344507

Номер патента: 1387181

Опубликовано: 07.04.1988

Автор: Дик

МПК: H03K 5/01

Метки: импульсов, многоканальный, пзс, регистром, формирователь

...ключевой каскад 1,выход которого подключен к базе выходноготранзистора 2, эмиттер которого соединен свыходной шиной 3 канала многоканальногоформирователя и подключен к соответствующему фазовому электроду управления переносом ПЗС-регистра 4 и через ключ 5 -к первой шине 6 источника питания, приэтом коллекторы выходных транзисторов 2всех каналов соединены между собой, между коллекторами выходных транзисторов2 и второй шиной 7 источника питаниявключен элемент 8 компенсации, в каждомканале между эмиттером и коллектором выходного транзистора 2 включен обратносмещенный диод 9, элемент 8 компенсации,который выполнен в виде параллельно включенных резисторов 10 и последовательной цепочки прямосмещенных диодов 11,емкости 12 - 15 ПЗС-регистра,20...

Номер патента: 1170599

Опубликовано: 30.07.1985

Авторы: Копыл, Рева, Торчинский, Утяков

МПК: H03K 5/15

Метки: импульсов, формирователь

...импульсов на МДП-транзисторах; на фиг. 2 - временные диаграммы его работы. Формирователь импульсов состоит из двух усилительных каскадов, каждьв из которых содержит ицвертор на транзисторе 1 с токостабилизирующей нагрузкой, выполненной на транзисторах 2 и 3, емкость 4, дополнительный транзистор 5, усилитель-Формирователь ца транзисторах 6 и 7 и накопительную емкость 8. Во втором каскаде параллельно транзистору 1 инвертора включен управляющий транзистор 9. Дополнительный инвертор на транзисторе 10 с токостабилизирующей нагрузкой выполнен на транзисторах 11 и 12 и емкости 13. Выход первого каскада соединен с входом второго. Затвор транзистора 10, являющийся входом Формирователя, соединен с затвором дополнительного управляющего...

Номер патента: 260681

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Белицкий, Гусев

МПК: H03K 19/20

Метки: логическая, не, схема, транзисторе

...экономичность и коэффициент использования напряжения коллекторного источника питания.Схема устройства изображена на чертеже.Оно содержит транзистор 1, резисторы 2 и нелинейный двухполюсник 3,При подаче на вход схемы 11 Е положительного импульса с предыдущей схемы транзистор переходит в режим насыщения и почти все напряжение источника коллекторного пи. тания прикладывается к зажимам двухполюсника, Сопротивление двухполюсника возрастает, что приводит к уменьшению коллекторного тока насыщения транзистора. Ток базы при этом определяется сопротивлением базы и небольшим сопротивлением двухполюсника предыдущей схемы, транзистор которой находится в режиме отсечки, В результате степень насыщения транзистора увеличивается и возрастает...

Номер патента: 183245

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Зайцев, Меерович

МПК: H03K 3/45

Метки: генератор, импульсов, источника, магнитный, переменного, питанием

...звена, каждое из которых содержит зарядный дроссель,конденсатор, насыщающий дроссель и управляющий параллельный колебательный контур,На чертеже изображена схема генератора. 20Деление частоты осуществляется под влиянием контура 1, 2 на индукцию дросселя 3.При насыщении дросселя разряжается кон.денсатор 4 и заряжаются конденсаторы 2 и 5.Когда дроссель перейдет в ненасыщенное состояние, ко;гтур окажегся изолированным отостальной части схемы и в нем возникает колебате саторе время ция.Ког менит исходг схеме а раз,а конденсаторе 2 пере на дросселе вернется в аким образом, в данног йцгь вселение частоты в а напряжениезнак, индукциое состояние.можно осущес ледоективАГНИТКЫЙ ГЕНЕРАТО ОТ ИСТОЧНИКА льныи процесс, Напряжение на конден 2 не...

Номер патента: 1274889

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Зак, Лепешкин, Нижник, Соловьев

МПК: B23K 31/02

Метки: гибридно-интегральных, кристаллов, монтажа, платы, полевых, схем, транзисторов

...площадке затвора 1 наемкостях С и С индуцируется заряд, практически равный по величи 5 О 15 20 25 30 35 40 45 50 55 не напряжению сварочного импульса,т.е. на контактных площадках стока4 и истока 5 появляется заряд обратной полярности по отношению к затвору. При последующей сварке истокового или стокового выводов наличиена контактных площадках истока илистока потенциала обратной полярности снижает уровень итогового потенциала области исток - сток, эа счетчего снижается вероятность пробояпереходов исток - затвор и стокзатвор,П р и м е р, Проводили монтажкристаллов СВЧ полевых транзисторовна полосковую плату иэ поликора толщиной 0,5 мм с нанесенными на нее методами тонкопленочной технологии полосковыми линиями, контактными площадками и...