353625

, 1О П И С А Н И Е и 11353625ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(61) Зависимое от авт, свидетельства 22) Заявлено 18.03.69 (21) 1310049,26-25 1) Л. Кл. Н 011 9/2 с присоединением заявки1 ооуддротвениый комитетСовета Министров СССРло делам иэооретеиийи открытий иоритет публиковано 05.04.74. Бюллетень13ата опубликования описания 16.09.74(088.8) 2) Авторы изобретени ин, Г. А. Китаев и Н. П. Кадомская 71) Заявитель ЛУЧ ЕНИЯ КАТОДОЛЮИИНЕСЦЕНТНЫХКОПЛЕНОЧНЫХ ЭКРАНОВ 54) СПО Н- Уп (Ап), Хп Я+2 Ап - + ЫН,СИ,+2 Н+,Адгезионная прочность покрытия возрастает при сенсибилизации экранной растворах хлоридов мета. группы, например пС 1 ил трацией от 2 до 10 гл. нного льнои ки в И 11 нценсинтезирова предварите теклоподлож лов 1 Ч илРс 1 С 1., с ко Известен способ получения катодолюминесцентных тонкопленочных экранов пневматическим распылением водного раствора, состоящего из хлорида цинка и тиомочевины, на стеклянную подложку при 300 - 400 С. Однако такой способ сложен для получения тонкопленочных экранов диаметром более 200 мм при использовании низкотемпературных марок электровакуумного стекла, например ЗС, изза возникновения значительных температур ных напряжений в стеклооболочке. Кроме того, этим способом невозможно получить равномерные по толщине покрытия с высокой разрешающей способностью и яркостью.1 Цель изобретения - увеличение разрешающей способности и яркости свечения экрана. Это достигается тем, что сенсибилизированную стеклянную подложку обрабатывают в течение 1 - 1,5 час при 70 - 80 С в водном рас творе, содержащем галоидные соли цинка и тиоацетамид при контролируемой концентрации ионов водорода.В реакционную смесь вводят тиоацетамид в количестве 10 - 50 моль на 1 моль галоид ной соли цинка при концентрации ионов водорода от рН=2,5 до рН=3,5.Процесс образования тонкопленочного крытия может быть выражен общим стех метрическим уравнением Скорость образования пленочного по зависит от температуры реакционноГдостигая оптимальной 50 - 60 А/мин при нагревании рабочего раствора до 70 - 80 С. Концентрацию водородных ионов в системе под-держивают постоянной введением буфернои смеси, например натрийацетатного буферногораствора. Толщину экранного тонкопленочно-го покрытия определяют временем осаждения.Для получения катодолюмннесцентной пленки толщиной 3000 А процесс проводят в течение 1 - 1,5 час.Активацгпо цпнксульфпдного покрытия проводят вакуумной термообработкой электрон-нолучевого прибора или же введением в по-крытие меди и марганца, При вакуумной термообработке электроннолучевого прибора про-Экранные покрытия 100 Х=0,20 У =0,18 Х= 0,18 У = 0,15 Х= 0,30 У =0,54 Х= 0,51 У = 0,89 20 УпЯ Лп УпЯ Ад УпЯ Са 43 100 100 59 Уп 3 Мп 100 Х= 018 У =0,15 УпБ Ад по известному способу15 80 7 возб, - 8 кв,Редактор Л. Пейсочеико Техред Е, Борисова Корректор А, Степанова Заказ 2216/2 Изд.699 Тираж 760 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж.35, Раушская наб д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 исходит диспр опор циони ров ание сульфида цинка при 450 в 4 С, что приводит к получению устойчивой катодолюминесценции экранного покрытия.П р и м е р. Стеклянную шайбу или внутренною поверхность стеклооболочки обезжиривают в щелочном растворе поверхностно- активного вещества ОП(10 г Ха,СО, и 10 г смачивателя ОПна 1 л воды), После этого стеклянную подложку обрабатывают в растворе хлористого олова 2 г/л в течение 10 мин. Затем в объем стеклооболочки заливают реакционный раствор, в состав которого входят, мл;Уксусная кислота (ледяная) 49 Едкий натр (4,5 М раствор) б 0 Хлористый цинк (1 М раствор) 5 Режим возбуждения:/ - 1 мка/см.Таким образом, предлагаемый способ позволяет получить цинксульфидные катодолюминесцентные экраны с высокой разрешающей способностью более 100 линий/мм и значительной светоотдачей. При этом экраны могут быть практически любого размера с использованием низкотемпературных марок электро- вакуумного стекла, например ЗС. Способ экономически более выгодеп и может быть легко автоматизирован. Предмет изобретения 1. Способ получения катодолюминесцентпыхтонкопленочных экранов на основе сульфида Тиоацетамид (0,5 М раствор) 87 Деминерализованная вода, л до 1 Покрытие осаждают при нагреве раствора 5 до 75 С в течение 1,5 час, после чего реакционный раствор сливают. Полученное пленочное покрытие на поверхности экранной шайбы промывают деминерализованной водой и сушат при 110 С. Электроннолучевую трубку с 10 тонкопленочным экраном обрабатывают на откачном посту при 450 С и вакууме 1 10тор в течение 4 час.Светотехнические характеристики сформированных тонкопленочных катодолюминес центных экранов (протокол измерения свойствтонкопленочных катодолюминесцентных экранов ЭЛТ) приведены в таблице цинка, отличающийся тем, что, с целью увеличения разрешающей способности и яркости свечения экрана, сенсибилизированную стеклянную подложку обрабатывают в течение 1 - 1,5 час при 70 - 80 С в водном растворе, содержащем галоидные соли цинка и тиоацетамид при контролируемой концентрации 25 ионов водорода. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем,что в реакционную смесь вводят тиоацетамид в количестве 10 - 50 моль на 1 моль галоид ной соли цинка при концентрации ионов водорода от рН=2,5 до рН=3,5,