Образец для определения механических свойств материалов

Номер патента: 1624397

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Вербицкий, Винокуров, Грибков, Ермаков, Иванов, Ткачук

МПК: G03G 13/28, G03G 15/00

Метки: изготавливаемых, крепления, офсетных, печатных, пластин, способом, форм, формных, электрофотографическим

...для крепления формных пластин состоит иэ опорной плиты 1 из токопроводящего материала, пластины 2 из изоляционного материала (например, гетинакса), токопроводящей пластины 3, лавсановой пленки 4, источника 5 питания постоянного высокого напряжения и самои формной пластины 6. Источник 5 имеет скользящий контакт.Устройство работает следующим образом.На плиту помещают пластину 2. На изоляционную пластину 2 помещают токопроводящую пластину 3. Пластину 3 может заменить, например, слой меди, нанесенный на гетинаксовую пластину 2. Сверху укладывают лавсановую пленку 4, а на нееформную пластину 6, После этого электрически соединяют плиту 1 и пластину 6, например при помощи скользящего контакта (не показан). Источник 5 постоянного высокого...

Номер патента: 998974

Опубликовано: 23.02.1983

Автор: Устинов

МПК: G01R 27/00

Метки: объемного, пластины, полупроводниковой, сопротивления, структура, тестовая, удельного

...2 В + 2 С области 3,т.е. р = р 35С целью компактности размещенияэлементов на рабочей поверхностипластины контактные зоны могут иметьболее сложный вид (фиг. 3). Здеськаждая из областей 2 и 3 содержитодинаковое количество однотипныхтопологических элементов, т.е. пять.внешний угол О = 900(один внутренний угол Р = 270) .Тестовая структура работает следующим образом.Для каждой области 2 или 3 (фиг.1),контролируемая зона полупроводниковой пластины 5 составлена иэ двух 50параллельно включенных резистивныхчастков: внутренней зоны 11 илиопределякицей объем пластинымежду областью 2 или 3 и ее проекцией на общую контактную область 8; 55 сопротивление у этого объема пластины равное60где- удельное объемное сопротивление пластины Ом м 3 внешней зоны...

Номер патента: 1516761

Опубликовано: 23.10.1989

Автор: Исламов

МПК: G01B 7/28

Метки: виде, вращения, объектов, отклонения, поверхности, тела, формы

...стремятся изменить угловое или линейное положение объекта 3 в отвержденной ферромагнитной жидкости, При этом измеряют величины силового воздействия, вызывающего смещение из начального углового или линейного положения объекта и эталонного образца соответственно. После прекращения воздействия магнитного поля на Ферромагнитную жидкость 2 происходит восстановление ее свойств, благодаря чему возможно извлечение из нее объекта 3 или эталонного образца.Об отклонении формы поверхности Объекта контроля от поверхности идеального тела вращения (эталонного образца) судят по разности величины силового воздействия, вызывающего смещение из начального линейного (или углового) положения этого объекта и эталонного образца, Например, об...

Номер патента: 1000300

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Бесков, Долбилин, Калибабчук, Нитусова, Самошенкова, Солохина, Сулакова

МПК: B41N 1/08

Метки: офсетной, очувствленной, печатной, пластины, предварительно, формы

...в электрическомполе токами высокой частоты при120 ОС, времени 10 с и частоте поля 408 тыс. Гц.П р и м е р 3Для полученияпредварительно очувствленной офсетной пластины стальная лента обрабатывается, как в примере 1, и высуыивается токами высокой частоты при110 С, время 20 с,Полученные пластины используются для изготовления офсетных печатных 50 форм. Данные диагностики пластины и печатных форм, полученных по ука-.эанным выше примерам, а также аналогичных материалов, прошедших индукционную и конвекционную сушку, пред ставлены в таблице.Как показывают исследования, предЛагаемый способ сушки оказывает су 1 цественное влияние на такие физико ,химические свойства копировального слоя, как диффуэионность и набухаемость. Защитная роль...

Номер патента: 712785

Опубликовано: 30.01.1980

Авторы: Коротченков, Ляху, Молодян

МПК: G01R 31/26

Метки: зависимости, пластин, полупроводниковых, сопротивления, температурной, удельного

...Предлагаемое устройство позволяет автоматизировать проводпмыс в динамическом режимс измерения температурной зависимости удельного сопротивления образцов полупроводниковых материалов произвольной формы, что дает возможность исключить ряд технологических и измерительных операций по приданию образцам правильной формы н измерению геометрических размеров; все это, в конечном счете, приводит к повышению точности измерений, сокращению времени на подготовку образца, сокращению расходов материальных средств. Устройство для измерения температурной зависимости удельного сопротивления полупроводниковых пластин, содержащее источник переменного тока постоянной частотысоединенный с первым и вторым зондами, усилитель, вход которого соединен с...