосновные носители достигают вследствие диффузии всех трех кол 0 лекторов 1, 2 и 4,При помещении датчика в магнитное поле,при направлении поля, указанном на чертеже,и при условии, что неосновными носителямиявляются дырки, ток в цепи измерительного5 коллектора 1 уменьшается, а в цепи измерительного коллектора 2 увеличивается пропорционально величине индукции измеряемогомагнитного поля, Магнитное поле не влияетна ток коллектора 4, и этот электрод можетО быть включен,в цепь отрицательной обратной Изобретение может быть использовано в устройствах для измерения параметров постоянных и переменных магнитных, полей, в частности неоднородных полей в малых объемах.Известен транзисторный датчик, поля, выполненный в виде биполярного транзистора с дополнительньвм цилиндрическим коллектором, образующим зону высокой рекомбинации.Этот датчик имеет недостаточные пороговую чувствительность и температурную стабильность, нелинейность характеристик по магнитному полю, малое пространственное и угловое разрешение и требует жесткой стабилизации источников питания.Кроме того, этот датчик обладает низкой технологичностью из-за необходимости точного вьвполнеиия цилиндрической формы его конструкции.Цель изобретения - повышение чувствительности датчика, линейности его рабочих характеристик и технологичности изготовления.Цель достигается тем, что предлагаемый датчик содержит два параллельных измерительных коллектора, расположенных симметрично в непосредственной близости от эмиттера, перпендикулярно к плоскости его р - и- перехода, дополнительный коллектор, паралкости эмиттера, образующий рекомбинации, и два базовых й датчик схематически изобраЗаказ 3574/13 Изд.1466 Тираж 406 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 связи, обеспечивающей термостабилизацию или стабилизацию по питанию,Порог чувствительности датчика определяется собственными шумами триодной структуры.Линейность характеристик датчика обеспечивается однородностью исходного пространственного распределения диффузионного потока неосновных носителей в объеме, за 1 клю. ченном между краями измерительных коллекторов 1 и 2 и дополнительным коллектором 4.Высокая .пространственная разрешающая способность датчика обеспечивается малым расстоянием между измерительными коллекторами 1 и 2 и эмиттером 8, а высокая направленность действия - планарным расположением элементов.Так как уровень инжекции не влияет на распределение токов в цепях измерительных коллекторов, регулировка чувствительности может быть осуществлена в широких пределах путем изменения смещения па базовых электродах 5 и б,Высокая технологичность датчика обусловлена возможностью применения планарной технологии изготовления и некритичностью к некоторой асимметрии расположения элементов.С помощью описанного датчика можно осуществлять,измерения напряженности постоян ных и переменных магнитных полей и градиенты напряженности полей в,различных направлениях, причем максимальная чувствительность датчика превосходит чувствительность известных датчиков Холла.Т 0 Предмет изобретенияДатчик для измерения магнитных полей,выполненный в виде биполярного транзистора, напряжение на нагрузке которого опреде ляется величиной измеряемого магнитногополя, отличающийся тем, что, с целью,увеличения чувствительности, повышения линейности рабочих характеристик и создания возможности измерения градиента поля, датчик 20 содержит два параллельных измерительныхколлектора, расположенных симметрично в непосредственной близости от эмиттера, перпендикулярно к,плоскости его р - пеперехода, дополнительный коллектор, параллельный 25 плоскости эмиттера, образующий зону, высокой рекомбинации, и два базовых электрода.