339957

ПИСАНИЕ Союз Советских Социал исти цесних РеспублинАВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства-Заявлено 28.1 Х.1970 ( 147649518-24)с присоединением заявки-.т. Кл. б 11 с 1 митет по делам Приор итетв зооретений и аткрмтипри Совете министровСССР ДК 681,327.6(088,8 Опубликовано 24.Ч.1972. Бюллетень17 Дата опубликования описания 29.И 11,197фффвв 1"Эдеюютф вторы обрет ек-Иовсеп. А. Кизи 3 аявител ИНФОРМАЦИИ В МАГНИТНОМОПИТЕЛЕ УСТРОЙСТВО ЗАЩИТ Пороговыйтуннельном диовый вход 21 егополнителыного ка17, вход которогновното канскадаВторой вход 24каскада связали со транзисторе 10 и лнительный, Пери к выходу 22 дооса на транзисторе ен ко входу 23 оса транзисторе 1 б. льного порогового 0 устройства, а его скад на б - доп подключе скада сбр подключ с бр,оса н дооолните входом 2 ка де Изобретение относится к области вапоминающих устройств,Известно устройство защиты информации в магнитнохт накопителе, содержащее каскад сброса, подсоединенный к пороговому каскаду, связанному через ключевой каскад с выходными каскадами, выполненнывьи на транзисторах с непосредственньтвтк связями.Известное устройство не учитывает реальных временных характеристик изменения напряжений питания постоянньрм током и малое время цикла обращения к быстродействующему за 1 поминающему устройству.Цель изобретения заключается в повышении надежности защиты информации в запоминающем устройстве.Эта цель достигается тем, что предложенное устройство содержит дополнительный каскад сброса, вход которого подключен ко входу основного каскада сброса, а выход - к первому входу донолнительного порогового каскада, второй вход которого связан со входом устройства, а выход - с ключевым каскадом.На чертеже показана электрическая схема устрой,ст,ва защиты информации,Она содержит ограничителыный резистор 1, переменный резистор 2, регулирующий верхяюю границу срабатьрвания, туннелыный диод 3, орабатывающий на верхней граняце допустимого изменения напряжения, ограничительный резиотор 4, перемененный резистор 5, регулирующий нижнюю гр ан ицу ср абаты ваяния, туннельный диод б, срабатывающий на 5 нижней границе допустимого измененпя напряжения, резисторы 7 и 8, уменьшающие ток на диффузоонной ветви характеристики туннелыното диода, транзисторы 9 - 12, конденсатор 13, устраняющий помехи на выходе О при сбросе туннелыных диодов, выходныетранзисторы 14 и 15, каскады 1 б, 17 сброса туннелыных диодов, стабилжтрон 18, ограничительный резистор 19. Ко входу 20 устройства под 1 ключено два пороговых каскада, выпол пенных в виде сочетания соответственно туннельных диодов 3, б с транзисторами 9, 10, к который подключены транзисторные ключевые каскады на триодах 11, 12, работающих с частотой обра 1 щения к магнитному запомина- С ющему устройству для устранения гистерезиса характеристики туннельното диода,339957 В. Рудаков уклина СоставптельТекред Л.,орректор Л, Васнльева анки елакто Заказ 264/1102 Изд.766 Тираж 448 Ц 11 ИИПИ Комитета по делам изобретений н открытий прн СМосква, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Подппсноте Министров СССР и. Харьк, фил. пред. Патент выхюд 26 - с ключевым каскадом на транзисторе 11.Выходные каскады собраны на транзисторах 14 и 15 с непосредственньвьи свя,зями. Импульсы на выхюде 26 устройства при сбросе туннельных диодов 3 и б убираются интегрирующим конденсатором 13, а питание схемы осуществляется от стаюилитрона 18, соединенного с источнвком большого постоянного напряжения (на чертеже не показан) через резистор 19.При отсутствии напряжения на входе 20 устройства туннельные диюды 3 и б находятся в низковольтном состоянии, а транзисторы 9 и 10 закрыты, Транзисторы 11 и 14 открыты. На выход 26 устройства подается нулевой потенциал, С увеличением входного напряжения до наименьшего рабочего значения туннельный диод б переключйдся в высоковольтное состояние ТранзисторьЧ 10 и 12 открываются, а 11 и 14 запорываются.На выходе 26 устройства появляется положительный уровень напряжения, разрешающий работу запоминающего устройства. С увеличением напряжения туннельный диод 3 переключается в высоковольтное состояние (туннельный диод б находится в переключенном состоянии). Транзисторы 9 и 14 открываются, а 12 - закрывается, На выход 26 подается нулевой запрещающий уровень, При дальнейшем понижении напряжения на входе все повторяется в обратном порядке. Разрешающий положительный уровень на выходе 26 поя 1 вляется лишь при наличии напряжения на входе внутри за данной области устюйчивой работы запоминающего устройства.Оценка мпновеннопо анаучения входного напряжения происходит по заднему ф 1 ронту импульсов сброса с частотой обращения к запо минающему устройству. В мюмент действияимпульсов сброса транзисторы 16 и 17 открываются, шунтируя туннельные диоды 3 и б для устранения гистерезиса характеристик туннельных диодов. 15П р едмет из о брет енияУстройство защиты информации в магнитном накопителе, содержащее каскад сброса, подсоединенный к пороговому каскаду, 20 связанному через ключевой каскад,с выхоЛными каскадами, выполненными на транзисторах с непосредственными связями, отличаюи(ееся тем, что, с целью повышения надежости устройства, оно содержит дополнитель ный каскад сброса, вход которого подключенко входу оеновнюго каскада сброса, а выход - к первому входу дополнительного порогового каскада, второй вход которого связан со входом устройства, а выход - с ключевым кас кадом.