337153

Номер патента: 720693

Опубликовано: 05.03.1980

Авторы: Гулай, Колешко

МПК: H03H 3/02

Метки: акустических, возбуждения, волн, поверхностных

...конденсатор, 12 - генератор электрических колебаний, 13 нагреватель, 14 - источник тока.Возбуждение поверхностных акустических волн происходит следующим образом. 4Стимулирование процесса возбужден.дяповерхностных акустических волн тепловыми импульсами производят с помощью нагревателя 13, подключенного к источнику тока, 14.Поверхностные акустические волны возбуждают путем использования магнитного шума, обусловленного скачками Баркгаузена в тонких пленках, которые изготовляли путем термического испарения в вакууме при разряжении порядка 10 мм рт. ст.1 в материала 79 НМ с последующей конденсацией паров металла на нагретую до 250 - 300 С очищенную стеклянную подложку в присутствии ориентирующего магнитного поля напряженность 50 Э,...

Номер патента: 1034150

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Лацитис, Серейка

МПК: H03H 9/68

Метки: акустической, волне», поверхностной, фазовращатель

...- обеспечение постоянства амплитуды выходного сигнала.Поставленная цель достигается тем, что Фазовращатель на поверхностной акустической волне ( ПАВ), содержащий пьезоэлектрический звукопровод, 4 на поверхности которого расположены входной и выходной преобразователи ПАВ и нанесена полупроводниковая пленка, и источник постоянного напряжения, снабжен дополнительным источником постоянного напряжения 45 и двумя. слоистыми структурами, на-. несенными на поверхность пьезоэлектрического звукопровода между входным и выходным преобразователями ПАВ, каждая из которых включает полупро водниковую пленку с омическим контактом на краю, диэлектрическую пленку и металлический электрод, подключенный через соответствующий источник постоянного напряжения...

Номер патента: 1614671

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Крышталь, Лисовский, Медведь, Попков

МПК: G01R 33/05

Метки: волн, затухания, магнитостатических, параметра, поверхностных

...10 циркулятор 3. Частота ПАВ Р при которой уровень сигнала отраженной ПИСВ частоты Го " РА максимален, соответст. вует резонансу рассеяния при попутном распространении ПИСВ и ПАВ, это рассеяние происходит в области А исследу емой пленки. Частота ПАВ Г, при которой имеет максимум сигнала частатц Г + Рь, соответствует резонансу рассеяния при встречном распростране нии НИСВ и НАВ, которое происходит в области В пленки. Определив частоту Р (или Р), снимают зависимость уровня сигнала отраженной ПИСВ частоты Г - РА(или й + Р ) от частоты Х 25Ь падающей ПИСВ в окрестности заданной частоты Г. Иащность ПАВ при этом устанавливают не больше той, при которрй ширина измеряемой частотной зависимости уже начинает зависеть от мощности ПАВ. Затем нахоцят...

Номер патента: 1249334

Опубликовано: 07.08.1986

Автор: Лысов

МПК: G01C 11/00

Метки: вертикальной, двух, осевых, оси, переноса, плоскости, сооружения, точек

...алидаду на 180, берут отсчет а, по шкале 11, установленной в 15 точке 0. Отсчет а можно полуцить также после поворота трубы через зенит при двух положениях вертикального круга (КН и КЛ). Измерив расстояния 8, и сг нитяным дальномером или рулеткой, вычисляют по формуле где со - выцислснный отсчет по шкалам,равный величине смещения прибора относительно створа оси;ос,аг - отсчеты по линейным шкалам, установленным соответственно на первой и второй осевых точках; расстояния от теодолита соответственно до первой и второй 30 шкал, измеренные дальномером или рулеткой, о гсцст ав, равный сменснию теодолита (тоцки С) относительно створа оси 0 О . Браца теодолит, наводят визирную ось трубы на отсчет а на шкале 1 (или 11), устанавливая тем 35...

Номер патента: 1767334

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Кирнарская, Ранов

МПК: G01C 15/06

Метки: объекта, оси, относительно, плоскости, положения, рейка, референтной

...в виде жесткой полосы, соединенной с корпусом через введенную пружину сжатия и установленной с возможностью взаимодействия с криволинейной пластиной через введенный фигурный рычаг с направляющим элементом,жестко скрепленным с корпусом, причем расстояние г от оси поворота до криволинейной пластины опредепено соотношением где й - расстояние от оси поворота до точки соединения криволинейной пластины со штангой;а - угол между осью корпуса и осью штанги;- расстояние от оси поворота до пяты с учетом расстояния от оси обьекта до его поверхности,Таким образом заявленное техническое решение соответствует критериям новизны. Анализ известных технических решений аналогов) в исследуемой области позволяет сделать вывод об отсутствии в них...